公开(公告)号：CN117597866A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202280047100.2

申请日：2022-09-21

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 冈田拓郎 ,  岩本英树 ,  中村健太郎

IPC: H03H9/64

Abstract: 提供能够同时实现小型化的促进和滤波器特性的劣化抑制的滤波器装置。本发明的滤波器装置(1)具备：至少一个第一弹性波谐振器，其具有压电性基板(2)、第一IDT电极(7A)以及第二IDT电极(7B)，该压电性基板(2)包括具有相对置的第一主面(6a)及第二主面(6b)的压电体层(6)，该第一IDT电极(7A)设置于第一主面(6a)，该第二IDT电极(7B)设置于第二主面(6b)，且与第一IDT电极(7A)对置；以及至少一个第二弹性波谐振器，其具有压电性基板和第三IDT电极，该压电性基板包括具有相对置的第三主面及第四主面的压电体层，该第三IDT电极设置在第三主面及第四主面中的一方。

公开(公告)号：CN109964408B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN201780068594.1

申请日：2017-10-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 高峰裕一 ,  岩本英树

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/64 ,  H03H9/72

Abstract: 滤波器(15)具备切割角为θ°的LiTaO3压电层(227)、高声速支承基板(228)、低声速膜(226)以及IDT电极(22)，根据IDT电极(22)的波长λ、IDT电极(22)的膜厚TIDT、IDT电极(22)的比重ρ、电极占空比D、压电层(227)的厚度TLT以及低声速膜(226)的膜厚TVL求出瑞利波的杂散成为极小的压电层(227)的最佳切割角θB，压电层(227)的切割角θ(°)满足θB‑4≤θ≤θB+4的关系。

公开(公告)号：CN116888892A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202280015611.6

申请日：2022-03-23

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 谷口康政 ,  岩本英树 ,  奥永洋梦

IPC: H03H9/25

Abstract: 本发明提供一种能够有效地抑制杂散的弹性波装置。本发明的弹性波装置(1)具备：支承构件(3)，包含支承基板(4)；压电体层(6)，设置在支承构件(3)上，具有相互对置的第1主面(6a)和第2主面(6b)；第1IDT电极(7A)，设置在第1主面(6a)；以及第2IDT电极(7B)，设置在第2主面(6b)。第2IDT电极(7B)埋入于支承构件(3)。在支承构件(3)中的埋入有第2IDT电极(7B)的多个电极指的部分的周围，设置有至少一个空洞部(9)。

公开(公告)号：CN111355468B

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN201911299188.3

申请日：2019-12-16

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 渡边宗久 ,  岩本英树

IPC: H03H9/25

Abstract: 本发明提供一种弹性波装置以及电子部件模块，对弹性波装置的特性的恶化进行抑制。弹性波装置(1)具备：支承基板(11)、压电体层(122)、IDT电极(13)、外部连接电极(142)。压电体层(122)形成于支承基板(11)上。IDT电极(13)形成于压电体层(122)上。外部连接电极(142)与IDT电极(13)电连接。外部连接电极(142)在从支承基板(11)的厚度方向(D1)的俯视下，不与压电体层(122)重叠。支承基板(11)具有空洞部(114)。空洞部(114)在从厚度方向(D1)的俯视下，形成于支承基板(11)的至少端部。

公开(公告)号：CN110620562B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN201910524037.7

申请日：2019-06-17

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 岩本英树

IPC: H03H9/02

Abstract: 本发明提供一种弹性波装置及高频前端电路，使在比主模靠高频侧产生的高阶模降低。弹性波装置(1)具备压电体层(2)、IDT电极(3)、高声速支承基板(5)及低声速膜(4)。高声速支承基板在压电体层的厚度方向上夹着压电体层位于与IDT电极相反侧。低声速膜在厚度方向上设置在高声速支承基板与压电体层之间。高声速支承基板具有基底区域(51)和表面区域(52)。表面区域在厚度方向上设置在比基底区域靠低声速膜侧。表面区域具有第一层(53)和第二层(54)。第二层在厚度方向上设置在比第一层靠基底区域侧。高声速支承基板的基底区域的结晶性比表面区域的结晶性好。第二层的结晶性比第一层的结晶性好。

公开(公告)号：CN114641933A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202080076558.1

申请日：2020-10-30

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 岩本英树

IPC: H03H9/25

Abstract: 本发明提供一种使用碳化硅基板作为支承基板、能够使主模的特性提高且能够抑制由瑞利波造成的杂散的弹性波装置。本发明的弹性波装置(1)具备：支承基板；压电体层(4)，设置在支承基板上；以及IDT电极(5)，设置在压电体层(4)上。支承基板是碳化硅基板(2)，该碳化硅基板(2)是六方晶构造。利用SH波作为主模。

公开(公告)号：CN114467257A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202080066155.9

申请日：2020-09-25

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 木村哲也 ,  山根毅 ,  永友翔 ,  岩本英树

IPC: H03H9/17 ,  H03H9/13 ,  H03H9/02

Abstract: 本发明提供一种在谋求小型化的同时还能够提高Q值且能够增大电容的弹性波装置。弹性波装置(1)具备压电体层(4)和第1电极(51)以及第2电极(52)。第1电极(51)以及第2电极(52)在与压电体层(4)的厚度方向(D1)交叉的方向(D2)上对置。弹性波装置(1)利用厚度剪切一阶模的体波。压电体层(4)的材料是铌酸锂或钽酸锂。第1电极(51)以及第2电极(52)各自的至少一部分埋入到压电体层(4)。

公开(公告)号：CN113940002A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202080042328.3

申请日：2020-06-25

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 岩本英树

IPC: H03H9/25

Abstract: 本发明使杂散降低。弹性波装置(1)具备支承基板(4)、压电体层(6)、以及IDT电极(7)。支承基板(4)包含石英。压电体层(6)形成在支承基板(4)上，包含LiTaO3。IDT电极(7)形成在压电体层(6)上，具有多个电极指(72)。IDT电极(7)形成在压电体层(6)的负面侧。压电体层(6)的切割角为39°Y以上且48°Y以下。

公开(公告)号：CN113924727A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202080042315.6

申请日：2020-06-25

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 岩本英树

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/64 ,  H03H9/02 ,  H03H9/145

Abstract: 本发明使杂散降低。弹性波装置(1)具备支承基板(4)、压电体层(6)、以及IDT电极(7)。支承基板(4)包含石英。压电体层(6)形成在支承基板(4)上，包含LiTaO3。IDT电极(7)形成在压电体层(6)上，具有多个电极指(72)。IDT电极(7)形成在压电体层(6)的正面侧。压电体层(6)的切割角为49°Y以下。

公开(公告)号：CN113692706A

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202180002548.8

申请日：2021-03-15

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 永友翔 ,  岩本英树 ,  中尾武志

IPC: H03H9/02

Abstract: 本发明提供一种在支承基板设置有空洞部的情况下不易产生构造上的脆弱性的弹性波装置。本发明涉及的弹性波装置(1)具备：支承基板(2)，具有空洞部(10)；压电膜(3)，设置在支承基板(2)上，使得覆盖空洞部(10)；功能电极(4)，设置在压电膜(3)上，使得在俯视下与空洞部(10)重叠；以及支承构件(5)，配置在支承基板(2)的空洞部(10)，对压电膜(3)进行支承。功能电极(4)具有在与压电膜(3)的厚度方向交叉的方向上排列的多个电极。多个电极包含：第1电极(6)以及第2电极(7)，在与压电膜(3)的厚度方向交叉的方向上对置，且与相互不同的电位连接。从与第1电极(6)延伸的方向正交的方向观察，相邻的电极重叠的区域为交叉区域(A)。在俯视下，交叉区域(A)和支承构件(5)重叠。