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公开(公告)号：CN108833366A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810509339.2
申请日：2018-05-24
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H04J3/0635 , H04L69/04
Abstract: 本发明公开了一种基于AS6802协议的控制帧压缩方法，主要解决现有技术压缩速度慢导致时间触发以太网与待同步设备不能同步的问题，其实现方案是：1)时间触发以太网系统端口接收同步协议控制PCF帧，并提取其端口号；2)解析同步协议控制PCF帧的数据域，对该PCF帧进行筛选，并将筛选后得到的PCF帧进行固化运算获取固化时间点；3)对固化时间点预整合得到固化完成信号到达时间点一致的成员向量；4)采集固化时间点并进行压缩运算，得到压缩时间点，并转发给各待同步设备。本发明通过对接收到的同步协议控制PCF帧的预整合，提高了压缩速率和系统时钟同步可靠性，可用于时间触发以太网系统与待同步设备间的时钟同步。
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公开(公告)号：CN108650312A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810413955.8
申请日：2018-05-03
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04L29/08 , H04L12/953 , H04L12/951 , H04L1/00
CPC classification number: H04L69/324 , H04L1/0061 , H04L49/9057
Abstract: 本发明公开了一种支持实时数据抢占的MAC IP核装置及数据传输方法，解决了现有以太网数据传输过程中实时数据传输延迟较高的问题。其装置包括：支持抢占MAC模块(1)、实时数据帧介质访问控制模块(2)、非实时数据帧介质访问控制模块(3)和介质访问控制模块(4)。支持抢占MAC模块与介质访问控制模块连接，以开启或者关闭抢占功能；实时数据帧介质访问控制模块与介质访问控制模块连接，以优先传输实时数据；非实时数据帧介质访问控制模块与介质访问控制模块连接，以传输非实时数据。本发明提高了交换机的工作效率，降低了实时数据的传输时延，可用于高速低延迟交换网络。
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公开(公告)号：CN107948094A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201710983144.7
申请日：2017-10-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04L12/863
Abstract: 本发明公开一种数据帧无冲突入队处理的装置及方法，其装置包括CPU模块、入队调度模块、冲突检测模块、队列信息管理模块、缓存管理模块、接收总线模块和缓存区模块。方法包括：读取申请入队帧请求，进行门限仲裁，为满足要求的数据帧分配空闲缓存地址，由接收总线将数据帧搬移到缓存区对应地址中；根据冲突检测队首信息更新冲突情况，确定是否提前更新队首信息，以及根据队列长度信息更新冲突情况，修正队列长度更新值，完成数据帧的入队处理。本发明支持数据帧并行入队出队处理情况下，解决了队列信息更新冲突问题，提高了数据帧入队处理速度。
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公开(公告)号：CN107819539A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201711143817.4
申请日：2017-11-17
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H04J3/0638 , H04L7/0016 , H04L69/02
Abstract: 本发明公开了一种实现时间触发以太网端系统的装置及方法，本发明基于以太网技术，通过增加时间同步和时间触发的功能，实现了能够传输时间触发数据和事件触发数据的时间触发以太网端系统。本发明装置的专用协议处理模块，能够更方便的处理管理数据。本发明装置的发送处理模块，能够保证数据传输过程中的可靠性和网络的稳健性。本发明的方法通过采用精确时钟同步协议IEEE 1588，降低了在硬件上实现时间同步的难度，具有更高的时间同步稳定度和同步精度。
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公开(公告)号：CN118868635A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410936628.6
申请日：2024-07-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种带集成电感臂的半桥双谐振变换器，通过升降压混合调制技术控制开关管的脉冲电压实现降压模式、临界模式和升压模式；其中，当开关频率等于谐振频率时，变换器处于临界模式；当开关频率高于谐振频率时，可通过不同的开关控制策略实现升降压功能，即通过非重叠的开关脉冲控制信号使变换器工作在降压模式，通过重叠的开关脉冲控制信号使变换器工作在升压模式；这样可以实现宽增益的升降压功能，拓扑实现了软开关特性从而实现较高的转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116706875A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310525242.1
申请日：2023-05-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02J3/00 , H02J3/28 , H02J3/32 , H02J3/38 , G06Q10/0637 , G06Q10/067 , G06Q50/06 , G06N3/126
Abstract: 本发明公开了一种电力市场环境下的光储系统运行优化方法，基于所述光储系统的运行模型、约束条件和目标函数，构建了以光储系统成本最小化为目标函数优化调度模型，并采用遗传算法‑极限学习机算法实现光储系统在基于双边拍卖的电力市场中交易结果的预测，进而将该预测模型集成到光储系统的优化调度模型中，得到光储系统的最优运行策略。本发明具有以下有益效果：(1)、本发明考虑了电力市场环境下的光储系统的最优运行问题，有效实现了光储系统内部的最优经济调度，并高效参与了外部电力市场；(2)、构建了一种基于数据驱动的电力市场预测模型，对光储系统参与电力市场的交易结果进行精准预测；(3)、将基于GA‑ELM的市场预测模型集成到光储系统的运行成本最小化问题中，实现了运行策略和交易策略的联合优化。
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公开(公告)号：CN112687681B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202011593040.3
申请日：2020-12-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/07 , H01L29/08 , H01L29/739
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有集成NMOS管的LIGBT器件。本发明主要特征在于：在P+集电区附近引入一个N+集电区，并在集电区上方集成了NMOS管，该MOS管通过一层绝缘介质与下方的集电区隔离开，一端与集电极P+短接，另一端通过导电材料与集电极N+短接。新器件在反向导通时，集成NMOS管为电流提供了通路，新器件具有更好的反向恢复特性。在正向导通时，本发明通过提高集成NMOS管中P型沟道区的浓度提高阈值电压并防止该MOS管的穿通，即可有效抑制snapback效应。在器件关断时，集成NMOS管为电子抽取提供了路径，使新器件具有更小的关断时间和更低的关断损耗。本发明的有益效果为，相比于传统LIGBT，本发明可实现反向导通的功能且关断损耗更低。
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公开(公告)号：CN111933711B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202010831004.X
申请日：2020-08-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种集成了SBD的超结MOSFET。本发明相对与传统结构，具有以下几个特点：一、器件采用双槽结构，分别为槽栅结构和肖特基槽型结构，肖特基槽型结构的槽侧壁引入肖特基接触，能够有效节省版图面积和增大续流能力；二、双槽下方引入横向伸长的P型屏蔽层对双槽进行保护，可以抑制集成肖特基二极管的反向泄漏电流，并避免肖特基接触和槽栅底部提前击穿，有效提高击穿电压；三、漂移区采用了超结结构，有效地克服了P型屏蔽层带来的小电流能力问题。本发明的有益效果为，相对于传统集成SBD的SiC MOSFET结构，本发明能够节省版图面积、增强续流能力和抑制体二极管开启能力，同时具有更低的导通压降和更高的击穿电压。
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公开(公告)号：CN113078211B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110317460.7
申请日：2021-03-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L27/12
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种集成MOS自适应控制SOI LIGBT。本发明的主要特征在于：在SOI LIGBT阴极侧集成2个MOS管，且通过氧化隔离槽互相隔离。MOS管通过电气连接可实现自适应控制SOI LIGBT。正向导通时，集成MOS自适应控制SOI LIGBT寄生二极管开启，增强电导调制效应，降低器件导通压降，增加器件饱和电流；短路状态下，集成MOS自适应控制SOI LIGBT寄生二极管截止，抑制闩锁效应，提高器件的抗短路能力。本发明的有益效果为，相对于传统SOI LIGBT结构，本发明具有更低的导通压降、更高的饱和电流以及更长的短路耐受时间。
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公开(公告)号：CN108763121B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201810398739.0
申请日：2018-04-28
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种TTE端系统适配卡PCIe控制器的中断操作方法，用于解决现有技术因主机发起读中断造成数据因适配卡缓存空间不足而溢出丢失的问题。其技术方案是：1)请求读、写数据；2)周期性地向PCIe总线控制器请求读、写数据；3)PCIe总线控制器产生中断时序并配置读、写缓存寄存器；4)PCIe驱动识别中断类型并决定搬移数据量；5)PCIe驱动配置读、写相关寄存器并启动直接内存访问操作完成数据搬移，结束直接内存访问操作。本发明通过适配卡发起直接内存访问读、写操作，实现流量控制，本发明利用适配卡主动发出中断，提高了端系统时间精度，可用于时间触发以太网TTE端系统适配卡中的中断模块设计。
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