公开(公告)号：CN110783556A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910953935.4

申请日：2019-10-09

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 俞兆喆 ,  程燕 ,  魏堃 ,  李华成 ,  张国旗 ,  杨道国

IPC: H01M4/38 ,  H01M4/62 ,  H01M4/134 ,  H01M10/0525 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明提供了一种三维复合结构的储能薄膜及其制备方法与应用。所述复合型三维结构薄膜的制备方法包括的步骤有：将硅靶材和导电锂离子载体金属靶材在惰性气氛下进行共溅射处理，在基体上生长三维复合型结构薄膜。本发明三维复合型结构薄膜的制备方法生长的三维复合型结构薄膜具有较多的接触界面且界面电阻小的特性，而且形成的界面可以吸收硅材料在在充电时形成的体积膨胀从而导致的在放点时形成的薄膜脱落，减轻周期性体积变化的应力，保持锂离子嵌入/脱出过程中的结构稳定性。另外，所述制备方法有效保证生长的复合型三维结构薄膜电化学性能稳定。

公开(公告)号：CN110783557A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910953941.X

申请日：2019-10-09

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 俞兆喆 ,  周利航 ,  程燕 ,  魏堃 ,  李华成 ,  张国旗 ,  杨道国

IPC: H01M4/38 ,  H01M4/62 ,  H01M4/134 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明提供了一种多孔结构硅氧复合薄膜及其制备方法与应用。所述多孔结构硅氧复合薄膜的制备方法包括的步骤有：将硅靶材在惰性气体与氧气的混合气氛下进行溅射处理，在基体上生长硅氧复合薄膜，并进行退火处理，得到硅和氧化硅的复合薄膜；用腐蚀剂对制备好的复合薄膜进行刻蚀处理，然后清洗和烘干之后即得到多孔结构硅氧复合薄膜。本发明制备的硅氧复合薄膜有大的比表面积、高的储能密度、较高的电导率、可以吸收硅氧复合薄膜在充放电时产生的体积膨胀，减轻周期性体积变化的应力，保持锂离子嵌入/脱出过程中的结构稳定性，保持高的可逆容量，比容量高。另外，所述制备方法工艺简单，设备依赖度低，适合工业化生产。

公开(公告)号：CN110797525A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201910954404.7

申请日：2019-10-09

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 俞兆喆 ,  魏堃 ,  程燕 ,  李华成 ,  张国旗 ,  杨道国

IPC: H01M4/48 ,  H01M4/62 ,  H01M4/13 ,  H01M10/0525 ,  H01G11/30 ,  C23C14/34 ,  C23C14/10

Abstract: 本发明提供了一种保护型结构硅氧复合薄膜及其制备方法与应用。所述保护型结构硅氧复合薄膜的制备方法包括的步骤有：将硅靶材在惰性气体与氧气的混合气氛下进行溅射处理，在基体上生长硅氧复合薄膜，再在已有硅氧复合薄膜的基板上，将保护层材料靶材在惰性气氛下进行溅射处理。本发明制备的硅氧复合薄膜的硅氧复合薄膜具有界面电阻小的特性，而且可以减少和阻止电解液与硅氧复合之间的不可逆副反应，减少固体电解质膜的产生，保持锂离子嵌入/脱出过程中的结构稳定性。所述薄膜保护层结构及制备方法工艺简单，效果显著，既提高了硅氧薄膜的库伦效率和容量发挥，又增加了薄膜在循环过程中的结构稳定性。