-
公开(公告)号：CN117699841A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311579483.0
申请日：2023-11-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C01F11/18
Abstract: 本发明公开了一种单分散纳米碳酸钙粉体的制备方法，所述制备方法是将氢氧化钙、醇基液体燃料和去离子水的混合液置于搅拌球磨罐中球磨，使氢氧化钙在球磨中不断地产生微溶解，同时按一定流速通入一定量的二氧化碳气体生成碳酸钙前驱物，随后将生成的碳酸钙粉体放入双内胆水热反应釜中，其中一个内胆放置碳酸钙前驱物，另一个内胆放置尿素，然后在一定温度下水热反应一定时间即获得80‑350nm的单分散纳米碳酸钙粉体。本发明具有原料价格低廉、工艺简单，安全高效，生态环保等优点，可实现规模化连续生产。
-
公开(公告)号：CN117265861A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311181786.7
申请日：2023-09-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: D06M11/38 , H01L33/50 , D06M13/144 , C08G73/02 , D01F6/76 , C09K11/06 , D06M101/30
Abstract: 本发明公开一种一维多色荧光纤维材料及其在LED中的应用，属于荧光材料技术领域。本发明的制备为：(1)在邻苯二胺溶液中加入HCl溶液，将所得溶液加入NaCl溶液中，充分混合，然后快速加入H2O2溶液，再次充分混合，经静置、离心、洗涤和干燥，得到纯净的聚邻苯二胺纤维；(2)将聚邻苯二胺纤维加入NaOH溶液或者乙醇溶液或者是二者的混合溶液中，充分混合并振荡，经洗涤，得到一维多色荧光纤维材料。本发明以双氧水作为氧化剂，将邻苯二胺氧化聚合为均匀的聚邻苯二胺纤维，然后通过OH‑/‑OH协同方案，成功实现荧光发射波长的可控调节。将材料应用于组装成LED后，可实现不同颜色的发光，这将有助于纳米电子学和纳米光子学的应用，拓展了多色光纤的研究领域。
-
公开(公告)号：CN115073165B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202210690327.0
申请日：2022-06-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种巨介电常数BaTiO3陶瓷及制备方法，所述BaTiO3陶瓷在结构中具有Vo··‑2Ti′Ti缺陷构型，所述制备方法包括：(1)将20‑200nm尺寸的BaTiO3粉体压制成陶瓷生坯；(2)在还原气氛的混合气体条件下烧结，所述混合气体由0.5‑5％的还原性气体和95‑99.5％的惰性气体组成；(3)在温度1150‑1400℃下烧结，保温时间0.5‑4小时。本发明提供了一种获得巨介电常数BaTiO3陶瓷材料的新方案。
-
公开(公告)号：CN115995349A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211706004.2
申请日：2022-12-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种MoS2/Co LDHs材料的制备方法及在超级电容器中的应用，本方法是通过一步共沉淀法在二硫化钼基体上原位生长金属氢氧化物，Co LDHs通过ZIF‑67制备方案改良合成，具有原子厚度、丰富氧空位和三维多孔结构层状，具有开放配位的边缘形成了更多的活性中心，同时提高了电子电导率。提供了大比表面积的多孔结构，进一步提高了复合材料的导电性能，并有效改善二硫化钼易团聚、易塌陷的缺陷。本发明方法操作简便有效，合成成本低，具有可观的商业价值。
-
公开(公告)号：CN115092949A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210785773.X
申请日：2022-07-06
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C01F11/18
Abstract: 本发明公开了一种电子级纳米碳酸钡粉体的制备方法，所述方法包括以下步骤：（1）取碳酸铵和氢氧化钡粉体按其摩尔量值比1:1‑1.5的比例均匀混合后倒入坩埚并置于微波烧结炉中。（2）微波烧结炉在4‑15min内加热到100‑450℃，保温5‑10min。本发明可以大幅提高良品率，产品纯度高达99.99％，稳定性强，粒径均匀，而且烧结时间大幅缩短，生产效率高，适合工业化生产。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115074666A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210659052.4
申请日：2022-06-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 一种多层复合ITO薄膜的制备方法，所述多层复合ITO薄膜包括以氩气为工作气体，在1Pa～2Pa的腔压环境，通过磁控溅射方式在一基片上溅射的一层ITO层；并以上述腔压环境，通过磁控溅射方式在ITO层上溅射的一层M层，其中M层为In含量≥In2O3中In含量的含In层；以及以上述腔压环境，通过磁控溅射方式在M层上溅射的另一层ITO层，其中对两层ITO层和M层的溅射满足所述M层具有8nm～16nm的厚度，并与两层ITO层具有200nm～600nm的总厚度，以保障多层复合ITO薄膜的透光性的同时降低所述多层复合ITO薄膜的片阻。
-
公开(公告)号：CN110190240B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN201910403614.7
申请日：2019-05-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01M4/04 , H01M4/131 , H01M4/1391 , H01M4/485 , H01M4/525 , H01G11/46 , H01G11/86 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供了一种复合型锂氧化物薄膜及其制备方法与应用。所述复合型锂氧化物薄膜的制备方法包括的步骤有：将锂氧化物靶材和能量密度贡献主体元素靶材在惰性气氛下进行共溅射处理，在基体上生长复合型锂氧化物薄膜。本发明复合型锂氧化物薄膜的制备方法将锂氧化物靶材和能量密度贡献主体元素靶材直接采用共溅射法沉积形成。使得生长的复合型锂氧化物薄膜具有界面电阻小的特性，而且可以减少固体电解质膜(SEI)的产生，减轻周期性体积变化的应力，保持锂离子嵌入/脱出过程中的结构稳定性。另外，所述制备方法有效保证生长的复合型锂氧化物薄膜化学性能稳定。
-
公开(公告)号：CN110098388B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201910255220.1
申请日：2019-04-01
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/48 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供了一种氧化硅复合材料及其制备方法与应用。所述氧化硅复合材料制备方法包括如下步骤：将硅粉和二氧化硅粉进行球磨混合处理，获得混合粉体；将所述混合粉体与次氯酸盐混合处理后，获得混合前驱体；将所述混合前驱体在含有氮源的气氛中进行梯度烧结处理，获得氧化硅复合材料。本发明氧化硅复合材料的制备方法制备的氧化硅复合材料具有良好的电子导电网络，从而提高了锂离子传导速率，改善了硅系负极材料的导电性，提高其结构稳定性和容量保持率。
-
公开(公告)号：CN110451949A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910720062.2
申请日：2019-08-06
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及低温烧结陶瓷技术领域，尤其涉及一种Bi2O3陶瓷的冷压烧结方法及冷压烧结装置，包括固定连接在一起的控制箱、进料装置和烧结装置，所述烧结装置包括机壳，所述机壳的上端面固定安装有上成型液压机，所述上成型液压机的主轴上固定安装有上模具芯，所述机壳的下端面于上成型液压机对应的位置固定安装有下成型液压机，所述下成型液压机的主轴上固定安装有下模具芯，所述机壳的侧壁上固定安装有安装台，所述安装台上可拆卸安装有模具，所述模具的外壁上安装有加热机构。本发明的一种Bi2O3陶瓷的冷压烧结方法及冷压烧结装置，可以实现高致密的Bi2O3陶瓷，所加工的Bi2O3陶瓷具有成品率高、表面清洁和具备工业化批量流水线制造的优点。
-
公开(公告)号：CN106854754B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201611166365.7
申请日：2016-12-16
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 一种400主峰晶面高度择优取向ITO薄膜的制备方法，其步骤包括：1）安装溅射靶材；2）清洗玻璃基片并安装；3)抽真空度至8×10‑4Pa以下；4）采用直流溅射制备ITO薄膜诱导层；5）生长400主峰晶面高度择优取向的ITO薄膜。本发明通过对基片温度、溅射气压、溅射功率等的控制先在玻璃基片上制备400主峰择优取向的ITO薄膜诱导层，然后再通过制备工艺参数的控制即可生长具有400主峰高度择择优的ITO薄膜。本发明采用同质诱导实现400主峰晶面高度择优取向ITO薄膜的制备，无需引入异质中间诱导层或经后续退火处理，具有工艺简单，易于实现工业化的特点，所制备的ITO薄膜具有高度400主峰晶面择优取向，光电性能优异。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
105
records
(took 0.027 seconds)
