公开(公告)号：CN115427891A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202180026249.8

申请日：2021-03-18

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  广原知忠 ,  西卷裕和 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明的课题是提供对高低差基板也被覆良好、埋入后的膜厚差小、能够形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供成为该抗蚀剂下层膜形成用组合物的重要成分的聚合物、使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物而形成的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。解决手段是包含下述式(1)所示的化合物、和溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。(式中，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4各自独立地表示可以被取代的1价芳香族烃基，a、b、c、d各自为0或1，a+b+c+d＝1。)

公开(公告)号：CN114503032A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202080070907.9

申请日：2020-10-05

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  西卷裕和 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供表现出高耐蚀刻性、良好的干蚀刻速度比及光学常数，对所谓高低差基板被覆性也良好、埋入后的膜厚差小、可形成平坦膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。另外还提供使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。该抗蚀剂下层膜形成用组合物包含具有下述式(1)所示的部分结构的聚合物和溶剂。(式中，Ar表示可以被取代的碳原子数为6～20的芳香族基团)。

公开(公告)号：CN114127202A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202080051887.0

申请日：2020-06-22

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 服部隼人 ,  德永光 ,  西卷裕和 ,  中岛诚

IPC: C09D7/63 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  C08F20/26

Abstract: 本发明的课题是提供形成具有对图案的填充性和平坦化性的覆膜的高低差基板被覆用组合物。解决该课题的手段是一种高低差基板被覆用组合物，其是包含主剂化合物(A)和溶剂的高低差基板被覆用组合物，该组合物可通过光照或加热而固化，所述化合物(A)是包含由下述式(A‑1)、式(A‑2)或式(A‑3)表示的局部结构的化合物，式(A‑1)和式(A‑2)中，虚线表示与芳香环的键接，芳香环是构成聚合物骨架的芳香环或构成单体的芳香环，n表示1或2的整数。式(A‑3)中，点划线表示与构成聚合物骨架的链状碳链、脂环式碳环或芳香环的键接，Q表示单键、或者含有醚键、酯键、氨基甲酸酯键、碳原子数1～3的亚烷基键或酰胺键的有机基团，m表示1；但是，式(A‑3)中不包含式(A‑1)。

公开(公告)号：CN113785243A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202080032980.7

申请日：2020-03-27

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 柴山亘 ,  武田谕 ,  志垣修平 ,  石桥谦 ,  加藤宏大 ,  中岛诚

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/40

Abstract: 本发明的课题是提供一种组合物以及使用该组合物的抗蚀剂图案的金属化方法，其能够通过使抗蚀剂图案的抗蚀剂金属化来改善抗蚀剂图案的粗糙度或塌陷，并提高耐蚀刻性。本发明是一种用于抗蚀剂图案金属化工艺的组合物以及使用该组合物提供于抗蚀剂中渗透有前述组合物成分的抗蚀剂图案的抗蚀剂图案金属化方法，所述组合物含有(A)成分：选自金属氧化物(1)、水解性硅烷化合物(2)、前述水解性硅烷化合物的水解物(3)、及前述水解性硅烷化合物的水解缩合物(4)中的至少一种；(B)成分：不含有羧基(‑‑COOH)的酸化合物；及(C)成分：水性溶剂。

公开(公告)号：CN113574044A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202080020807.5

申请日：2020-03-12

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  绪方裕斗 ,  广原知忠 ,  中岛诚

IPC: C07C43/23 ,  C07C69/767 ,  C08G8/20 ,  C08G59/04 ,  C08L101/00 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 提供一种组合物，是用于形成不溶于抗蚀剂溶剂、光学常数良好、蚀刻速率高的抗蚀剂下层膜的组合物，其对高低差基板的埋入性和平坦化性优异。包含(A)下述式(I)所示的交联性化合物、和(D)溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。[在式(I)中，m为1～30的整数，T为单键、饱和烃基、芳香族基、或不饱和环状烃基，G1、G2、G3、G4、G5和G6各自独立地为(i)或(ii)，n各自独立地为1～8的整数，n个R各自独立地为氢原子、脂肪族烃基、或脂环式烃基，A各自独立地为可以被亚烷基中断的芳基，Z1、Z2、Z3、Z4、Z5、Z6各自独立地表示烷基、芳基、羟基、环氧基或氢原子。]

公开(公告)号：CN112236720A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201980034895.1

申请日：2019-05-21

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  绪方裕斗 ,  桥本圭祐 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11 ,  C08G8/02 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

Abstract: 提供显示高蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比和光学常数，对所谓的高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供适合于该抗蚀剂下层膜形成用组合物的聚合物的制造方法、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。制作一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含碳原子数6～60的芳香族化合物(A)与碳原子数3～60的含氧化合物(B)所具有的碳氧间双键的反应生成物、以及溶剂，上述含氧化合物(B)在一分子中具有1个部分结构：‑CON＜或‑COO‑，上述反应生成物中，上述含氧化合物(B)的1个碳原子连接2个上述芳香族化合物(A)。

公开(公告)号：CN111095107A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201880059291.8

申请日：2018-09-12

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  远藤贵文 ,  绪方裕斗 ,  桥本圭祐 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11 ,  C08G8/28 ,  C09D163/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供形成具有对图案的填充性和平坦化性的被膜的高低差基板被覆组合物。解决手段是一种高低差基板被覆组合物，是包含下述主剂和溶剂且能够通过光照射而固化的组合物、或能够通过在光照射过程中或者在光照射后在30℃～300℃下加热而固化的高低差基板被覆组合物，上述主剂包含下述化合物(A)、化合物(B)、或它们的混合物，化合物(A)为包含下述式(A-1)或式(A-2)的结构部分的化合物，化合物(B)为包含选自下述式(B-1)～式(B-5)所示的结构部分中的至少一个结构部分，或包含由式(B-6)所示的结构部分与式(B-7)所示的结构部分的组合构成的结构部分的化合物，或包含由式(B-6)所示的结构部分与式(B-8)所示的结构部分的组合构成的结构部分的化合物，该组合物的固体成分中上述主剂的含量为95质量％～100质量％。

公开(公告)号：CN110494807A

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201880023369.0

申请日：2018-03-30

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 柴山亘 ,  武田谕 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11 ,  C08G77/14 ,  C08G77/22 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供用于形成不进行蚀刻而仅通过化学溶液就能够将光刻后的掩模残渣除去的抗蚀剂下层膜的组合物。解决手段是一种含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，其用于形成含有硅的抗蚀剂下层膜，该含有硅的抗蚀剂下层膜为在通过光刻工艺将图案转印于下层后用包含过氧化氢的化学溶液进行掩模层的除去的工序中作为该掩模层而使用的膜，上述组合物包含聚硅氧烷，上述聚硅氧烷包含：包含含有羰基的官能团的结构单元。上述记载的含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物中，包含含有羰基的官能团的结构单元为包含环状酸酐基、环状二酯基、或二酯基的结构单元。聚硅氧烷进一步包含：包含含有酰胺基的有机基的结构单元。酰胺基为磺酰胺基、或二烯丙基异氰脲酸酯基。