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公开(公告)号：CN112133756A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202011067740.9
申请日：2020-10-07
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种基于T型栅结构的PN结栅控氧化镓场效应晶体管，主要解决目前n型氧化镓场效应晶体管击穿电压较低、泄漏电流较大且不易关断的问题。其自下而上包括：衬底、n‑Ga2O3层，n‑Ga2O3层内部的两边设有离子注入区；n‑Ga2O3层上部的两端设有源电极和漏电极，靠近源电极的区域设有T型栅；n‑Ga2O3层与T型栅之间设有p型NiO薄膜层，该薄膜与n‑Ga2O3层构成p‑n结；该T型栅分别与源电极和漏电极间的n‑Ga2O3层之上设有Al2O3层，在Al2O3层上设有SiN钝化层。本发明提高了器件的击穿电压，减小了泄漏电流，可用于制备高耐压、低功耗的常关型氧化镓器件。
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公开(公告)号：CN111785776A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010683643.6
申请日：2020-07-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/24 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，主要解决现有同类器件源漏之间因热扩散产生泄漏电流的问题。其实现为：在清洗后的外延片上淀积SiO2；通过光刻，刻蚀去除部分SiO2，形成待退火区；将刻蚀完成的外延片放入O2环境中退火；之后用HF洗掉剩余的SiO2；在源极区域下方进行浅结的N++Si离子注入并退火；再通过ALD生长Al2O3栅介质；通过光刻刻蚀去掉源极区域Al2O3；光刻形成源极和漏极区域，蒸发源漏电极金属并退火，形成欧姆接触；光刻形成栅极区域并蒸发栅电极金属，完成器件制作。本发明能实现源漏区域的电学隔离，提高了击穿电压和电流，可用于制作氧化镓大功率器件。
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公开(公告)号：CN111785776B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202010683643.6
申请日：2020-07-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/24 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，主要解决现有同类器件源漏之间因热扩散产生泄漏电流的问题。其实现为：在清洗后的外延片上淀积SiO2；通过光刻，刻蚀去除部分SiO2，形成待退火区；将刻蚀完成的外延片放入O2环境中退火；之后用HF洗掉剩余的SiO2；在源极区域下方进行浅结的N++Si离子注入并退火；再通过ALD生长Al2O3栅介质；通过光刻刻蚀去掉源极区域Al2O3；光刻形成源极和漏极区域，蒸发源漏电极金属并退火，形成欧姆接触；光刻形成栅极区域并蒸发栅电极金属，完成器件制作。本发明能实现源漏区域的电学隔离，提高了击穿电压和电流，可用于制作氧化镓大功率器件。
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公开(公告)号：CN114171584A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111498547.5
申请日：2021-12-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/267 , H01L29/80 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种基于Ga2O3的异质结场效应晶体管，主要解决现有氧化镓基器件实际功率优值较低、功率损耗大的问题。其自下而上包括：源电极S、衬底层，漂移层和漏、栅电极，其中，衬底层采用厚度为500um～700um，浓度为1×1018～5×1018cm‑3的N型高掺β‑Ga2O3材料；漂移层采用厚度为5um～7um，浓度为1.5×1016～1×1017cm‑3的N型低掺β‑Ga2O3材料；该N型低掺β‑Ga2O3漂移层的两端分别设有P型NiO层，其与N型低掺β‑Ga2O3漂移层构成异质PN结。本发明提升了器件的击穿电压，增加器件功率优值，降低器件的功率损耗，可用于制备大功率增强型氧化镓器件。
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