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公开(公告)号：CN101467210A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200780022013.7
申请日：2007-06-15
CPC classification number: G11B7/259 , G11B7/00736 , Y10T428/21
Abstract: 本发明可以确定通过物理转写在光学记录介质的基板上形成的凹坑和平面的形状而制备的盗版光盘记录介质。所述光学记录介质具有卓越的耐候性和长期存储可靠性。在通过凹坑和平面的组合记录了主数据的基板上形成由Ag100－x－yXxCuy的Ag合金膜所形成的反射膜，其中，X为Ti、W、Ta、V、Mo、Nb及Zr中的至少一种元素。可以形成标记，使得在所述反射膜上一次写入的记录辅助数据的记录标记的再生信号电平升高，并且在通过物理转写所述基板的凹坑和平面的表面形状而制备的光学记录介质的再生信号电平降低。以这种方式可以确定盗版光学记录介质。
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公开(公告)号：CN101260484A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810083440.2
申请日：2006-02-07
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 本发明提供了一种用于光学信息记录介质的记录膜以及一种光学信息记录介质，所述记录膜具有优异生产率并且也具有优异耐久性(记录保持性)，本发明包括如下：(1)在光学信息记录介质中使用的记录膜，其热导率为0.8W/Kcm或更小，对波长为0.3μm～1.0μm的光的光吸收率为15％或更高，熔融温度为300～800℃，(2)光学信息记录介质，其中记录膜包括如上所述的记录膜，以及(3)用于形成所述记录膜的溅射靶。
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公开(公告)号：CN1901055A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610107508.7
申请日：2006-07-20
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C14/165 , C22C5/06 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/258 , G11B7/259 , Y10T428/21
Abstract: Ag合金反射膜含有作为组分的X1，并且具有位于距反射膜表面深2nm之内的区域中的富集层，其中组分X1以比X1在整个反射膜中的平均浓度更高的浓度富集在富集层内，其中X1是选自由下列元素组成的组中的至少一种合金元素：Bi、Si、Ge、Pb、Zn、Cd、Hg、Al、Ga、In、Tl、Sn、As和Sb。所述反射膜具有作为反射膜的稳定且优异的基本性质，比如初始反射率和耐久性，并且进一步满足诸如激光标记适应性之类的要求。光学信息记录介质包括所述反射膜，而且性能优异。
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公开(公告)号：CN1901053A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610101951.3
申请日：2006-07-11
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C14/165 , C22C5/06 , C23C14/3414 , G11B7/258 , G11B7/259 , Y10T428/21
Abstract: 一种银合金反射膜被用于光学信息记录介质，并包含作为主成分的银、总共1－10原子％的至少一种稀土元素，和总共1－15原子％的选自In、Sn、Al和Mg中的至少一种，其中所述至少一种稀土元素与所述选自In、Sn、Al和Mg中的至少一种的总含量为5原子％或更高。该银合金反射膜优选还包含0.01－3原子％的Bi和Sb中的至少一种。银合金溅射靶具有与该银合金反射膜相同的组成。
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公开(公告)号：CN1819041A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610006826.4
申请日：2006-02-07
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 本发明提供了一种用于光学信息记录介质的记录膜以及一种光学信息记录介质，所述记录膜具有优异生产率并且也具有优异耐久性(记录保持性)。本发明包括如下：(1)在光学信息记录介质中使用的记录膜，其热导率为0.8W/Kcm或更小，对波长为0.3μm～1.0μm的光的光吸收率为15％或更高，熔融温度为300～800℃，(2)光学信息记录介质，其中记录膜包括如上所述的记录膜，以及(3)用于形成所述记录膜的溅射靶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1577550A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410059873.6
申请日：2004-06-24
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G02B5/0858 , B60R1/08 , G02B5/08 , Y10S359/90
Abstract: 本发明提供反射器用Ag合金反射膜及反射器。(1)是以具有在含有Bi的Ag合金薄膜的表面和/或该Ag合金薄膜上的与其他层的界面上形成了Bi层和/或Bi氧化物层的构造为特征的反射器用Ag合金反射膜，(2)在所述Ag合金反射膜中Bi层和/或Bi氧化物层的厚度在2.0nm以下的Ag合金反射膜，(3)在所述Ag合金反射膜中Ag合金薄膜含有0.01～3.0原子％的Bi的Ag合金反射膜，(4)在基体上形成有所述Ag合金反射膜的反射器等。该Ag合金反射膜反射率高，而且耐候性及耐热性优良。
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公开(公告)号：CN1483852A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN03127461.7
申请日：2003-08-07
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C22C5/06 , C22C1/002 , C22C5/08 , C23C14/024 , C23C14/185 , C23C14/205 , C23C14/3414 , C23C14/584 , G02B5/0808 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/259 , G11B7/266 , Y10T428/10 , Y10T428/1059 , Y10T428/1095 , Y10T428/12 , Y10T428/12431 , Y10T428/12896 , Y10T428/12924 , Y10T428/21 , Y10T428/265 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明涉及Ag合金膜，尤其适合用于光信息记录介质领域中具有高导热系数、高反射率、高耐久性的光信息记录介质用反射膜和半透过反射膜、耐Ag凝集性优异的电磁波屏蔽用膜、反射型液晶显示元件等背面光反射膜。本发明Ag合金膜是由Bi和/或Sb合计含有0.005～10％(指原子％)的Ag合金膜构成。本发明进而涉及用于这种Ag合金膜的成膜的溅射靶。
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公开(公告)号：CN111771242B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201980015237.8
申请日：2019-05-22
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor： 田内裕基
IPC: G11B7/2433 , C23C14/08 , C23C14/34 , G11B7/24035 , G11B7/2578 , G11B7/26
Abstract: 本发明提供一种记录层、光信息记录介质及溅射靶。本发明的一实施方式的记录层是通过激光的照射进行记录的光信息记录介质用的记录层，包含W氧化物、Fe氧化物、以及Ta氧化物及Nb氧化物中的至少任一种，且在全部金属原子中，包含10原子％以上且60原子％以下的Fe、合计为3原子％以上且50原子％以下的Ta及Nb。
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公开(公告)号：CN110120459B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201910085196.1
申请日：2019-01-29
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 提供一种有机EL显示器用的反射阳极电极及其应用。为包含包括Al‑Ge系合金膜、以及与Al‑Ge系合金膜接触的氧化物导电膜的层叠结构、且在这些的接触界面中介隔存在以氧化铝为主成分的层的有机EL显示器用的反射阳极电极，并且Al‑Ge系合金膜含有0.1原子％～2.5原子％的Ge，且在Al‑Ge系合金膜与氧化物导电膜的接触界面中形成有Ge浓化层及含有Ge的析出物，Al‑Ge系合金膜中的、自氧化物导电膜侧的表面起50nm以内的平均Ge浓度为Al‑Ge系合金膜中的平均Ge浓度的2倍以上，且含有Ge的析出物的平均直径为0.1μm以上。
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公开(公告)号：CN110603590A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201880030084.X
申请日：2018-04-24
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor： 田内裕基
IPC: G11B7/258 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/34 , G11B7/24056 , G11B7/24085 , G11B7/26
Abstract: 本发明涉及在基板上依次层叠有反射膜和透光层至少各一层，由蓝色激光进行信息的再生的只读的光信息记录介质，反射膜由含有Sn和Zn的金属氧化物或含有In的金属氧化物形成，并且，反射膜的膜厚为20nm以上、70nm以下。根据本发明，能够提供因高反射率和低抖动(再生信号在时间轴上的摆动少)而再生稳定性优异，并且耐久性也良好的只读光信息记录介质。
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