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公开(公告)号：CN111730924A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010595071.6
申请日：2020-06-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种具有梯度孔径结构的太赫兹吸波材料，属于太赫兹吸波技术领域。所述吸波材料包括三层三维石墨烯/PDMS复合材料，最上面一层的三维石墨烯的孔径范围为100～120μm，中间的三维石墨烯的孔径范围为50～70μm，最下面一层的三维石墨烯的孔径范围为20～40μm。本发明太赫兹吸波材料具有极强的宽带太赫兹波吸收特性，在0.2-1.2THz的超宽带频谱范围内的平均吸收率高达到93％以上；极薄的厚度，每一层的厚度控制在1mm以内，则该太赫兹吸波材料的总厚度在3mm以内，这远优于现有太赫兹吸收泡沫材料；极好的可弯曲、可拉伸和机械弹性等柔性特征；原料价格低廉，制备方法简单，可以实现大面积制备。
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公开(公告)号：CN109856821A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910240257.7
申请日：2019-03-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于柔性铋纳米柱/石墨烯的太赫兹波调制器及制备方法，属于太赫兹波应用技术领域。所述太赫兹波调制器自下而上依次为柔性基底、铋纳米柱、石墨烯薄膜，位于铋纳米柱之上的石墨烯薄膜因为铋纳米柱的结构作用发生褶皱，从而打开石墨烯能带，通过铋纳米柱与石墨烯两者的共同作用，在红外光激励下实现了对太赫兹波的光学调制。本发明太赫兹波调制器中，采用“PDMS/铋纳米柱/石墨烯薄膜”结构，与现有硅基器件相比，其太赫兹波透射率可达90％(硅基器件太赫兹波透射率约为60％左右)；该结构可打开石墨烯能带，大幅提高光吸收系数；通过铋纳米柱和打开能带的石墨烯共同作用，可在太赫兹波透射率较高的情况下达到20％左右的调制深度。
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公开(公告)号：CN107192989A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710443474.7
申请日：2017-06-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及微波射频技术领域，提供一种微波射频接收机,包括接收天线、微波放大电路、逆自旋霍尔异质结构检波器件、电控电磁铁、微伏电压放大电路及采样电路；微波放大电路对射频微波频段电磁波信号进行增益放大；电控电磁铁设置在可控电流控制电路中，电控电磁铁提供偏置磁场；逆自旋霍尔异质结构检波器件利用电控电磁铁提供的偏置磁场进行磁场选频，并对微波放大电路输出的微波信号进行处理；微伏电压放大电路对逆自旋霍尔异质结构检波器件产生的电压进行信号放大处理；采样电路对微伏电压放大电路输出的电压信号进行采样处理，该微波射频接收机结构简单，体积较小，不存在镜频干扰的问题，可以实现快速宽带扫描。
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公开(公告)号：CN107190321A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710331977.5
申请日：2017-05-11
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: C30B29/24 , C30B19/00 , C30B25/02 , C30B29/02 , H01L43/10 , H01P3/00 , H01Q1/38
Abstract: 一种非互易自旋波异质结波导材料，包括GGG单晶基片；以及YIG/石墨烯异质结材料，所述YIG/石墨烯异质结材料通过在所述GGG单晶基片表面生长一YIG薄膜、并将单层石墨烯转移到所述YIG薄膜烘干处理形成。本发明同时提供了非互易自旋波异质结波导材料的制备方法和用途。本发明制得的YIG/石墨烯异质结薄膜相对于单一YIG薄膜上下表面传输的自旋波具有显著的非互易性，即YIG/石墨烯异质结材料的上下表面传播的自旋波幅值和峰位均发生了显著改变。
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公开(公告)号：CN106990284A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710322407.X
申请日：2017-05-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R21/08
CPC classification number: G01R21/08
Abstract: 本发明涉及微波电子设备技术领域，提供一种基于自旋泵浦效应的微波功率探测器及其制备方法，该基于自旋泵浦效应的微波功率探测器包括微纳尺度器件，该微纳尺度器件包括由磁性薄膜层和非磁性重金属薄膜层组成的异质结构，非磁性重金属薄膜层是在磁性薄膜层上生长所得；微纳尺度器件的磁性薄膜层磁矩在微波激励下发生铁磁共振拉莫尔进动，自旋泵浦产生自旋流注入到非磁性重金属薄膜层中，在逆自旋霍尔电压的测试过程中，逆自旋霍尔电压的磁场积分数值与微波功率的数值满足一定线性关系，该探测器结构简单，降低探测器制作成本，测试频率范围宽，测试微波功率的线性度高，应用范围广。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106935946A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710145289.X
申请日：2017-03-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电磁功能器件技术领域，提供一种基于超材料的可调谐太赫兹滤波器，采用4层复合结构，包括从下往上依次层叠的高阻硅衬底层、第一聚酰亚胺支撑层、第一超材料层、第二聚酰亚胺支撑层、第二超材料层、第三聚酰亚胺支撑层、第三超材料层与第四聚酰亚胺支撑层；每层超材料层结构相同，均由若干个金属人工结构单元周期性排列构成，金属人工结构单元呈正方形。本发明太赫兹滤波器能够实现较窄的带宽、良好的选择性、损耗低、较强的带外抑制和带内透射，同时可调谐；该滤波器可实现中心频率介于0.3‑3THz之间，3d B带宽≥15％，带内传输系数≥80％，带外抑制≤‑25dB。
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公开(公告)号：CN106785475A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611243901.9
申请日：2016-12-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01Q17/00
CPC classification number: H01Q17/00
Abstract: 本发明属于电磁功能材料技术领域，具体提供一种基于硅纳米针的太赫兹波宽带吸收材料，用以克服现有太赫兹波吸收器件吸收带宽窄、制作工艺复杂、器件稳定性差、制备成本高昂的缺陷；本发明太赫兹波宽带吸收材料包括硅纳米针阵列和硅衬底两部分，所述硅纳米针阵列由均匀分布于硅衬底上的若干个硅纳米针构成，硅纳米针垂直设置于硅衬底表面；所述硅纳米针阵列和硅衬底为同一材料，均采用n型或p型重掺杂半导体硅、其电阻率≤0.1Ω·cm。通过该硅纳米针阵列结构制作的太赫兹波吸收材料，结构简单，在0.2THz～1.2THz范围内，对太赫兹波的吸收率高达90％；采用简易金属辅助的化学刻蚀方法制备，制备工艺简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN106338355A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610676116.6
申请日：2016-08-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种石墨烯表面黏着力与摩擦力的测试方法，属于石墨烯领域。测试方法包括以下步骤：将石墨烯转移至测试基底，使石墨烯覆盖形成于测试基底表面的沟槽，得到测试样品。以石墨烯覆盖沟槽的区域为待测区域，对待测区域进行黏着力与摩擦力测试。该方法克服了测试基底对石墨烯摩擦及黏着特性的影响，可直接测量单层和多层石墨烯的摩擦及黏着特性。
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公开(公告)号：CN105892103A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610223600.3
申请日：2016-04-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/015 , H01L29/78 , H01L29/16 , H01L21/762
CPC classification number: G02F1/015 , G02F2203/13 , H01L21/7624 , H01L29/1606 , H01L29/78
Abstract: 本发明属于太赫兹功能器件技术领域，提供一种SOI衬底石墨烯晶体管太赫兹波双频点选频调制器及其制备方法。该SOI衬底石墨烯晶体管太赫兹波双频点选频调制器，包括衬底，衬底上表面依次设置的Al2O3栅介质层、石墨烯薄膜，以及源电极、漏电极?双频点超材料结构谐振单元组、栅电极；所述衬底为SOI衬底；所述源电极、漏电极?双频点超材料结构谐振单元组设置于石墨烯导电薄膜上，漏电极?双频点超材料结构谐振单元组用于实现双频点调制；所述栅电极为环形栅电极、设置于衬底上表面。本发明SOI衬底石墨烯晶体管太赫兹波双频点选频调制器能够有效降低调制器损耗，减小调制器工作电压，并且可实现调制器双频点的选频应用。
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公开(公告)号：CN105609960A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201610055964.5
申请日：2016-01-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种带背腔结构的平面螺旋天线，属于微波器件领域。包括输入输出端口、指数渐变巴伦、平面螺旋天线、介质板和金属背腔，所述指数渐变巴伦包括平衡端和非平衡端，所述平衡端连接平面螺旋天线的两臂，所述非平衡端连接输入输出端口，所述指数渐变巴伦由金属背腔包裹；其特征在于，所述金属背腔为阶梯状结构，阶梯由平衡端到非平衡端方向上呈上升趋势。本发明平面螺旋天线采用新型的阶梯状背腔结构，实现了8-18GHz的宽带范围内驻波比小于1.45，具有较好的抗干扰能力，改善了平面螺旋天线的性能。
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