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公开(公告)号:CN108699425A
公开(公告)日:2018-10-23
申请号:CN201680079331.6
申请日:2016-12-16
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09K3/14 , B24B37/00 , C09G1/02 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/044 , B24B37/00 , C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/304 , H01L21/30625
Abstract: 提供能实现具有平滑性和低缺陷性的被研磨面的研磨用组合物。研磨用组合物含有满足条件(A)及(B)的水溶性高分子。条件(A):在包含平均一次粒径35nm的二氧化硅、水溶性高分子、氨、及水、且二氧化硅的浓度为0.48质量%、水溶性高分子的浓度为0.0125质量%、pH为10.0的第一标准液中,吸附于二氧化硅的水溶性高分子的量相对于第一标准液中含有的水溶性高分子的总量的比率即吸附率为10%以上。条件(B):在包含平均一次粒径35nm的二氧化硅、水溶性高分子、氨、及水、且二氧化硅的浓度为0.48质量%、水溶性高分子的浓度为0.0125质量%、pH为10.4的第二标准液中,吸附于二氧化硅的水溶性高分子的量相对于第二标准液中含有的水溶性高分子的总量的比率即吸附率为65%以下。
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公开(公告)号:CN105593330B
公开(公告)日:2018-06-19
申请号:CN201480053941.X
申请日:2014-09-22
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: C09K3/1463 , B24B37/00 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09G1/04 , C09K3/1436 , H01L21/02024 , H01L21/02052
Abstract: 本发明提供一种能够有效地减少表面缺陷的研磨用组合物。根据本发明,可提供包含水溶性高分子MC‑end的研磨用组合物。前述水溶性高分子MC‑end的主链包含作为主构成区域的非阳离子性区域和位于该主链的至少一个端部的阳离子性区域。前述阳离子性区域具有至少一个阳离子性基团。
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公开(公告)号:CN103890114B
公开(公告)日:2015-08-26
申请号:CN201280051935.1
申请日:2012-10-09
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/304 , B24B37/00
CPC classification number: B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/02024 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨用组合物,其特征在于,其为含有磨粒、水溶性高分子、聚集抑制剂和水的研磨用组合物,在将前述研磨用组合物中存在的颗粒的平均粒径设为R1、将使前述磨粒分散在水中而使得与前述研磨用组合物中的磨粒的浓度相同时的磨粒的平均粒径设为R2的情况下,R1/R2为1.3以下。该研磨用组合物主要在研磨硅基板的表面的用途中使用。
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公开(公告)号:CN103890114A
公开(公告)日:2014-06-25
申请号:CN201280051935.1
申请日:2012-10-09
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/304 , B24B37/00
CPC classification number: B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/02024 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨用组合物,其特征在于,其为含有磨粒、水溶性高分子、聚集抑制剂和水的研磨用组合物,在将前述研磨用组合物中存在的颗粒的平均粒径设为R1、将使前述磨粒分散在水中而使得与前述研磨用组合物中的磨粒的浓度相同时的磨粒的平均粒径设为R2的情况下,R1/R2为1.3以下。该研磨用组合物主要在研磨硅基板的表面的用途中使用。
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