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公开(公告)号：CN117099040A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202280022353.4
申请日：2022-01-14
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G02F1/1337
Abstract: 本发明提供一种取向膜形成材料，其提供透射状态下的透光率高、高分子液晶层与基材的密合性高的取向膜。一种取向膜形成材料，其特征在于，含有下述的(A)成分和(B)成分。(A)成分：具有羧基和下述式(S)所示的结构的聚合物成分(A)。其中，构成上述聚合物成分(A)的聚合物为选自由聚酰亚胺前体、作为其酰亚胺化物的聚酰亚胺、以及具有聚合性不饱和键的单体的聚合物构成的组中的至少一种聚合物(A)。(B)成分：分子内具有至少一个环氧基和一个具有聚合性不饱和键的基团，上述环氧基与上述具有聚合性不饱和键的基团经由具有碳原子数4～20的亚烷基的二价有机基团连结而成的、分子量2000以下的化合物(B)。(X和J如说明书所定义。)*‑X‑J(S)。
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公开(公告)号：CN117083697A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202280025525.3
申请日：2022-03-24
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种层叠体，其特征在于，具有：半导体基板、透光性的支承基板、以及设于所述半导体基板与所述支承基板之间的粘接层和剥离层，所述层叠体用于：在所述剥离层吸收了从所述支承基板侧照射的光后所述半导体基板与所述支承基板剥离，所述剥离层是由剥离剂组合物形成的层，所述剥离剂组合物含有具有第一结构和作为第二结构的硅氧烷结构的化合物，所述第一结构是吸收所述光的结构，并且通过吸收所述光而有助于所述半导体基板与所述支承基板变得容易剥离。
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公开(公告)号：CN110546569B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN201880027076.X
申请日：2018-04-27
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供在曝光时作为防反射膜起作用，并且可以埋入狭窄空间和高长宽比的凹部，进一步相对于过氧化氢水溶液的耐性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含树脂、下述式(1a)或式(1b)所示的化合物、和溶剂，相对于上述树脂，含有0.01质量％～60质量％的上述式(1a)或式(1b)所示的化合物。(式中，X表示羰基或亚甲基，l和m各自独立地表示满足3≤l+m≤10的关系式的整数0～5，n表示整数2～5。)#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117043679A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280022136.5
申请日：2022-03-18
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11
Abstract: 提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、和使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其在包含杂环的聚合物的重复单元结构中或末端具有被保护基取代了的碱性的有机基，并进一步包含溶剂。上述聚合物可以含有包含碳原子数2～10的烯基的杂环。上述聚合物可以在主链具有下述式(3)所示的至少1种结构单元。(在式(3)中，A1、A2、A3、A4、A5和A6各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，Q1表示包含杂环的2价有机基，m1和m2各自独立地表示0或1。)#imgabs0#
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117015582A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202280022122.3
申请日：2022-03-29
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09D201/06
Abstract: 提供剥离层形成用组合物，其包含：(A)具有羟基或羧基的树脂、(B)光致产酸剂、(C)选自具有用羟基烷基和/或烷氧基甲基取代的氮原子的化合物中的交联剂、(D)包含由下述式(a)表示的重复单元、由下述式(b)表示的重复单元和由下述式(c)表示的重复单元的高分子添加剂、和(E)溶剂，相对于(A)具有羟基或羧基的树脂100质量份，包含5～100质量份的(D)高分子添加剂。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN111108441B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201880061324.2
申请日：2018-09-19
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G59/14 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 含有具有下述式(1)所表示的结构单元的树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物提供了耐溶剂性、光学参数、干蚀刻速度、和埋入性这些特性都优异的抗蚀剂下层膜。式(1)中，R1表示可以夹着羧基的C1～6烷基、可以具有羟基取代基的C1～6烷基或可以具有C1～4烷硫基取代基的噻二唑基，R2表示氢原子或下述式(2)所示基团，式(2)中，R1的含义与上述相同，＊表示键合部分。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN111095107B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201880059291.8
申请日：2018-09-12
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G8/28 , C09D163/00 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供形成具有对图案的填充性和平坦化性的被膜的高低差基板被覆组合物。解决手段是一种高低差基板被覆组合物，是包含下述主剂和溶剂且能够通过光照射而固化的组合物、或能够通过在光照射过程中或者在光照射后在30℃～300℃下加热而固化的高低差基板被覆组合物，上述主剂包含下述化合物(A)、化合物(B)、或它们的混合物，化合物(A)为包含下述式(A‑1)或式(A‑2)的结构部分的化合物，化合物(B)为包含选自下述式(B‑1)～式(B‑5)所示的结构部分中的至少一个结构部分，或包含由式(B‑6)所示的结构部分与式(B‑7)所示的结构部分的组合构成的结构部分的化合物，或包含由式(B‑6)所示的结构部分与式(B‑8)所示的结构部分的组合构成的结构部分的化合物，该组合物的固体成分中上述主剂的含量为95质量％～100质量％。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN110192152B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201880006868.9
申请日：2018-01-09
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G12/34 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供兼具高蚀刻耐性、高耐热性和良好的涂布性的抗蚀剂下层膜形成用组合物、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜及其制造方法、抗蚀剂图案的形成方法、以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物、和作为溶剂的式(1)(式(1)中的R1、R2和R3各自表示氢原子、可以被氧原子、硫原子或酰胺键中断的碳原子数1～20的烷基，R1、R2和R3彼此可以相同也可以不同，可以彼此结合而形成环结构。)所示的化合物。将该组合物在可以具有高低差的半导体基板上进行涂布、烧成而形成抗蚀剂下层膜，在该抗蚀剂下层膜上任意选择地经由无机抗蚀剂下层膜而形成抗蚀剂膜，通过光或电子射线的照射与显影来形成抗蚀剂图案，按照抗蚀剂图案对下层膜等进行蚀刻，按照被图案化了的下层膜对半导体基板进行加工来制造半导体装置。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN116964118A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202280020520.1
申请日：2022-02-28
Applicant: 日产化学株式会社
Inventor： 胁田健吾
IPC: C08F290/06
Abstract: 本发明提供能形成以高特性水平兼顾耐久特性和滑动性，并且在假定实际使用的基础上兼备高拒液特性的硬涂层的、没有悬浮物和沉淀物的均质的固化性组合物。本发明提供一种固化性组合物，其包含：(a)一个分子中具有两个以上(甲基)丙烯酰基的活性能量射线固化性多官能单体100质量份；(b)仅在包含聚(氧化全氟亚烷)基的分子链的单末端经由聚(氧亚烷)基而具有活性能量射线聚合性基团，且重均分子量为1500至3500的全氟聚醚0.05质量份至2质量份；以及(c)利用活性能量射线产生自由基的聚合引发剂1质量份至20质量份。
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