公开(公告)号：CN100546035C

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200680009785.2

申请日：2006-03-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 汤川干央 ,  大泽信晴 ,  浅见良信

IPC: H01L27/10 ,  G06K19/07 ,  G06K19/077 ,  H01L27/28 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L27/1255 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/101 ,  H01L27/105 ,  H01L27/112 ,  H01L27/11206 ,  H01L27/11286 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/13 ,  H01L27/285 ,  H01L51/0042 ,  H01L51/0051 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/0533

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种非易失性存储装置以及包括该存储装置的半导体装置，其中在制造过程之后可以将数据添加到存储装置，并且可以防止因重写导致的伪造等现象。本发明的另一个目的是提供一种具有高可靠性且廉价的非易失性存储装置以及包括该存储装置的半导体装置。一种存储元件包括第一导电层、第二导电层、厚度大于等于0.1纳米且小于等于4纳米且与该第一导电层接触的第一绝缘层，以及夹在该第一导电层、第一绝缘层和第二导电层之间的有机化合物层。

公开(公告)号：CN101167189A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200680014616.8

申请日：2006-04-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 汤川干央 ,  大泽信晴 ,  浅见良信 ,  川俣郁子 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/28 ,  H01L27/10 ,  H01L51/05

CPC classification number: G11C13/0014 ,  B82Y10/00 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/13 ,  H01L27/285

Abstract: 本发明的目的是提供一种可以低成本、高产量地制造高性能、高可靠性的半导体器件的技术。根据本发明的存储器件包括：含多个绝缘体的第一导电层；有机化合物层，该层位于上述含绝缘体的第一导电层之上；以及第二导电层，该层位于有机化合物层之上。

公开(公告)号：CN101147256A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200680009785.2

申请日：2006-03-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 汤川干央 ,  大泽信晴 ,  浅见良信

IPC: H01L27/10 ,  G06K19/07 ,  G06K19/077 ,  H01L27/28 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L27/1255 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/101 ,  H01L27/105 ,  H01L27/112 ,  H01L27/11206 ,  H01L27/11286 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/13 ,  H01L27/285 ,  H01L51/0042 ,  H01L51/0051 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/0533

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种非易失性存储装置以及包括该存储装置的半导体装置，其中在制造过程之后可以将数据添加到存储装置，并且可以防止因重写导致的伪造等现象。本发明的另一个目的是提供一种具有高可靠性且廉价的非易失性存储装置以及包括该存储装置的半导体装置。一种存储元件包括第一导电层、第二导电层、厚度大于等于0.1纳米且小于等于4纳米且与该第一导电层接触的第一绝缘层，以及夹在该第一导电层、第一绝缘层和第二导电层之间的有机化合物层。

公开(公告)号：CN1925140A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610128855.8

申请日：2006-08-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 铃木恒德 ,  野村亮二 ,  汤川干央 ,  大泽信晴 ,  高野圭惠 ,  浅见良信 ,  佐藤岳尚

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/28 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明的目的是高产率地制造半导体器件，在所述半导体器件内，在柔性基底上提供具有含有机化合物的层的元件。制造半导体器件的方法包括：在基底上形成分离层；通过在分离层上形成无机化合物层、第一导电层，和含有机化合物的层，并形成与含有机化合物的层和无机化合物层接触的第二导电层，从而产生形成元件的层；和在将第一柔性基底固定在第二导电层上之后，在分离层处将分离层与形成元件的层分离。