一种基于HXDSP1042处理器的浮点复数FIR优化方法

    公开(公告)号:CN111273889A

    公开(公告)日:2020-06-12

    申请号:CN202010043946.1

    申请日:2020-01-15

    Inventor: 苏涛 朱晨曦 张丽

    Abstract: 本发明属于信号处理技术领域,具体涉及一种基于HXDSP1042处理器的浮点复数FIR优化方法,包括:设定浮点复数FIR的函数接口,根据HXDSP1042处理器的寄存器传参规则确定函数接口中每个函数参数对应的传参寄存器;根据每个函数参数对应的传ss参寄存器分别得到输入序列、滤波器序列、输出序列的首地址及输入序列、滤波器序列、输出序列对应的长度;对HXDSP1042处理器进行压栈保护得到压栈保护后的HXDSP1042处理器;根据输入序列、滤波器序列、输出序列对应的长度得到循环控制变量;根据循环变量对输入序列和滤波器序列进行卷积操作得到输出序列,并将输出序列存入输出序列的首地址;对压栈保护后的HXDSP1042处理器进行复位操作。具有处理性能高,应用范围广的有益效果。

    金属颗粒抗氧化层等离子体制备技术

    公开(公告)号:CN110102751A

    公开(公告)日:2019-08-09

    申请号:CN201910313155.3

    申请日:2019-04-18

    Abstract: 本发明涉及金属颗粒抗氧化层等离子体制备技术,具体过程为:将金属颗粒在空气中高温氧化得到前驱体材料;将前驱体材料经等离子体处理,形成厚度为200~600nm的稳定附着在金属颗粒表面的高温抗氧化梯度陶瓷结构;其中,等离子体处理的气压为50~150Pa,温度为500~900℃,功率为300~500W,单次反应时间为20s~60s,间隔时间为20~40s,反应次数为20~40次。本发明形成的梯度陶瓷层可有效减小FSA与氧化气氛之间的传输通道,提高FSA的抗氧化和抗腐蚀性能;与传统的抗氧化涂层相比,原位生长的梯度陶瓷与金属颗粒具有较高的结合强度,使得耐高温抗氧化层与基体热膨胀系数匹配性大大提升。

    一种耐高温红外低发射率材料的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN109972107A

    公开(公告)日:2019-07-05

    申请号:CN201910266642.9

    申请日:2019-04-03

    Abstract: 本发明属于红外隐身技术领域,具体是涉及一种耐高温红外低发射率材料的制备方法及其应用。本发明把在航天结构、传感器、制动器等微电子系统中电极的Zrb2薄膜材料,将其作为耐高温的红外低发射率薄膜,应用于武器装备、航空航天飞行器。本发明方法具有工艺简单,操作简易,成本低廉,薄膜性能优异。最终制备的薄膜材料在3~5um波段红外发射率低于0.2,在8~14um波段红外发射率低于0.1;Zrb2薄膜材料其特殊的晶体结构,兼具陶瓷类材料和金属类材料的优点于一体,具备高强度和弹性模量以及良好的物化稳定性;其熔点超过3000℃,可在低于1000℃环境下稳定工作,作为高超音速飞行器的红外隐身材料。

    一种吸波多层薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN106244991B

    公开(公告)日:2018-11-13

    申请号:CN201610729646.2

    申请日:2016-08-26

    Abstract: 本发明涉及磁性材料制备领域,特别涉及一种吸波多层薄膜及其制备方法。该吸波多层薄膜为制备于衬底上的多层薄膜,从下至上分为三个部分,依次为衬底、中间层和顶层。中间层是由n个单元从下至上依次依次堆叠而成,n≥1,单元是下层共振吸收频率为f1的磁性层和上层是隔离层的双层单元结构,最终依次堆叠为f1‑fn共计2n层的中间层。顶层是由均匀排布的相同条形FeCo基合金磁性薄膜组合而成,条形薄膜的数量≥2。f1‑fn的磁性层的共振吸收频率相同和/或不同。本发明将吸波多层薄膜的吸收频带有效拓宽,并且不局限于材料本身的吸收频率,且有效的将材料的吸收频带拓宽至高频,可用于噪声抑制器,传输线等器件中。

    一种宽频带吸波磁性薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN105845435B

    公开(公告)日:2018-05-18

    申请号:CN201610341269.5

    申请日:2016-05-23

    Abstract: 本发明属于磁性材料制备技术领域,特别是涉及一种宽频带吸波磁性薄膜及其制备方法。该宽频带吸波磁性薄膜为制备于衬底上呈周期性排列的薄膜,基本单元是由2个以上不同宽度的条形薄膜构成,条形薄膜宽度是1μm‑30μm,相邻条形薄膜间的间隙宽度为1μm‑10μm,厚度为20‑200nm。其排列周期为基本单元沿条形薄膜的短轴方向依次排列,材料为铁钴基合金材料。本发明将具有相同宽度条形间隙的不同宽度的条形薄膜组合,通过间隙阻断薄膜间的耦合作用,使不同条形薄膜对应的共振峰能够有效的叠加在一起,达到展宽薄膜共振频带的目的。本发明制备的宽频带吸波磁性薄膜具有高频,宽频带吸波性能,制备过程简单易实施,成本低。

    PMOS四相电流源开关驱动电路

    公开(公告)号:CN104113315B

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201410336320.4

    申请日:2014-07-15

    Abstract: 本发明公开了一种PMOS四相电流源开关驱动电路,主要解决现有PMOS四相电流源的开关驱动信号同步性较差的问题。其包括信号产生电路、一级锁存电路、二级锁存电路、通路控制电路、交叉点调整电路;信号产生电路产生四相开关信号;一级锁存电路及二级锁存电路对该四相开关信号依次作两次延迟;通路控制电路利用四相开关信号及其二次延迟信号产生通路控制信号输出给交叉点调整电路;交叉点调整电路利用通路控制信号对一次延迟的四相开关信号进行调整,并将该调整后的信号输出至外部的PMOS四相电流源。本发明提高了开关驱动信号的同步性,降低了四相开关信号的交叉点,可用于数模转换器集成电路的制作。

    一种宽带数字接收机及其实时频谱处理方法

    公开(公告)号:CN103973324B

    公开(公告)日:2016-11-23

    申请号:CN201410154881.2

    申请日:2014-04-17

    Abstract: 本发明属于数字信号处理领域,特别涉及一种宽带数字接收机,目的是为了解决现有数字接收机实时频谱处理带宽较窄、频谱分辨率较低的问题。本发明提供一种宽带数字接收机,包括输入端及输出端,还包括第一滤波器组、模拟混频模块、第二滤波器组、模数转换模块、频谱变换模块及频谱变换模块。第一滤波器组分别与输入端及模拟混频模块连接,第二滤波器组分别与模拟混频模块及模数转换模块连接,时频变换模块分别与模数转换模块及频谱拼接模块连接,输出端与频谱拼接模块连接。本发明适用于电子侦察接收、实时频谱分析、雷达、通信等领域。

    半分布式无源可变衰减器
    69.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103427780B

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201310391024.X

    申请日:2013-08-31

    Abstract: 本发明公开了一种半分布式无源可变衰减器,包括0~7dB分布式衰减模块、8dB衰减模块、16dB衰减模块、输入控制转换模块,采用体端与源极相连结构、带有沟道并联电阻结构,以及堆叠结构的三种开关场效应晶体管作为控制开关,由五位数字信号独立控制工作,通过共面波导传输线进行相邻衰减模块间,以及与50Ω的输入和输出阻抗之间的匹配,工作频率范围为0~50GHz,以1dB长度步进在的0~31dB的衰减范围内,可实现共32种状态低差损低相移的信号幅度衰减。本发明具有差损低、附加相移小、线性度高、工作频段宽、电路结构简单的优点,可用于处理大功率信号的射频/微波系统。

    一种宽带数字接收机及其实时频谱处理方法

    公开(公告)号:CN103973324A

    公开(公告)日:2014-08-06

    申请号:CN201410154881.2

    申请日:2014-04-17

    Abstract: 本发明属于数字信号处理领域,特别涉及一种宽带数字接收机,目的是为了解决现有数字接收机实时频谱处理带宽较窄、频谱分辨率较低的问题。本发明提供一种宽带数字接收机,包括输入端及输出端,还包括第一滤波器组、模拟混频模块、第二滤波器组、模数转换模块、频谱变换模块及频谱变换模块。第一滤波器组分别与输入端及模拟混频模块连接,第二滤波器组分别与模拟混频模块及模数转换模块连接,时频变换模块分别与模数转换模块及频谱拼接模块连接,输出端与频谱拼接模块连接。本发明适用于电子侦察接收、实时频谱分析、雷达、通信等领域。

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