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公开(公告)号：CN103236498A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310145858.2
申请日：2013-04-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种非极性阻变存储器及其制备方法，包括导电衬底兼下电极、阻变存储介质、金属上电极。导电衬底材料为p+型硅片衬底，阻变存储介质薄膜为ZnMn2O4及其掺杂物，掺杂元素包括Y、Sc、Mg、Si、Sn和In，厚度为20nm到1200nm。金属上电极材料包括Al、Ag、Au、Cu、Ni、Pt和Ti，其厚度为50nm到200nm。本发明的优点是：同一种结构的阻变存储器同时具备双极性和单极性的存储特性。根据不同极性的阻变存储特性，可扩展阻变存储器的应用前景。
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公开(公告)号：CN113429205B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202110806711.8
申请日：2021-07-16
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C09K11/74
Abstract: 本发明提供了一种透明下转换光致发光陶瓷材料及其制备方法和应用，属于陶瓷材料技术领域。本发明提供的透明下转换光致发光陶瓷材料，化学式为0.94K0.5Na0.5NbO3‑0.06Sr(Bi0.5Nb0.5)O3,x％Ce，x＝0.1～0.4。本发明提供的陶瓷材料以K0.5Na0.5NbO3(KNN)铁电陶瓷为基体，固溶第二组元Sr(Bi0.5Nb0.5)O3后，使陶瓷材料具有透光性能；在此基础上掺杂稀土Ce，使陶瓷材料同时具有良好的透光性和下转换发光性能。本发明通过控制上述陶瓷材料中各种成分的含量，使所述陶瓷材料具有出色的透明和发光性能，是一种多功能光电陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN106587986B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201611201458.9
申请日：2016-12-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01G4/12 , C04B35/465 , C04B35/468 , C04B35/47 , C04B35/515
Abstract: 本发明公开了一种同时具备储能、应变及宽介电温区多功能共存的三元体系无铅陶瓷及其制备方法，所述多功能无铅陶瓷组份的化学通式可以用(1‑x)[(1‑y)BiAO3‑yMeTiO3]‑x(Bi0.5Na0.5)TiO3所表示。其中：A为Sc、Y、In中的一种或两种；Me为Ca、Sr、Ba中的一种或两种；x、y表示摩尔分数；0.05≤x≤0.30；0.50≤y≤0.80。这种多功能无铅陶瓷除了低污染外，还具备储能、应变及宽介电温区等多功能特性，相比于传统的多组分集成方式具有更好的质量和体积效率，是一种新型的智能性材料。
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公开(公告)号：CN107611277B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201710946831.1
申请日：2017-10-12
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于水溶液处理的氧化镧空穴注入层有机发光器件，所述器件的空穴注入层由水溶液处理的La2O3制备而成。另外，还公开了该器件的制备方法，所述方法至少包括如下步骤：（1）以硝酸镧六水合物和氨水为原料，采用共沉淀法制备La2O3纳米粉体颗粒；（2）将La2O3纳米粉体颗粒溶解在去离子水中，形成浓度为0.2wt％的La2O3悬浮液，然后对La2O3悬浮液过滤得到La2O3过滤液；（3）在ITO阳极玻璃基片上通过旋涂工艺旋涂La2O3过滤液形成La2O3薄膜，所述La2O3过滤液中的La浓度为0.01 mg/mL—0.03 mg/mL。本发明所述器件能有效的调节载流子的平衡，提高发光效率，同时器件的空穴注入层具有与MoOx空穴注入层几乎相当的空穴注入能力。
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公开(公告)号：CN107068884A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710218783.4
申请日：2017-04-05
Applicant: 桂林电子科技大学 , 电子科技大学中山学院
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/0037 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种高效率紫外有机电致发光器件及其制备方法。所述紫外有机电致发光器件至少包括空穴注入层，所述空穴注入层所用材料是掺杂了MoOx的PEDOT:PSS，其中x＝2～3。所述制备方法包括：将MoOx粉末溶解在纯水中，按质量百分比配置成浓度为0.1％～0.2％的MoOx水溶液，将该MoOx水溶液与PEDOT:PSS按质量比(1～3):(1～4)配成PEDOT:PSS+MoOx混合溶液，在ITO阳极上旋涂上述PEDOT:PSS+MoOx混合溶液制备空穴注入层。采用掺杂MoOx的PEDOT:PSS空穴注入层能有效提高空穴注入能力，增加发光层中的空穴数量，从而改善空穴‑电子的平衡性，提高紫外OLED器件的发光效率，同时器件的制备工艺简单，稳定性好，实用性广。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104987060B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201510344609.5
申请日：2015-06-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C23C14/34 , C23C14/08 , C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种具有骨架网络结构的氧化锌蒸镀靶材的制备方法：高温烧制获得微米级粉体，加入纳米级粉体、碎颗粒、氢氧化物浆料中的一种或者多种混合，再加入粘接剂压制成型，高温烧结后得到蒸镀靶材。本发明通过构建具有三维骨架网络的结构，实现对低密度蒸发材料的结构强化，所制备的氧化锌蒸镀材料具有较高的强度，抗热冲击性能好，彻底解决高能电子束轰击时开裂的问题。
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公开(公告)号：CN106129262A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610540845.9
申请日：2016-07-11
Applicant: 电子科技大学中山学院 , 桂林电子科技大学
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/0032 , H01L51/56 , H01L2251/303
Abstract: 本发明公开了一种具有双空穴注入层的紫外有机发光器件及其制备方法，所述方法包括：采用第一空穴注入层和第二空穴注入层叠接组成双空穴注入层，第一空穴注入层材料采用氧化石墨烯或PEDOT:PSS，第二空穴注入层材料采用WO3、MoO3或V2O5；在阳极层上采用旋涂工艺制备第一空穴注入层，在第一空穴注入层上采用真空热蒸镀工艺制备第二空穴注入层，在第二空穴注入层上叠接空穴传输层。本发明能有效地促进空穴的注入、增加发光层中空穴的数量，从而促进空穴‑电子的平衡性，提高紫外OLED器件的辐照度和发光效率，同时制备工艺简单。
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公开(公告)号：CN105552243A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610063484.3
申请日：2016-01-29
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: H01L51/5092 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种紫外有机发光器件及其制备方法。所述紫外有机发光器件包括电子注入层是厚度为1.5-6nm的LiF；所述制备方法包括：将衬底和阳极装入多源有机蒸镀室中，在真空度优于5×10-4Pa的条件下采用热蒸镀工艺在ITO阳极层上依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及厚度为1.5-6nm的LiF电子注入层。本发明利用厚绝缘层作为电子注入层，通过减少电子的注入，提高发光层中电子-空穴的平衡性，因而在达到同等数量的电子-空穴对数目时只需要更低的电流密度，增加了电子与空穴在发光层中复合的概率，产生高效率的近紫外光发射，提高了紫外OLED器件的发光效率和辐照度。
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公开(公告)号：CN103236497B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310145707.7
申请日：2013-04-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于钛酸铋材料的阻变存储器及其制备方法。阻变存储介质层为Bi4Ti3O12及其掺杂物，掺杂元素包括Nb、Ta、La、Sr、V、Nd、Ce、Sm、Ca和Pr，阻变介质层为薄膜形态。器件结构为衬底/下电极/阻变介质层/上电极，上、下电极材料为导电氧化物或金属，上、下电极的厚度为80nm到500nm，阻变介质层厚度为10nm到1000nm。整个存储器的制备使用磁控溅射方法。本发明的有益效果在于采用钛酸铋作为存储介质的阻变存储器具有较大的高低电阻比，有利于数字信息0和1的区分，降低了数据的写入和读取的误判。
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公开(公告)号：CN103219466B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201310154664.9
申请日：2013-04-28
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种有机阻变存储器及其制备方法，包括由下至上叠接的衬底、下电极、阻变层、上电极，其特征是：存储结构为阵列式结构，阻变层的有机阻变转换材料为聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）和聚醚酰亚胺（PEI）的共混物。制备时，先在衬底上制备条状下电极，然后涂覆有机阻变层膜，低温固化后，在阻变层膜的表面制备交叉的条状电极，形成阵列存储结构。本发明的优点是，该有机阻变存储器具有高的开关比，稳定的存储性能，极小的关态电流，较低的制备温度。
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