公开(公告)号：CN102792447B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201080047545.8

申请日：2010-09-16

Applicant: 天空激光二极管有限公司

Inventor： 詹姆斯·W·拉林 ,  马修·施密特 ,  克里斯蒂安·埃尔萨斯

IPC: H01L29/15

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/028 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/227 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/4025

Abstract: 一种低压激光器件，所述低压激光器件具有为一种或多种选择波长的光发射而构造的有源区域。

公开(公告)号：CN105514157A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201610019754.0

申请日：2016-01-13

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 陈效双 ,  姚路驰 ,  王林 ,  胡伟达 ,  陆卫

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/15 ,  H01L29/205 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/122 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明公开了一种GaN基双异质结HEMT器件及其制作方法，其结构依次为：蓝宝石衬底上依次形成的GaN缓冲层、AlInN势垒层、GaN沟道层、AlGaN隔离层、AlGaN势垒层，AlGaN栅介质层，AlGaN栅介质层上形成的源极、栅极和漏极，以及源极和栅极之间形成的Si3N4源栅绝缘层、源极和漏极之间形成的Si3N4漏栅绝缘层。其特征是，在传统GaN HEMT器件的GaN缓冲层和GaN沟道层之间加入一层AlInN势垒层，利用AlInN材料的压电极化性质降低器件的电流崩塌效应，并形成AlGaN/GaN/AlInN量子阱结构，进一步提高了对二维电子气的束缚力，从而降低电流坍塌效应。

公开(公告)号：CN104781938A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201380043629.8

申请日：2013-06-12

Applicant: 帝维拉公司

Inventor： 因德拉尼尔·德 ,  F·马丘卡

IPC: H01L33/00 ,  H01L29/15 ,  H01L33/04

CPC classification number: C30B1/02 ,  C30B23/005 ,  C30B23/025 ,  C30B25/165 ,  C30B25/183 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403 ,  C30B29/52

Abstract: 一种多层基底结构，其包括基底、形成于基底上的热匹配层以及在热匹配层之上的晶格匹配层。热匹配层包括钼、钼-铜、多铝红柱石、蓝宝石、石墨、铝-氮氧化物、硅、碳化硅、锌氧化物和稀土氧化物中的至少一个。晶格匹配层包括第一化学元素和第二化学元素以形成合金。第一化学元素和第二化学元素具有类似的晶体结构和化学性质。热匹配层的热膨胀系数以及晶格匹配层的晶格参数均约定于第III-V族化合物半导体的成员的热膨胀系数和晶格参数。晶格匹配层的晶格常数约等于第III-V族化合物半导体的成员的晶格常数。晶格匹配层和热匹配层可利用横向控制遮板来沉积在基底上。

公开(公告)号：CN103208514A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201210028179.2

申请日：2012-01-14

Applicant: 朱江 ,  盛况

Inventor： 朱江 ,  盛况

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/15 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明了一种含有金属的半导体装置，通过金属改变半导体材料原有的能级分布，从而改变半导体材料电特性；本发明还涉及含有金属的半导体装置的制备方法；本发明的半导体装置是制造半导体器件和集成电路的基本结构。

公开(公告)号：CN102859695A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180020720.9

申请日：2011-04-15

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 三好实人 ,  角谷茂明 ,  市村干也 ,  前原宗太 ,  田中光浩

IPC: H01L29/06 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/15 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/155 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种将硅基板作为基底基板，无裂纹且耐电压性优良的外延基板。将在（111）取向的单晶Si基底基板上，以使（0001）结晶面与基板面大致平行的方式形成III族氮化物层组的外延基板，以如下方式形成。该外延基板具有：缓冲层，其具有多个通过交替层叠由AlN构成的第一组分层和由AlxGa1-xN（0≦x＜1）构成的第二组分层而形成的组分调制层；形成在缓冲层上的结晶层；将第一组分层和第二组分层的层叠数分别设为n，并将从基底基板侧开始的第i个第二组分层的x的值设为x（i）时，以满足x（1）≧x（2）≧···≧x（n-1）≧x（n），且x（1）＞x（n）的方式形成，使得各第二组分层相对于第一组分层形成共格状态。

公开(公告)号：CN101473442B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200780022925.4

申请日：2007-06-19

Applicant: SSSCIP有限公司

Inventor： 迈克尔·S·马佐拉

IPC: H01L29/15

Abstract: 一种半绝缘外延层的制造方法，该方法包括向衬底或形成在衬底上的第一外延层注入硼离子，以在该衬底的表面上或在该第一外延层的表面上形成注入硼的区域，以及在该衬底的注入硼的区域上或在该第一外延层的注入硼的区域上生长第二外延层，以形成半绝缘外延层。

公开(公告)号：CN102479806A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201010553535.3

申请日：2010-11-22

Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司

Inventor： 肖胜安 ,  韩峰

IPC: H01L29/15 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种超级结半导体器件，在N+硅基板上具有交替排列的P型和N型半导体薄层结构，其中：P型杂质浓度在沿沟槽方向是变化的，在接近P/N薄层上表面的部分的杂质浓度高于电荷平衡时所需的P型杂质的浓度，接近P/N薄层下表面的部分的杂质浓度低于电荷平衡时所需的P型杂质的浓度；接近P/N薄层下表面的部分的最大浓度变化梯度大于接近P/N薄层上表面的部分的最大浓度变化梯度。本发明还公开了一种超级结半导体器件的制作方法。本发明能够提高器件反向击穿电压的均匀性和器件的可靠性。

公开(公告)号：CN102479800A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201010555561.X

申请日：2010-11-23

Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司

Inventor： 金锋 ,  胡晓明

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/15 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明公开了一种超级结器件的终端保护结构，包括电流流动区和终端保护结构，终端保护结构环绕于电流流动区四周。终端保护结构的角区域呈环形结构。在各角区域附件的电流流动区的第一沟槽的末端设置有垂直的第三沟槽。最内侧的终端保护结构的第二沟槽和各第一沟槽、第三沟槽都相隔一段距离。本发明能大大改善器件的所有沟槽的均匀度、使器件的所有沟槽符合硅外延生长填充工艺要求、从而能够提高器件的良率，还能大大改善各沟槽间的间距的均匀性、使得整个器件的每个区域N型离子和P型离子的平衡优化达到一致，避免出现局部低耐压，从而能提高器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN101438415B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200780016287.5

申请日：2007-05-03

Applicant: 梅尔斯科技公司

Inventor： 斯考特·A·克瑞普斯 ,  K·V·拉奥

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/15 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/28273 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/155 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

Abstract: 半导体器件，可以包括半导体衬底(21)和至少一个非易失性存储单元。所述至少一个存储单元可以包括以定距离间隔的源极和漏极区(26，27)，以及超晶格沟道(25)，该超晶格沟道(25)包括源极和漏极区之间的半导体衬底上的多个堆叠层组。超晶格沟道的每个层组可以包括限定基底半导体部分及其上的能带改性层的多个堆叠基底半导体单层，所述能带改性层可以包括限制在相邻基底半导体衬底部分的晶格内的至少一个非半导体单层。浮置栅极(37)可以与超晶格沟道相邻，控制栅极(39)可以与第二栅极(38)绝缘层相邻。

公开(公告)号：CN101821861A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200780101059.8

申请日：2007-10-12

Applicant: 新加坡科技研究局

Inventor： 苏周明 ,  蔡树仁 ,  刘伟 ,  藤京华

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15 ,  H01L29/15

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L27/153 ,  H01L33/08 ,  H01L33/32

Abstract: 提供了一种用于发光二极管的多量子阱(MQW)结构以及用于制造用于发光二极管的MQW结构的方法。该MQW结构包括多个量子阱结构，每个量子阱结构包括：势垒层；以及形成于势垒层上的阱层，所述阱层中嵌有量子点纳米结构，势垒层和阱层包括第一基于金属氮化物的材料；其中，量子阱结构中的至少一个还包括形成于阱层上的盖层，该盖层包括第二基于金属氮化物的材料，所述第二基于金属氮化物的材料具有与第一基于金属氮化物的材料不同的金属元素。