公开(公告)号：CN117089738A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202311066493.4

申请日：2023-08-23

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 周晓龙 ,  张正云 ,  曹建春 ,  黎敬涛

IPC: C22C5/06 ,  B22F1/12 ,  B22F9/04 ,  B22F3/10

Abstract: 本发明公开一种SnO2@In2O3CuO增强银基复合材料的制备方法。本发明采用原位反应合成制备技术获得SnO2@In2O3CuO增强银基复合材料；首先采用高能球磨获得SnO2@InCu核壳结构，然后通过原位反应合成烧结获得SnO2@In2O3CuO增强银基复合材料，再通过挤压、轧制或拉拔等加工工艺获得复合材料带材或丝材；该方法的最大的优点在于能够通过原位反应合成获得SnO2@In2O3CuO核壳结构增强银基复合材料，所形成的复合材料界面清洁，界面结合牢固，极大发挥了核壳结构的协同效应，最终获得力学性能优异、导电率基本不降低的SnO2@In2O3CuO增强银基复合材料。

公开(公告)号：CN117026004A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202311117894.8

申请日：2023-08-31

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 周晓龙 ,  韩绪津 ,  曹建春 ,  黎敬涛

IPC: C22C5/06 ,  C22C32/00 ,  C22C1/05 ,  B22F3/23 ,  H01H1/0237 ,  H01H11/04

Abstract: 本发明公开一种ZnO@In2O3增强银基复合材料及其制备方法，属于电子信息新材料技术领域。所述ZnO@In2O3增强银基复合材料中ZnO@In2O3为核壳结构，In2O3为壳层，ZnO为核层。本发明通过原位反应合成核壳结构金属氧化物ZnO@In2O3增强银基材料，一方面利用核壳结构的特殊性，增强增强相在银基体中的分布均匀性，综合提高ZnO@In2O3增强银基复合材料的力学性能和导电性。另一方面，利用In2O3为壳层ZnO为核层，将ZnO与In2O3复配协同提高复合材料的化学稳定性，在不降低导电率的基础上，显著提高材料的力学性能。

公开(公告)号：CN115041654A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202210590872.2

申请日：2022-05-27

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 阴树标 ,  黄吉祥 ,  李霈 ,  汝娟坚 ,  马正洪 ,  周梦莎 ,  苏其响 ,  曹建春 ,  路洁 ,  帅康新 ,  杨银辉 ,  周晓龙 ,  张兴志 ,  曹宇曦 ,  熊涛 ,  马燕 ,  闫素

IPC: B22D11/22 ,  B22D11/16 ,  B22D11/12 ,  C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C22C38/58 ,  C22C38/46 ,  C22C33/04 ,  B22D11/18 ,  B22D11/115

Abstract: 本发明属于冶金技术领域，具体涉及一种铸坯中心偏析的控制方法，尤其适用于海洋耐蚀钢筋铸坯中心偏析的控制。该控制方法包括连铸中的二冷过程和轻压下过程，其中二冷过程采用弱冷，比水量为0.4L/kg‑1.2L/kg；轻压下过程的压下区间固相率为0.3‑0.8，压下量为8mm‑14mm。该控制方法可以显著减少铸坯中硫元素和锰元素偏析，而且通过检验，中心偏析级别达到1.0级，中心偏析指数小于1.10。

公开(公告)号：CN115029568A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202210436259.5

申请日：2022-04-25

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 周晓龙 ,  刘夏婷 ,  刘满门 ,  彭明军 ,  于杰 ,  段永华 ,  曹建春 ,  黎敬涛

IPC: C22C1/02 ,  C22C9/00 ,  B21C37/04

Abstract: 本发明提供了一种高银含量铜基合金及其制备方法，属于铜合金技术领域。本发明提供的高银含量铜基合金的制备方法，包括以下步骤：将电解铜熔化后加入银源进行合金化，然后依次进行浇注和挤压或者进行连铸，得到合金圆杆；所述合金化的时间为0.5～3min；所述浇注和连铸的过冷度独立地为Δ20～80℃；对合金圆杆进行大塑性变形轧制，得到合金丝材；大塑性变形轧制的总变形量≥60％；对合金丝材进行拉丝，得到高银含量铜基合金；铜基合金中银的含量为15～50wt.％。实施例的结果显示，本发明提供的铜基合金中银含量为15～50wt.％，银呈纤维状分布，铜基合金的抗拉强度≥1000MPa，导电率≥85％IACS。

公开(公告)号：CN110724907B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN201910838720.8

申请日：2019-09-05

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 周晓龙 ,  郭艳欣 ,  熊爱虎 ,  詹放 ,  阴树标 ,  曹建春 ,  黎敬涛

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明属于纳米材料制备与光催化技术领域，尤其涉及一种ZnS/AlP/GaP异质结构薄膜材料及其制备方法和应用。本发明提供的ZnS/AlP/GaP异质结构薄膜材料包括自下而上依次层叠设置的基底、ZnS层、AlP层和Gap层。本发明提供的ZnS/AlP/GaP异质结构薄膜由ZnS层、AlP层和Gap层依次排列构成三明治结构，具有窄的直接带隙(0.468eV)和高光吸收能力。由于ZnS/GaP、GaP/AlP、ZnS/AlP的晶格错配度很小，分别为0.756％、0.00917％、0.765％，使得该多层异质结构薄膜的畸变较小，结合后的内应力小，且其高光吸收系数一直保持到可见光区。

公开(公告)号：CN109518029B

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201811557453.9

申请日：2018-12-19

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 周晓龙 ,  熊爱虎 ,  曹建春 ,  黎敬涛

IPC: C22C1/10 ,  C22C32/00 ,  C22C5/06 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明涉及一种Ag‑石墨烯电接触材料的制备方法，属于低压电器触头材料技术领域。将石墨烯粉与熔融的银熔体共同经过双辊轧机通过轧甩带方法获得铸轧薄带，然后将薄带剪切成小片，再经压制、烧结、复压复烧、挤压拉拔或轧制工艺得到Ag‑石墨烯复合材料产品。为了改善碳质相增强银基电接触材料的性能，本发明采用石墨烯替代石墨，利用石墨烯独特的结构特性和优异导电、导热等性能来提高银基电接触材料的综合性能，通过双辊铸轧甩带技术来实现石墨烯与基体的复合，以达到石墨烯均匀分布于基体中及连续规模化生产的目的。

公开(公告)号：CN109518028B

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201811553465.4

申请日：2018-12-19

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 周晓龙 ,  熊爱虎 ,  曹建春 ,  阴树标 ,  黎敬涛

IPC: C22C1/10 ,  C22C23/00 ,  C22C32/00

Abstract: 本发明涉及一种石墨烯增强镁基复合材料的制备方法，属于金属基复合材料技术领域。在真空条件下，将石墨烯粉与熔融态的镁液共同经过双辊轧机采用真空双辊铸轧甩带方法获得铸轧薄带，然后将薄带剪切成小片，再经热压烧结、挤压拉拔或轧制工艺得到石墨烯增强镁基复合材料。本发明通过双辊铸轧甩带技术来实现石墨烯与镁基体的复合，在镁液铸轧甩带的同时加入分散开的石墨烯粉，以便使石墨烯均匀分布于镁基体中且后续剪板、热压烧结等过程中不会破坏石墨烯分布的均匀性，从而达到石墨烯均匀分布于基体中及连续、规模工业化生产目的，同时可利用石墨烯独特的结构特性和高导电、导热等性能来提高镁基复合材料的综合性能。

公开(公告)号：CN108486497B

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201810205572.1

申请日：2018-03-13

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 曹建春 ,  刘鹏程 ,  周晓龙 ,  阴树标 ,  杨银辉 ,  高鹏

IPC: C22C38/14 ,  C21D8/00 ,  C21D7/13

Abstract: 一种Ti‑Zr复合微合金化钢超细化奥氏体晶粒的控轧控冷工艺方法，其主要是：本发明采用Ti含量为0.01～0.5％，Zr含量为0.01～0.5％，C含量为0.01～0.5％的Ti‑Zr复合微合金化钢。将上述Ti‑Zr复合微合金化钢加热到1150～1250℃，并保温300s，而后冷却至1050～1150℃开始第一道次轧制，应变速率1～10s‑1，压下量30％。间隔1～10s后，进行第二道次轧制，轧制参数为：应变速率1～10s‑1，压下量30％。间隔1～10s后，进行第三道次轧制，轧制参数为：应变速率1～10s‑1，压下量20％。终轧温度控制在1000℃以上，1～50s后迅速喷水冷却至室温。Ti‑Zr复合微合金化钢经三道次不同压下量、不同应变速率的轧制，促发多次完全奥氏体再结晶及少量的第二相析出，晶粒尺寸从100μm细化到10～20μm，得到均匀的超细化奥氏体晶粒组织。

公开(公告)号：CN108486496B

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201810204975.4

申请日：2018-03-13

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 曹建春 ,  刘鹏程 ,  周晓龙 ,  阴树标 ,  杨银辉 ,  高鹏

IPC: C22C38/14 ,  C22C38/12 ,  C21D8/00 ,  C21D7/13

Abstract: 一种Ti‑Zr‑Mo复合微合金化钢超细化奥氏体晶粒的控轧控冷工艺方法，采用Ti含量为0.01～0.5％，Zr含量为0.01～0.5％，Mo含量为0.01～0.5％，C含量为0.01～0.5％的Ti‑Zr‑Mo复合微合金化钢。将上述Ti‑Zr‑Mo复合微合金化钢加热到1150～1250℃，并保温300s，而后冷却至1000～1100℃开始第一道次轧制，应变速率1～10s‑1，压下量35％。间隔1～10s后，进行第二道次轧制，轧制参数为：应变速率1～10s‑1，压下量30％。间隔1～10s后，进行第三道次轧制，轧制参数为：应变速率1～10s‑1，压下量20％。终轧温度控制在1000℃以上，1～50s后迅速喷水冷却至室温。本发明方法经三道次轧制，促发多次完全奥氏体再结晶，晶粒尺寸从100μm细化到7～15μm，得到均匀的超细化奥氏体晶粒组织。

公开(公告)号：CN110699639A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201910837847.8

申请日：2019-09-05

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 周晓龙 ,  郭艳欣 ,  熊爱虎 ,  詹放 ,  阴树标 ,  曹建春 ,  黎敬涛

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/18 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  C25B11/06 ,  C25B1/04

Abstract: 本发明属于半导体薄膜材料制备技术领域，尤其涉及一种ZnS/Sn/ZnO异质结构薄膜材料及其制备方法和应用。本发明提供的ZnS/Sn/ZnO异质结构薄膜材料包括自下而上依次层叠设置的基底、ZnS层、Sn层和ZnO层。本发明提供的ZnS/Sn/ZnO异质结构薄膜由ZnS层、Sn层和ZnO层依次排列构成三明治结构，具有优异的光学吸收能力且其高光吸收系数一直保持到可见光区(次强度吸收峰位于可见光区)；带隙窄、响应速度快。本发明使用的ZnS、Sn和ZnO半导体材料的晶格错配度小，所得ZnS/Sn/ZnO异质结构薄膜材料的内应力及缺陷较小；且以ZnO致密薄膜为包覆层起到了保护内部不易被氧化，从而延长了薄膜材料的使用寿命。