-
公开(公告)号：CN103991910A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410218372.1
申请日：2014-05-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米四氧化三锰的制备方法，其特征在于：采用废弃的香蕉皮为原料，风干切成小片，用水加温提取有效成分，再与高锰酸钾反应，过滤，干燥得到颗粒尺寸为10-80纳米、具有良好的电容特性及较高的储能特性的超级电容器的电极材料纳米四氧化三锰。本发明与现有技术相比，制备工艺简单、低成本、绿色环保、资源丰富，产品具有应用优势，有较好的经济效益、社会效益和生态效益。
-
公开(公告)号：CN101856609B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201010195851.8
申请日：2010-06-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明的海绵钛负载TiO2光催化剂及其制备方法，是以多孔性泡沫金属海绵钛为载体和钛源，原料经净化处理后，在反应温度为75～250℃，反应压力为2～10大气压条件下，氧化反应而成。该光催化剂具有较大比表面积、较强吸附能力，在紫外光和太阳光下都具有较高光催化性能，回收反复再利用其光催化活性没有下降的特点，特别适用于废水处理。该工序简单、操作安全、设备投资少、生产成本低和无二次污染等优点。
-
公开(公告)号：CN101707232A
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200910114604.8
申请日：2009-12-01
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种LED产品及其制造方法，该产品为可见光LED或白光LED，它包括芯片、高导热的金属基座、连接支架、透光面罩，并且在所述的透光面罩的内面附着有荧光薄膜。所述荧光薄膜是通过溅射、溶胶-凝胶方式附着在透光面罩内面，且不含有任何树脂或硅胶。所述芯片是多种颜色之一的芯片，所述荧光薄膜的材质为可被光激发并发射设定可见光的单层或多层薄膜材料，所述附着有荧光薄膜的透光面罩制作过程包括抛光透光面罩、溅射面罩、热处理、晶化、切割面等工艺。同现有技术相比较，本制作方法生产的LED发光效率高，发光的均匀性和一致性很好，同时简化了封装操作，去除了传统白光LED加工过程中的荧光材料调胶、涂布、烘烤等关键性作业。
-
公开(公告)号：CN119241900A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411357382.3
申请日：2024-09-27
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种制备多孔蜂窝状聚合物材料的方法，非溶剂相分离法。微乳液(由去离子水和丙三醇组成)作为造孔剂引入到聚合物PVDF‑HFP中，利用各个溶剂挥发温度的不同，实现微乳液的液相和聚合物PVDF‑HFP的凝胶相分离。所述方法是利用不同相之间的不相容性来形成多孔结构，这种方法制备的多孔蜂窝状聚合物材料，不仅可以在生物传感、药物控制释放和环境监测等领域展现出独特优势，以及在能源存储领域显示出优异的电化学性能，还可以应用于半固态、固态锂离子、钠离子电池等领域。所述方法是一种简便、绿色、可控并具有商业化应用潜力的多孔蜂窝状聚合物材料的制备方法。
-
公开(公告)号：CN117728014A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311741102.4
申请日：2023-12-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01M10/0565 , H01M10/42 , H01M10/0525 , C08G83/00
Abstract: 本发明公开了一种具有高离子电导率的凝胶聚合物固态电解质及制备方法，所述凝胶聚合物固态电解质的化学式为H‑Co/Zn‑ZIF/PVDF‑HFP，其中纳米填料H‑Co/Zn‑ZIF具有“笼”型双MOF结构，聚合物PVDF‑HFP具有连续且贯通的微孔通道，H‑Co/Zn‑ZIF处于PVDF‑HFP的微孔通道中。本发明利用了ZIF‑67在温和的溶剂热条件下从菱形十二面体到中空结构的自发相变。鉴于ZIF‑67和ZIF‑8是同构的，可以通过外延生长“笼”型结构（ZIF‑67@ZIF‑8），进一步利用ZIF‑67的内部相转变，实现了具有规则形貌和规整晶体特征的“笼”型双MOF结构。随后，将H‑Co/Zn‑ZIF引入多孔道的PVDF‑HFP中，解决了凝胶聚合物固态电解质机械性能差、长时间循环难以抵抗锂枝晶生长的问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116751053B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202310799881.7
申请日：2023-07-03
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 本发明公开了一种高储能陶瓷介质材料，所述材料具有以下的化学组成：(Bi0.5Na0.5)TiO3‑Sr1.88Ho0.12NaNb4.88Ti0.12O15‑Al3+；或者(Bi0.5Na0.5)TiO3‑Sr1.88Ho0.12NaNb4.88Ti0.12O15‑(Sr0.7Ba0.3)5LaNb7Ti3O30。本发明通过优化陶瓷材料的组成，使材料具有细窄的电滞回线和高的击穿场强，在保证一定储能效率的前提下大幅提升了储能性能。
-
公开(公告)号：CN117185780A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311141585.4
申请日：2023-09-06
Applicant: 桂林电子科技大学 , 南宁桂电电子科技研究院有限公司
IPC: C04B35/01 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种低氧化锡含量ITO靶材及制备方法，所述ITO靶材掺杂了0.02wt%±10%的二氧化硅和0.25wt%±10%的二氧化钛，氧化锡在氧化铟、氧化锡两者中的重量占比为1‑3。所述ITO靶材的制备方法包括：（1）称取氧化铟和氧化锡粉末，其中氧化锡粉末重量占比1‑3；再另外添加0.02wt%±10%的二氧化硅和0.25wt%±10%的二氧化钛，以无水乙醇为溶剂，球磨后烘干。（2）加入40wt%的乙酸再次充分研磨，获得浆料。（3）浆料置于模具中，缓慢加压至200‑300MPa，升温至400℃±10%，保温保压1‑2小时，得到ITO素坯。（4）ITO素坯在氧化气氛、1400‑1550℃温度下烧结，得到低氧化锡含量ITO靶材。本发明可以提高ITO薄膜中的载流子迁移率，有助于提高薄膜太阳能电池的性能。
-
公开(公告)号：CN116873972A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310827452.6
申请日：2023-07-07
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种钛酸钡纳米粉体及其制备方法，属于介电材料纳米粉体技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤：(1)将酒石酸钡和偏钛酸进行混合得到混合物料，加入水充分搅拌，在所得的混合料液中加入分散剂和碱溶液，经过球磨处理，得到混合浆料；(2)将所得的混合浆料依次进行洗涤、抽滤、烘干和研磨，得到前驱体粉体；(3)将所得的前驱体粉体进行高温煅烧，经过研磨后，得到钛酸钡纳米粉体。本发明制得的钛酸钡纳米粉体中四方相含量高，性能优异，团聚少，粒径小(50～200nm)，均匀性和分散性好，具有很好的实际应用价值。同时，该制备工艺简单，操作简单易行，对设备要求低，能耗低，生产成本低，安全无污染，适合大批量生产。
-
公开(公告)号：CN113461420A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110684703.0
申请日：2021-06-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/457 , C04B35/622 , C04B35/64 , C23C14/34 , C23C14/08
Abstract: 本发明公开了一种高密度ITO靶材的制备方法，通过配制预设浓度的溶液；向ITO粉体中添加预设质量百分比的溶液，并经研磨分散得到ITO粉体的浆料；将浆料放入模具中，施加超声波振荡压力，同时将模具升温加热至预设温度，并保温保压特定时间，得到致密ITO靶材。上述工艺在≤400℃下制备出相对密度高于93％的靶材，有利于得到晶粒细小的靶材(＜100nm,晶粒尺寸，电阻率10‑4Ω˙cm2)，本发明较传统高温烧结降低了1000℃，有效降低了能源的消耗，缩短了ITO靶材的制备周期。
-
公开(公告)号：CN109369173B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201811530238.X
申请日：2018-12-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01B3/12 , C04B35/468 , C04B35/49 , C04B35/626
Abstract: 本发明涉及一种四方相钛酸钡粉体的制备方法及产品，属于介电陶瓷材料技术领域，该方法中，首先将钡盐或钡的氢氧化物和钛的氧化物或氢氧化物分开球磨或砂磨，分别获得钡盐或钡的氢氧化物浆料和钛的氧化物或氢氧化物浆料，然后将两种浆料在20‑40℃下混匀后进行喷雾干燥，获得混合粉体，再向该混合粉体中加入混合粉体总质量5‑90％的陶瓷材料，再次混匀后进行微波处理，最终制得粉体晶粒细小，粒径均匀，分散性良好的四方相钛酸钡粉体。该制备方法工艺简单，易操作，且成本低，适合工业化生产。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
113
records
(took 0.025 seconds)
