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公开(公告)号：CN105488244B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201510645497.7
申请日：2015-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/392 , G06F30/398 , H01L27/02 , H01L27/28 , H01L29/66
Abstract: 提供了设计半导体装置的方法和用于设计半导体装置的系统。设计半导体装置的方法包括：提供包括有源区和虚设区的标准单元布局；确定有源区中的第一有源鳍与第二有源鳍之间的第一鳍节距和虚设区中的第一虚设鳍与第二虚设鳍之间的第二鳍节距；使用第一鳍节距和第二鳍节距在有源区中安置第一有源鳍和第二有源鳍并在虚设区中安置第一虚设鳍和第二虚设鳍；并检验标准单元布局。
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公开(公告)号：CN109962066A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201811276469.2
申请日：2018-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L23/528 , H03K19/0185
Abstract: 提供了一种集成电路。所述集成电路可包括第一有源区和第二有源区，第一有源区和第二有源区可彼此平行地沿第一水平方向在基底上延伸并且具有彼此不同的导电类型。第一栅极线可在与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸，并且可与第一有源区形成第一晶体管。第一晶体管可包括施加有第一输入信号的栅极。第一栅极线可包括在垂直方向上与第一有源区叠置的并且具有位于第一有源区与第二有源区之间的区域上的端部的第一部分栅极线。
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公开(公告)号：CN107104101B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201710397056.9
申请日：2015-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/092 , H01L27/118 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种集成电路(IC)、一种半导体装置和一种标准单元库。集成电路(IC)可包括至少一个单元，所述至少一个单元包括：多条导线，沿第一方向延伸并且沿与第一方向垂直的第二方向彼此平行；第一接触件，分别设置在所述多条导线中的至少一条导线的两侧处；以及第二接触件，设置在所述至少一条导线和第一接触件上并通过电连接到所述至少一条导线和第一接触件而形成单个节点。
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公开(公告)号：CN108987396A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810543913.6
申请日：2018-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092
Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件包括具有多个有源图案的衬底。多个栅电极与所述多个有源图案相交。有源触点电连接到有源图案。多个通孔包括第一常规通孔和第一虚设通孔。多个互连线设置在通孔上。所述多条互连线包括设置在第一常规通孔和第一虚设通孔两者上的第一互连线。第一互连线通过第一常规通孔电连接到有源触点。每个通孔包括通孔主体部分和覆盖通孔主体部分的底面和侧壁的通孔阻挡部分。每条互连线包括互连线主体部分和覆盖互连线主体部分的底面和侧壁的互连线阻挡部分。
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公开(公告)号：CN108695315A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810319727.4
申请日：2018-04-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L23/5286 , G06F17/505 , G06F17/5072 , G06F17/5077 , H01L21/823475 , H01L23/5226 , H01L23/5283 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/11807 , H01L2027/11881
Abstract: 提供了标准单元及包括其的集成电路。该集成电路包括：电源轨，包括在垂直方向上彼此间隔开的第一导电线和第二导电线，其中第一导电线和第二导电线在第一水平方向上彼此平行地延伸，并彼此电连接以向第一标准单元供应电力，其中第一导电线和第二导电线设置在第一标准单元的边界处；以及第三导电线，在第一导电线与第二导电线之间，并在与第一水平方向正交的第二水平方向上延伸，以传送第一标准单元的输入信号或输出信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108231760A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711337186.X
申请日：2017-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/088 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L27/0207 , H01L27/0705 , H01L29/0847 , H01L29/1037 , H01L29/41741 , H01L29/7827
Abstract: 本公开涉及具有垂直晶体管的集成电路。一种具有垂直晶体管的集成电路包括在第一方向上延伸并彼此平行地顺序排列的第一栅线至第四栅线、在第一栅线至第三栅线之上并与第二栅线绝缘的第一顶有源区、以及第二顶有源区。第一顶有源区分别与第一栅线和第三栅线形成第一晶体管和第三晶体管。第二顶有源区在第二栅线至第四栅线之上并与第三栅线绝缘。第二顶有源区分别与第二栅线和第四栅线形成第二晶体管和第四晶体管。
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公开(公告)号：CN108206183A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201710956783.4
申请日：2017-10-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L23/528 , G06F17/50
Abstract: 一种集成电路包括：下层，包括在第一方向上延伸的第一下部图案和第二下部图案；布置在第一下部图案上的第一通孔和布置在第二下部图案上的第二通孔；布置在第一通孔上的第一上部图案；以及布置在第二通孔上的第二上部图案，其中第一颜色被分配给第一上部图案，第二颜色被分配给第二上部图案，第一上部图案和第二上部图案在第二方向上彼此邻近，并且第一通孔布置在第一下部图案的第一边缘区域中，第一边缘区域与第一下部图案的第二边缘区域相比离第二下部图案更远，第二边缘区域与第一边缘区域相对。
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公开(公告)号：CN105448910A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510595156.3
申请日：2015-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/423 , H01L23/52
Abstract: 根据示例实施例，提供了半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括PMOSFET区和NMOSFET区；第一栅电极和第二栅电极，位于PMOSFET区上；第三栅电极和第四栅电极，位于NMOSFET区上；第一接触件和第二接触件，分别连接到第一栅电极和第四栅电极。第一栅极切口电极至第四栅极切口电极限定穿过第一栅电极与第三栅电极之间和第二栅电极与第四栅电极之间的栅极切口区。当从平面图观看时，第一接触件和第二接触件中的每个接触件的一部分与栅极切口区叠置。
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公开(公告)号：CN119730388A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411693695.6
申请日：2019-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件。半导体器件包括在衬底上彼此相邻的第一逻辑单元和第二逻辑单元、以及在第一逻辑单元与第二逻辑单元之间在第一方向上延伸的混合分离结构。每个逻辑单元包括：第一有源图案和第二有源图案，第一有源图案和第二有源图案在与第一方向相交的第二方向上延伸，并且在第一方向上彼此间隔开；以及栅电极，在第一方向上延伸并跨越第一有源图案和第二有源图案，并且所述多个栅电极以栅极间距间隔开。混合分离结构包括将第一逻辑单元的第一有源图案与第二逻辑单元的第一有源图案分离的第一分离结构；以及第一分离结构上的第二分离结构。第一分离结构的宽度大于栅极间距。
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公开(公告)号：CN119730387A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411693677.8
申请日：2019-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件。半导体器件包括在衬底上彼此相邻的第一逻辑单元和第二逻辑单元、以及在第一逻辑单元与第二逻辑单元之间在第一方向上延伸的混合分离结构。每个逻辑单元包括：第一有源图案和第二有源图案，第一有源图案和第二有源图案在与第一方向相交的第二方向上延伸，并且在第一方向上彼此间隔开；以及栅电极，在第一方向上延伸并跨越第一有源图案和第二有源图案，并且所述多个栅电极以栅极间距间隔开。混合分离结构包括将第一逻辑单元的第一有源图案与第二逻辑单元的第一有源图案分离的第一分离结构；以及第一分离结构上的第二分离结构。第一分离结构的宽度大于栅极间距。
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