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公开(公告)号：CN110783556A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910953935.4
申请日：2019-10-09
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01M4/38 , H01M4/62 , H01M4/134 , H01M10/0525 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供了一种三维复合结构的储能薄膜及其制备方法与应用。所述复合型三维结构薄膜的制备方法包括的步骤有：将硅靶材和导电锂离子载体金属靶材在惰性气氛下进行共溅射处理，在基体上生长三维复合型结构薄膜。本发明三维复合型结构薄膜的制备方法生长的三维复合型结构薄膜具有较多的接触界面且界面电阻小的特性，而且形成的界面可以吸收硅材料在在充电时形成的体积膨胀从而导致的在放点时形成的薄膜脱落，减轻周期性体积变化的应力，保持锂离子嵌入/脱出过程中的结构稳定性。另外，所述制备方法有效保证生长的复合型三维结构薄膜电化学性能稳定。
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公开(公告)号：CN110176586A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910408044.0
申请日：2019-05-15
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种复合型钛酸锂薄膜及其制备方法与应用。所述复合型钛酸锂薄膜的制备方法包括的步骤有：将钛酸锂靶材和能量密度贡献主体元素靶材在惰性气氛下进行共溅射处理，在基体上生长复合型钛酸锂薄膜。本发明复合型钛酸锂薄膜的制备方法将钛酸锂靶材和能量密度贡献主体元素靶材直接采用共溅射法沉积形成。使得生长的复合型钛酸锂薄膜具有丰富的通道结构，且结构稳定，可以提供高的锂离子传输速率，提供了良好的循环可逆性，保持了较高的比容量；同时有效阻止电解液与纳米级能量密度贡献主体元素的直接接触，可以减少和阻止电解液与能量密度贡献主体之间的不可逆副反应，减少固体电解质膜(SEI)的产生。
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公开(公告)号：CN110104677A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910255251.7
申请日：2019-04-01
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C01G23/00 , H01M4/36 , H01M4/485 , H01M4/60 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供了一种复合钛酸锂材料及其制备方法与应用。所述复合钛酸锂材料制备方法包括如下步骤：配制含有锂源、钛源和次氯酸盐的混合溶液；对所述混合溶液40～90℃并进行保温处理，再对所述混合溶液烘干处理后进行烧结处理，得到前驱体；将所述前驱体于惰性气氛中进行煅烧处理，后进行研磨处理，获得烧结粉体；将所述烧结粉体于含氮气氛中进行氮掺杂热处理，得到复合钛酸锂材料。本发明复合钛酸锂材料的制备方法利用氮取代了钛酸锂中的氧以及生成氮化的次氯酸盐改善材料的界面电导，使得锂离子传输通道更为通畅，利用氮化的钛酸锂提高所述复合钛酸锂材料表面的电子电导，提高所述复合钛酸锂材料中电子的传输速率。
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公开(公告)号：CN110104677B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201910255251.7
申请日：2019-04-01
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C01G23/00 , H01M4/36 , H01M4/485 , H01M4/60 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供了一种复合钛酸锂材料及其制备方法与应用。所述复合钛酸锂材料制备方法包括如下步骤：配制含有锂源、钛源和次氯酸盐的混合溶液；对所述混合溶液40～90℃并进行保温处理，再对所述混合溶液烘干处理后进行烧结处理，得到前驱体；将所述前驱体于惰性气氛中进行煅烧处理，后进行研磨处理，获得烧结粉体；将所述烧结粉体于含氮气氛中进行氮掺杂热处理，得到复合钛酸锂材料。本发明复合钛酸锂材料的制备方法利用氮取代了钛酸锂中的氧以及生成氮化的次氯酸盐改善材料的界面电导，使得锂离子传输通道更为通畅，利用氮化的钛酸锂提高所述复合钛酸锂材料表面的电子电导，提高所述复合钛酸锂材料中电子的传输速率。
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公开(公告)号：CN110797525A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201910954404.7
申请日：2019-10-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种保护型结构硅氧复合薄膜及其制备方法与应用。所述保护型结构硅氧复合薄膜的制备方法包括的步骤有：将硅靶材在惰性气体与氧气的混合气氛下进行溅射处理，在基体上生长硅氧复合薄膜，再在已有硅氧复合薄膜的基板上，将保护层材料靶材在惰性气氛下进行溅射处理。本发明制备的硅氧复合薄膜的硅氧复合薄膜具有界面电阻小的特性，而且可以减少和阻止电解液与硅氧复合之间的不可逆副反应，减少固体电解质膜的产生，保持锂离子嵌入/脱出过程中的结构稳定性。所述薄膜保护层结构及制备方法工艺简单，效果显著，既提高了硅氧薄膜的库伦效率和容量发挥，又增加了薄膜在循环过程中的结构稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110190240B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN201910403614.7
申请日：2019-05-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01M4/04 , H01M4/131 , H01M4/1391 , H01M4/485 , H01M4/525 , H01G11/46 , H01G11/86 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供了一种复合型锂氧化物薄膜及其制备方法与应用。所述复合型锂氧化物薄膜的制备方法包括的步骤有：将锂氧化物靶材和能量密度贡献主体元素靶材在惰性气氛下进行共溅射处理，在基体上生长复合型锂氧化物薄膜。本发明复合型锂氧化物薄膜的制备方法将锂氧化物靶材和能量密度贡献主体元素靶材直接采用共溅射法沉积形成。使得生长的复合型锂氧化物薄膜具有界面电阻小的特性，而且可以减少固体电解质膜(SEI)的产生，减轻周期性体积变化的应力，保持锂离子嵌入/脱出过程中的结构稳定性。另外，所述制备方法有效保证生长的复合型锂氧化物薄膜化学性能稳定。
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公开(公告)号：CN110783557A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910953941.X
申请日：2019-10-09
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01M4/38 , H01M4/62 , H01M4/134 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供了一种多孔结构硅氧复合薄膜及其制备方法与应用。所述多孔结构硅氧复合薄膜的制备方法包括的步骤有：将硅靶材在惰性气体与氧气的混合气氛下进行溅射处理，在基体上生长硅氧复合薄膜，并进行退火处理，得到硅和氧化硅的复合薄膜；用腐蚀剂对制备好的复合薄膜进行刻蚀处理，然后清洗和烘干之后即得到多孔结构硅氧复合薄膜。本发明制备的硅氧复合薄膜有大的比表面积、高的储能密度、较高的电导率、可以吸收硅氧复合薄膜在充放电时产生的体积膨胀，减轻周期性体积变化的应力，保持锂离子嵌入/脱出过程中的结构稳定性，保持高的可逆容量，比容量高。另外，所述制备方法工艺简单，设备依赖度低，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN110224118A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910408052.5
申请日：2019-05-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/50 , H01M4/505 , H01M10/0525 , H01M4/131 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01G11/30 , H01G11/46 , H01G11/86
Abstract: 本发明提供了一种复合型锰氧化合物薄膜及其制备方法与应用。所述复合型锰氧化合物薄膜的制备方法包括的步骤有：将锰氧化合物靶材和能量密度贡献主体元素靶材在惰性气氛下进行共溅射处理，在基体上生长复合型锰氧化合物薄膜。本发明复合型锰氧化合物薄膜的制备方法将锰氧化合物靶材和能量密度贡献主体元素靶材直接采用共溅射法沉积形成。使得生长的复合型锰氧化合物薄膜具有界面电阻小和比表面积大的特性，而且可以减少固体电解质膜(SEI)的产生，减轻周期性体积变化的应力，保持锂离子嵌入/脱出过程中的结构稳定性。另外，所述制备方法有效保证生长的复合型锰氧化合物薄膜化学性能稳定。
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公开(公告)号：CN110190240A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910403614.7
申请日：2019-05-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01M4/04 , H01M4/131 , H01M4/1391 , H01M4/485 , H01M4/525 , H01G11/46 , H01G11/86 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供了一种复合型锂氧化物薄膜及其制备方法与应用。所述复合型锂氧化物薄膜的制备方法包括的步骤有：将锂氧化物靶材和能量密度贡献主体元素靶材在惰性气氛下进行共溅射处理，在基体上生长复合型锂氧化物薄膜。本发明复合型锂氧化物薄膜的制备方法将锂氧化物靶材和能量密度贡献主体元素靶材直接采用共溅射法沉积形成。使得生长的复合型锂氧化物薄膜具有界面电阻小的特性，而且可以减少固体电解质膜(SEI)的产生，减轻周期性体积变化的应力，保持锂离子嵌入/脱出过程中的结构稳定性。另外，所述制备方法有效保证生长的复合型锂氧化物薄膜化学性能稳定。
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公开(公告)号：CN110112369A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910403620.2
申请日：2019-05-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01M4/1391 , H01M4/04 , H01M4/131 , H01M4/36 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01G11/86 , H01G11/46
Abstract: 本发明提供了一种复合型二氧化钛薄膜及其制备方法与应用。所述复合型二氧化钛薄膜的制备方法包括的步骤有：将二氧化钛靶材和能量密度贡献主体元素靶材在惰性气氛下进行共溅射处理，在基体上生长复合型二氧化钛薄膜。本发明复合型二氧化钛薄膜的制备方法将二氧化钛靶材和能量密度贡献主体元素靶材直接采用共溅射法沉积形成。使得生长的复合型二氧化钛薄膜具有界面电阻小的特性，而且可以减少和阻止电解液与能量密度贡献主体之间的不可逆副反应，减少固体电解质膜(SEI)的产生，减轻周期性体积变化的应力，保持锂离子嵌入/脱出过程中的结构稳定性。另外，所述制备方法有效保证生长的复合型二氧化钛薄膜化学性能稳定。
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