公开(公告)号：CN115312563A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202210910284.2

申请日：2022-07-29

Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司 ,  国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 ,  青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司 ,  青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司 ,  西安电子科技大学

Inventor： 高鹏 ,  宋志成 ,  郭永刚 ,  刘大伟 ,  张春福 ,  倪玉凤 ,  张敏 ,  杨超 ,  刘建达 ,  张博

IPC: H01L27/30 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明公开了一种基于金属网格互联的两端式叠层太阳能电池，其包括钙钛矿底电池、金属网格互联层和有机顶电池；所述金属网格互联层沉积形成在所述钙钛矿底电池上，所述有机顶电池键合结合在所述金属网格互联层上。其制备方法包括：分别制备获得所述钙钛矿底电池和所述有机顶电池；在所述钙钛矿底电池上沉积形成所述金属网格互联层；将所述有机顶电池键合在所述金属网格互联层上并采用固化胶固化连接。本发明以机械堆叠的方式，将钙钛矿电池和有机电池堆叠形成两端叠层太阳电池，顶电池和底电池之间能够有效地进行电学串联和光学耦合，并且降低叠层电池的制备工艺难度。

公开(公告)号：CN115206956A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210780761.8

申请日：2022-07-04

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 朱卫东 ,  王天然 ,  张春福 ,  陈大正 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L25/16 ,  H01L31/028 ,  H01L31/04 ,  H01L51/42 ,  H01L21/60 ,  H01L23/492

Abstract: 本发明公开了一种碳纳米管互联的钙钛矿/晶硅两端机械叠层太阳电池及其制备方法，该机械叠层太阳电池包括晶硅底电池、碳纳米管互联层以及钙钛矿顶电池；其中，碳纳米管互联层通过机械堆叠的键合方式实现钙钛矿顶电池和晶硅底电池的电学互联与光学耦合，以形成机械叠层太阳电池。本发明采用机械堆叠的键和方式，利用碳纳米管互联层实现钙钛矿顶电池和晶硅底电池的电学互联与光学耦合，避免了在晶硅晶硅电池上进行额外的工艺，极大地减少了对于晶硅电池的效率损伤，为提高叠层电池效率提供了理想途径；此外，本发明采用碳纳米管作为互联层，使得晶硅电池与钙钛矿太阳电池键合得更加紧密，削弱了由于晶硅电池表面的微米级起伏造成的电流损失。

公开(公告)号：CN115101614A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210623194.5

申请日：2022-06-02

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 朱卫东 ,  巴延双 ,  张春福 ,  陈大正 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L31/043 ,  H01L31/05 ,  H01L31/18 ,  H01L51/42 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明公开了一种MXene互联层的钙钛矿/GaAs两端机械叠层太阳电池及其制备方法，包括：钙钛矿太阳电池、GaAs太阳电池和MXene互联层；钙钛矿太阳电池包括自下而上分布的ITO衬底、SnO2电子传输层、钙钛矿光活性层、Spiro空穴传输层、MoOx传输缓冲层、IZO导电层和Ag电极，ITO衬底的第一表面包括阴极；互联层位于Ag电极远离ITO衬底的一侧，GaAs太阳电池位于互联层远离ITO衬底的一侧，且GaAs太阳电池包括阳极。本发明采用机械堆叠的方式实现钙钛矿顶电池与GaAs底电池大的电学互联与光学耦合，极大地减少了GaAs太阳电池的效率损伤，有利于提高叠层电池的效率。此外，采用MXene材料作为互联层，使得GaAs太阳电池与钙钛矿太阳电池键合得更加紧密，降低了叠层电池的光学、电学寄生损失。

公开(公告)号：CN111628078B

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202010487655.1

申请日：2020-06-02

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 陈大正 ,  张春福 ,  田百川 ,  庞商政 ,  朱卫东 ,  樊刚 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明公开了一种基于二维和三维钙钛矿复合结构突触晶体管及其制作方法，主要解决现有二端钙钛矿突触器件模拟突触行为不准确的问题，其自下而上，包括玻璃衬底(1)、透明氧化物栅电极(2)、钙钛矿区(3)、源电极(4)、漏电极(5)和封装保护层(6)。该离子介质层采用三维钙钛矿材料，导电沟道层采用二维钙钛矿材料；利用三维钙钛矿材料中离子迁移形成的电场以调制二维钙钛矿材料中的载流子输运；器件栅极模拟突触前膜作输入端；器件源漏模拟突触后膜以读取突触后电流，本发明能同时调节载流子输运和栅控两个过程，实现对源漏电流的调控，提升突触晶体管对突触行为模拟的准确性，可用于模拟人类神经突触，构建神经网络系统。

公开(公告)号：CN111785776B

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202010683643.6

申请日：2020-07-16

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 周弘 ,  燕庆龙 ,  张进成 ,  张春福 ,  许晟瑞 ,  郝跃

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种垂直结构Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，主要解决现有同类器件源漏之间因热扩散产生泄漏电流的问题。其实现为：在清洗后的外延片上淀积SiO2；通过光刻，刻蚀去除部分SiO2，形成待退火区；将刻蚀完成的外延片放入O2环境中退火；之后用HF洗掉剩余的SiO2；在源极区域下方进行浅结的N++Si离子注入并退火；再通过ALD生长Al2O3栅介质；通过光刻刻蚀去掉源极区域Al2O3；光刻形成源极和漏极区域，蒸发源漏电极金属并退火，形成欧姆接触；光刻形成栅极区域并蒸发栅电极金属，完成器件制作。本发明能实现源漏区域的电学隔离，提高了击穿电压和电流，可用于制作氧化镓大功率器件。

公开(公告)号：CN109950142B

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN201910224900.7

申请日：2019-03-24

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张春福 ,  张家祺 ,  武毅畅 ,  陈大正 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L21/18

Abstract: 本发明公开了一种无需助粘剂的高效率和保真度的瞬态胶带转印法，主要解决现有基于PDMS的转印技术转印效率低、保真度低、操作难度大的问题。其实现方案是：1)在SOI基片上制备单晶硅薄膜；2)在单晶硅薄膜上制备光刻胶锚点，并对SOI基片的埋氧化层进行刻蚀；3)取用瞬态胶带拾取SOI基片上的单晶硅薄膜；4)将带有单晶硅薄膜的瞬态胶带与接收衬底耦合；5)将耦合后的体系放入丙酮溶液中浸泡后再捞出吹干去除其胶带溶解的残留物，完成高效率、高保真度的转印。本发明改变了传统的转印方式，增强了转印技术的可靠性，降低了工艺难度和成本，具有更高的转印效率与保真度，可用于异质集成芯片制作。

公开(公告)号：CN113921613A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202111179513.X

申请日：2021-10-09

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 冯倩 ,  王正兴 ,  蔡云匆 ,  田旭升 ,  张春福 ,  周弘 ,  张进成

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种浮栅的高压Ga2O3MOSFET的器件及制作方法，主要解决现有MOSFET器件击穿电压小的问题。其自下而上包括衬底、缓冲层、外延层，外延层的上方分布着一层钝化层，钝化层左右两侧分别是源电极和漏电极，中间是栅介质层，栅介质层的上方是栅电极；该栅介质层为高k介质层/电荷存储层/高k介质层的多层复合结构；该栅电极是由一个控制栅和多个浮栅组成。本发明通过多层复合栅介质层结构，并给靠近控制栅一端的浮栅到靠近漏极一端的浮栅施加逐渐减小的正向脉冲电压，不仅使得沟道电场分布均匀，抑制了沟道尖峰电场强度，提高了器件的击穿电压，还降低了制作成本和难度，可用于功率器件和高压开关器件。

公开(公告)号：CN113764540A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110090914.1

申请日：2021-01-22

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 朱卫东 ,  张泽阳 ,  张春福 ,  郝跃

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/102 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明涉及一种具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法及结构，本制备方法包括：对第一FTO衬底预处理得到第二FTO衬底；在第二FTO衬底的部分上表面旋涂TiO2溶液得到TiO2电子传输层；在TiO2电子传输层的上表面旋涂PbBr2溶液得到PbBr2层；在PbBr2层的上表面旋涂PMMA溶液得到PMMA超薄隔阻层；在PMMA超薄隔阻层的上表面旋涂PbCl2溶液得到第一基底；对第一基底进行加热得到第二基底；在第二基底的上表面旋涂CsBr溶液得到第三基底；在第三基底的上表面淀积碳浆得到阳极碳电极，以制备具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池。本太阳能电池中的CsPbBr3层和CsPbBrCl2层具有不同的禁带宽度，可提高钙钛矿太阳能电池的光电转换效率，极大的抑制了光生载流子间的复合，有利于载流子的提取和传输。

公开(公告)号：CN113555422A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202110803580.8

申请日：2021-07-14

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 冯倩 ,  蔡云匆 ,  王正兴 ,  田旭升 ,  张春福 ,  周弘 ,  张进成

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/24 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种基于超临界CO2处理的Ga2O3MOSFET器件及制作方法，主要解决现有器件漏电流和亚阈值摆幅大的问题。其技术特征是：将现有Ga2O3MOSFET器件结构中的绝缘栅介质层，采用SiO2、Al2O3、HfO2和ZrO2中的一种或多种，并对制备完成后的器件进行超临界二氧化碳处理，即将器件置于超临界设备腔室，向室内放入去离子水或异丙醇，密封后再充入CO2，并将设备升温至118‑122℃，升压至19‑21Mpa，保持超临界状态1‑2h，再将设备温度降至室温，压强降至大气压后取出器件。本发明减小了漏电流和亚阈值摆幅、增大了载流子迁移率，提高了稳定性，可用于制作高性能的Ga2O3器件。

公开(公告)号：CN111223925A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201911178761.5

申请日：2019-11-27

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 赵胜雷 ,  刘爽 ,  张进成 ,  张苇杭 ,  张雅超 ,  张春福 ,  周弘 ,  毛维 ,  郝跃

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/15 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种基于AlN/GaN超晶格沟的双向阻断功率器件，主要解决现有技术击穿电压较低，电子迁移率低的问题。其自下而上包括衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、合金层(4)、势垒层(5)和帽层(6)，该帽层的两侧上方设有源极(7)和漏极(8)，帽层的中间上部设有栅极(9)；栅极分别与源极和漏极之间为钝化层(10)；该合金层(4)采用由AlN与GaN交替分布的AlGaN超晶格沟道结构。本发明改善了生长晶体的质量，增加了沟道电子的迁移率和击穿特性，降低了器件的导通电阻，提升了击穿电压，可用于高压下的高功率转换开关。