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公开(公告)号：CN102322584A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110269255.4
申请日：2011-09-13
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心 , 莎益博设计系统商贸(上海)有限公司
IPC: F21S2/00 , F21V19/00 , F21V29/00 , F21Y101/02
Abstract: 一种采用COB封装技术的超薄LED面光源，属照明领域。其设置一带有侧立边框状结构的灯具壳体；在两个对应的侧立边，设置LED灯条模块容纳槽；在各LED灯条模块容纳槽中，设置一个COB封装LED灯条模块；在框状结构灯具壳体所容纳/包含的空间内，嵌入/设置一个导光板；所述的框状结构灯具壳体、COB封装LED灯条模块和导光板，组合成一个LED面光源。其采用一体化的COB多芯片封装技术，很好地将器件的封装形式和灯具壳体结合起来，实现芯片直接导热到基板再到灯壳的导热路径，热阻明显减小，可达到更好的散热效果，更有效地降低器件结温，延长灯具的使用寿命，通过发光芯片的单列芯片的排列方式，其LED面光源灯具的厚度尺寸可大大减小。可广泛用于各种室内、外照明领域。
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公开(公告)号：CN101509145B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200910046585.X
申请日：2009-02-24
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 中国科学院上海光学精密机械研究所 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: C30B29/38 , C30B29/40 , C30B25/18 , H01L21/205
Abstract: 一种在铝酸锂(302)面衬底上生长非极性a(11-20)面GaN薄膜的方法，在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统中，在铝酸锂(LiAlO2)(302)面衬底上，在N2保护下，升温到800-950℃，在氮气气氛下生长低温保护层，低温保护层反应室压力为150-500torr，三甲基镓(TMGa)流量为1-50sccm，对应于摩尔流量：4E-6mole/min-3E-4mole/min；然后降低压力至100-300torr，升温到1000-1100℃在氮气气氛下继续生长非掺杂氮化镓(U-GaN)层，TMGa流量为10-150sccm，对应于摩尔流量：4E-5mol/min-7.5E-4mole/min；然后再升温到1050-1150℃，在氢气气氛下生长高温U-GaN约1um，TMGa流量为20-200sccm，对应于摩尔流量：8E-5mol/min-1E-3mole/min。本发明的创新点在于根据铝酸锂(302)面衬底的特点，设计了一套新的外延工艺，使得所生长的外延薄膜具有更高质量、更具有实用性。
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公开(公告)号：CN101958251A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910055074.4
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L21/428 , H01L21/20 , B23K26/36
Abstract: 本发明涉及一种在铝酸锂晶片上制备图形衬底的方法，包括：提供铝酸锂晶片；用飞秒激光沿平行的方向多次扫描所述铝酸锂晶片的表面，形成多个平行的沟槽，得到铝酸锂晶片图形衬底。与现有技术相比，本发明采用飞秒激光在铝酸锂晶片上刻蚀图形衬底，通过改变飞秒激光的聚焦功率，可以调整沟槽的深宽比，与湿法或干法刻蚀相比，操作简单，更易获得较大深宽比的图形衬底。
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公开(公告)号：CN101956235A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910055073.X
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 本发明提供一种掺铁铝酸锂晶体的制备方法，包括：将氧化铝、碳酸锂和氧化铁作为原料混合后压块得到成型体，烧结所述成型体；加热所述烧结后的成型体得到熔体，将籽晶与所述熔体接触，用提拉法生长掺铁铝酸锂晶体。按照本发明提供的方法，将所述几种原料混合后压块得到成型体烧结后，再用提拉法可以制得大尺寸、透明完整的掺铁铝酸锂晶体。测试结果表明，按照本发明制备的掺铁铝酸锂晶体具有较好的热稳定性和化学稳定性。
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公开(公告)号：CN101509144B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200910046584.5
申请日：2009-02-24
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 中国科学院上海光学精密机械研究所 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: C30B29/38 , C30B29/40 , C30B25/18 , H01L21/205
Abstract: 一种提高铝酸锂(302)面衬底上非极性a(11-20)面GaN薄膜质量的方法，在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统中，在铝酸锂(LiAlO2)(302)面衬底上，在N2保护下，升温到800-950℃，在氮气气氛下生长低温保护层，低温保护层反应室压力为150-500torr，三甲基镓(TMGa)流量为1-50sccm，对应于摩尔流量：4E-6mole/min-3E-4mole/min；然后降低压力至100-300torr，升温到1000-1100℃在氮气气氛下继续生长非掺杂氮化镓(U-GaN)层，TMGa流量为10-150sccm，对应于摩尔流量：4E-5mol/min-7.5E-4mole/min；接着关闭TMGa的流量计，通入硅烷(SiH4)或者二茂镁(Cp2Mg)，生长一层SiNx或者Mg3N2阻挡层，厚度为1-100nm，然后再升温到1050-1150℃，在氢气气氛下生长高温U-GaN约1um，TMGa流量为20-200sccm，对应于摩尔流量：8E-5mol/min-1E-3mole/min。通过生长低温保护层，保护铝酸锂衬底不被高温破坏，而高温U-GaN的目的是提高薄膜质量，改善表面平整度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101717923A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910200280.X
申请日：2009-12-10
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 中国科学院上海光学精密机械研究所 , 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 本发明公开了一种非极性GaN薄膜及其制备方法。该薄膜包括：LiAlO2衬底以及在该衬底上依次生长的低温保护层、U-AlGaN层和高温U-GaN层。其制备方法包括如下步骤：步骤一，生长低温保护层：在MOCVD系统中，以LiAlO2(100)面做衬底，在N2保护下，升温到800-950℃；切换到氢气气氛生长低温保护层U-GaN，反应室压力为150-500torr，TMGa流量为1-50sccm；步骤二，生长U-AlGaN层：降低反应室压力至100-300torr，升温到1000-1100℃，生长U-AlGaN层，TMGa流量为10-150sccm，TMAl的摩尔流量与TMGa流量之比为1/5-2；步骤三，生长高温U-GaN层：停止通入TMAl，继续生长U-GaN。本发明可以有效改善(100)面铝酸锂(LiAlO2)衬底上非极性m(10-10)面GaN薄膜的表面形貌，有利于提高器件的工作效率。
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公开(公告)号：CN101703356A
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200910198197.3
申请日：2009-11-03
Applicant: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
CPC classification number: Y02W10/37
Abstract: 本发明涉及了一种紫外饮水杯，它包含有一个杯盖，杯盖内底面上装有几个紫外发光二极管器件，通过导线依次串联安装在杯盖内的一个按钮开关、一个电池、一个驱动电路和一个弹性开关，杯盖外部附有防辐射粘附层。在杯盖盖在杯上时，弹性开关受压打开电源，在打开杯盖时，弹性开关靠弹性关闭电源，在发光二极管点亮时可以杀死杯壁、杯中水的细菌，提高饮水健康指数。
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公开(公告)号：CN101369621A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810040634.4
申请日：2008-07-16
Applicant: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种通过延伸电极减少出光遮挡提高出光效率的发光二极管芯片及其制作工艺，它包括：p型电极pad、n型电极pad、发光有源层、衬底和透明电流扩展层，在芯片四周有淀积的绝缘层至与发光有源层齐平，在芯片四周除n型电极pad附近外，绝缘层的上方有辅助电流扩展层，在辅助电流扩展层上制作p型金pad。本发明通过减少对出光的遮挡，从而达到提高发光二极管的出光效率。
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公开(公告)号：CN101345280A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810042185.7
申请日：2008-08-28
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 北京大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种GaN基发光二极管及其制造方法，利用有机金属气相沉积技术在衬底上生长出GaN半导体层，该层包括N型氮化镓层，发光区及P型氮化镓层；利用镀膜技术在半导体层上蒸镀一层透明导电层，该蒸镀厚度d为2000～4000，形成透明导电层，利用光刻及刻蚀技术进行局部刻蚀，使部分N型氮化镓层露出，步骤四，设计一张所需类光子晶体图形的光刻掩模版，用光刻胶形成掩模，对透明导电层进行蚀刻。该方法在现有技术的基础上，将透明导电层进行进一步加工，制造成具有类光子晶体的微结构，大大提高了发光二极管的出光效率，有效的提升了发光二极管的亮度。
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公开(公告)号：CN101343733A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810042187.6
申请日：2008-08-28
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 北京大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 一种用MOVCD生长氮化物外延层和氮化物发光二极管结构外延片的方法，它采用MOCVD技术，利用高纯NH3做N源，高纯H2或N2做载气，三甲基镓(TMGa)或三乙基镓(TEGa)和三甲基铟(TMIn)和三甲基铝(TMAl)分别做Ga源和In源和Al源；衬底为蓝宝石(Al2O3)；该方法包括在MOCVD反应室中把蓝宝石衬底加热到500℃，在H2气氛下，通入三甲基镓(TMGa)生长一GaN层，在高温(～1200℃)H2气氛下，GaN和衬底表层的蓝宝石(Al2O3)发生反应，可以更好地清除蓝宝石表面的损伤层及其表面的污染，也可以在蓝宝石表面腐蚀出纳米量级的微坑，这些微坑对改善外延层的质量有好处，更重要的是可以增加LED的出光效率。
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