制造半导体薄膜装置的方法
    73.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115461840A

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202180031541.9

    申请日:2021-03-17

    Abstract: 本公开涉及一种制造薄膜装置(100)的方法。将多级纳米压印光刻模板(20)转移到薄膜堆叠部中,该薄膜堆叠部包括电极层(11)和对电极层进行覆盖的遮盖牺牲层(12)。对模板进行转移,从而对装置(100)进行图案化,并且使电极的预定的绝缘区域(A2)暴露,同时保留牺牲层的剩余部分(12a),牺牲层的剩余部分覆盖电极的预定的电接触区域(A1)。执行区域选择性ALD工艺,以用覆盖层选择性地覆盖电极层的暴露区域。在移除牺牲层(12)的剩余部分(12a)之后,使电极层(11)的电接触区域(A1)暴露以进行后续处理。

    亚半透明光伏器件及其制造方法
    75.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115004380A

    公开(公告)日:2022-09-02

    申请号:CN202080093479.1

    申请日:2020-12-18

    Abstract: 公开了一种亚半透明光伏器件(1),该亚半透明光伏器件具有半透明衬底(10),该半透明衬底具有被空间分布的开口(11o)中断的光伏堆叠部(11),该空间分布的开口填充有半透明聚合物(13a)。还公开了一种制造该器件的方法。该方法包括:‑在该衬底(10)的第一侧(10a)处提供(S1)光伏堆叠部(11);‑从堆叠部去除(S2)空间分布的区域中的材料,从而在这些区域中形成开口(11o);‑在具有光伏堆叠部(11)的衬底上覆盖式地沉积(S3)保护层(12);‑在保护层(12)上覆盖式地沉积(S4)用于半透明聚合物的可辐射固化前体层(13);‑从与衬底的第一侧(10a)相对的第二侧(10b)对衬底(10)进行照射(S5),从而由此对空间分布的开口(11o)内部和前面的可辐射固化前体进行选择性地固化,可辐射固化前体随后被转化为所述半透明聚合物(13a);‑将可辐射固化前体层的未固化的剩余部分(13b)去除(S6)。

    区域选择性原子层沉积方法及工具

    公开(公告)号:CN114729445A

    公开(公告)日:2022-07-08

    申请号:CN202080078814.0

    申请日:2020-11-12

    Abstract: 本发明涉及一种原子层沉积装置,用于将目标材料层区域选择性地沉积在衬底表面的沉积区域上,该衬底表面还包括非沉积区域。在使用中,衬底沿着多个沉积空间和隔离剂空间传送,所述多个沉积空间和隔离剂空间包括至少两个气体隔离剂空间,所述气体隔离剂空间至少提供有隔离剂气体入口和隔离剂排放部,用于在使用中使衬底暴露于隔离剂气流。其中所述气体隔离剂空间中的至少一个形成组合的隔离剂‑抑制剂气流,所述组合的隔离剂‑抑制剂气流包括隔离剂气体和抑制剂成分。所述抑制剂成分选择性地粘附到所述非沉积区域以形成抑制层,减少前体成分的吸附。在优选的实施方式中,该装置包括回蚀刻空间,以增加沉积工艺的选择性。

    用于生物质的水热处理的反应器

    公开(公告)号:CN114364457A

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN202080058712.2

    申请日:2020-08-20

    Abstract: 本发明涉及一种反应器和用于水热处理水性混合物如含水生物质的方法。根据本发明的反应器包括(31)用于接收水性混合物的入口,(32)管状反应器内部,其以1‑45°范围内的角度倾斜;(33)反应器内部(32)中的第一区,其包括用于加热水性混合物的装置(5);(34)反应器内部(32)中的第二区,其用于将水性混合物保持在预定温度下;(35)反应器内部(32)中的第三区,其用于冷却水性混合物;(38)用于排放经水热处理的水性混合物的出口,和(43)用于排放气体的出口,其中入口(31)和出口(43)位于反应器的顶部并且出口(38)位于反应器的底部。反应器的倾斜性质确保从液体流出物中有效地去除所有气体,并且在该过程期间形成的CO2用于改善水热处理的功效。

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