公开(公告)号：CN117280607A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202280031273.5

申请日：2022-06-01

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 中村健太郎 ,  木村哲也

IPC分类号： H03H9/17

摘要： 提供一种具有含有钪的氮化铝膜的弹性波装置，其中，不易产生膜的翘曲、剥落且不易产生压电特性的劣化。弹性波装置(1)具备含有钪的氮化铝膜(ScA1N膜)(3)和设置在ScAlN膜(3)上的电极，在ScAlN膜(3)中，至少具有一处相对于该ScAlN膜(3)的大致膜厚方向即晶体的c轴方向为90°方向的取向旋转了30°±5°或旋转了15°±5°的部位。

公开(公告)号：CN117203893A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202280030371.7

申请日：2022-06-01

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 中村健太郎 ,  木村哲也

IPC分类号： H03H9/17

摘要： 本发明提供一种不易产生膜的翘曲、剥离且不易产生特性的劣化的弹性波装置。弹性波装置(1)具备具有相互对置的第1主面和第2主面的ScAlN膜(3)、和设置在第1主面的第1激励电极(4)以及设置在第2主面的第2激励电极(5)。ScAlN膜(3)具有位于第1电极的附近的第1电极附近区域(E1)、位于第2电极的附近的第2电极附近区域(E2)、以及中央区域(C)。将对ScAlN膜(3)中的晶粒进行了椭圆近似时的长径以及短径之中的短径设为晶粒粒径，在各区域中，将晶粒粒径的平均值设为平均粒径Ravg时，第1电极附近区域(E1)的Ravg小于中央区域(C)的Ravg。在第1电极附近区域(E1)中的晶体方位不同的晶粒间、和第1激励电极(4)与ScAlN膜(3)的界面，包含微小粒子群。在各区域中，将晶粒粒径的面积加权平均值设为面积加权平均粒径RSavg时，微小粒子群中的晶粒的粒径为中央区域(C)的Rsavg的1/2以下，并且第1电极附近区域(E1)的微小粒子群中的晶粒的个数为第1电极附近区域(E1)中的晶粒的整体的个数的50％以上。

公开(公告)号：CN116762276A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202280011217.5

申请日：2022-03-17

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 木村哲也 ,  中村健太郎

IPC分类号： H03H9/17

摘要： 本发明提供一种不易产生特性的劣化且使用了含钪氮化铝膜的体声波装置。一种体声波装置(1)，其中，在基板(2)上设置有含钪氮化铝膜(3)，含钪氮化铝膜(3)设置在第1电极(4)上，在含钪氮化铝膜(3)上设置有第2电极(5)，第1电极(4)和第2电极(5)隔着含钪氮化铝膜(3)相互重叠，在含钪氮化铝膜(3)中，在沿着厚度方向位于第1电极(4)侧的第1区域(11)、位于第2电极(5)侧的第3区域(13)、作为第1区域(11)与第3区域(13)之间的厚度方向中央区域的第2区域(12)中，第1区域(11)中的定向比低于第2区域(12)中的定向比，或者第3区域(13)中的定向比高于第2区域(12)中的定向比。

公开(公告)号：CN118399918A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410051857.X

申请日：2024-01-12

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 冈田拓郎 ,  中村健太郎 ,  薮拓也

IPC分类号： H03H9/145

摘要： 本发明提供能够抑制谐波失真的弹性波装置，其具备压电性基板和分别具有多个电极指的多个IDT电极。多个IDT电极包含多个电极指的俯视下的形状具有曲线状的形状的多个曲线状IDT电极。曲线状IDT电极中的电极指的曲线状的形状的部分在多个电极指排列的方向上变得凸的方向为曲线状的形状的部分的外侧方向。多个IDT电极包含均为曲线状IDT电极的第1IDT电极以及第2IDT电极。弹性波装置构成有多个弹性波谐振器，包含：第1弹性波谐振器，包含第1IDT电极；和第2弹性波谐振器，包含第2IDT电极，且不经由其它弹性波谐振器而与第1弹性波谐振器连接，第1IDT电极中的外侧方向与第2IDT电极中的外侧方向为相反方向。

公开(公告)号：CN117223216A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202280031248.7

申请日：2022-06-01

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 中村健太郎 ,  木村哲也

IPC分类号： H03H9/17

摘要： 提供一种具有含有钪的氮化铝膜的弹性波装置，其中，不易产生膜的翘曲、剥落且不易产生压电特性的劣化。弹性波装置(1)具备含有钪的氮化铝膜(ScAlN膜)(3)和设置在ScAlN膜(3)上的电极，ScA1N膜(3)在将进行椭圆近似而求出的短径侧设为粒径，并对进行了面积加权平均的粒径计算出平均粒径时，在柱状生长的相邻的晶粒(11)与晶粒(12)之间、或者在晶体取向不同的晶粒(11)与晶粒(12)之间，具有包括全部晶粒的平均粒径的1/2以下的微小粒子(13a、13b)的微小粒子群，微小粒子群中的晶粒的个数为ScAlN膜(3)中的全体的晶粒的个数的50％以上。

公开(公告)号：CN116584041A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202280007983.4

申请日：2022-01-31

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 中村健太郎 ,  大门克也

IPC分类号： H03H9/25

摘要： 提供一种弹性波装置，能够在宽频带中抑制高阶模式。本发明的弹性波装置(1)具备石英基板(3)、设置在石英基板(3)上的氮化硅膜(4)、设置在氮化硅膜(4)上的钽酸锂层(6)(压电体层)、以及设置在钽酸锂层(6)上且具有多个第一、第二电极指(18、19)的IDT电极(7)。

公开(公告)号：CN116584040A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202280007982.X

申请日：2022-01-31

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 大门克也 ,  中村健太郎

IPC分类号： H03H9/25

摘要： 提供一种弹性波装置，能够在宽频带中抑制高阶模式。本发明的弹性波装置(1)具备石英基板(3)、设置在石英基板(3)上的多晶硅层(4)、设置在多晶硅层(4)上的钽酸锂层(6)(压电体层)、以及设置在钽酸锂层(6)上且具有多个第一、第二电极指(18、19)的IDT电极(7)。

公开(公告)号：CN115004546A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202180010409.X

申请日：2021-01-29

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 中村健太郎

IPC分类号： H03H9/145 ,  H03H9/64

摘要： 弹性波设备(100)，具备：具有压电层(110)的基板(105)；配置在上述基板上的第一谐振器(101)及第二谐振器(102)；以及共用反射器(REF12)。第二谐振器在上述基板上与第一谐振器相邻地配置，频率特性与第一谐振器不同。共用反射器在上述基板上配置在第一谐振器与第二谐振器之间，作为第一谐振器及第二谐振器双方的反射器发挥功能。第一谐振器包括以第一间距形成了电极指的第一IDT电极(IDT1)。第二谐振器包括以第二间距形成了电极指的第二IDT电极(IDT2)。共用反射器的阻带的下限频率处于第一谐振器的阻带的下限频率与第二谐振器的阻带的下限频率之间。共用反射器的阻带的上限频率处于第一谐振器的阻带的上限频率与第二谐振器的阻带的上限频率之间。

公开(公告)号：CN116711213A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202280008048.X

申请日：2022-02-14

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 大门克也 ,  中村健太郎

IPC分类号： H03H9/25

摘要： 本发明提供一种IDT电极为外延膜的弹性波装置。弹性波装置(1)具备包含钽酸锂或铌酸锂的压电体层(6)、设置在压电体层(6)上的电介质膜(7)以及设置在电介质膜(7)上的IDT电极(8)，电介质膜(7)是从包含TiO2、TaO2、MnO2、GeO2、RuO2、OsO2、IrO2、SnO2以及PbO2的组之中选择的一种电介质。

公开(公告)号：CN116584039A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202280007979.8

申请日：2022-01-31

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 中村健太郎 ,  大门克也

IPC分类号： H03H9/25

摘要： 提供一种弹性波装置，能够在宽频带中抑制高阶模式。本发明的弹性波装置(1)具备石英基板(3)、设置在石英基板(3)上的碳化硅层(4)、设置在碳化硅层(4)上的钽酸锂层(6)(压电体层)、以及设置在钽酸锂层(6)上且具有多个第一、第二电极指(18、19)的IDT电极(7)。