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公开(公告)号：CN117127046A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311104105.7
申请日：2023-08-30
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种SnO2@In2O3增强银基复合材料的制备方法。本发明在惰性气体保护下，将市售的纳米SnO2与铟粉按比例混合后，在高能球磨机中球磨以获得SnO2@In粉体；然后将SnO2@In粉体与银粉、氧化银粉按比例混合均匀，并压制成锭坯后在原位反应烧结炉中烧结，得到SnO2@In2O3增强银基复合材料烧结坯；最后对该烧结坯进行致密化、挤压拉拔制备成丝材。本发明最大的优点在于能够通过原位反应合成获得SnO2@In2O3核壳结构增强银基复合材料，所形成的复合材料界面清洁，界面结合牢固，极大发挥了核壳结构的协同效应，最终获得力学性能优异、导电率基本不降低的SnO2@In2O3增强银基复合材料。
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公开(公告)号：CN117766310A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202410025683.X
申请日：2024-01-08
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了一种TiN‑Fe2O3复合电极材料的制备方法及其应用，属于超级电容器技术领域。本发明提供一种TiN‑Fe2O3纳米复合材料的制备方法，包括通过水热法制备氮化钛纳米片和三氧化二铁纳米颗粒材料，并通过超声分散制备TiN‑Fe2O3纳米复合材料；本发明通过引入TiN，由于互连的离子/电子传输通道的密集网络能够实现更大的电子迁移率，有效改善Fe2O3导电性，制备的复合电极材料具有较高比电容。实施例结果显示，本发明所制备TiN‑Fe2O3复合电极材料在1A·g‑1下的比电容可达998F·g‑1。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117089738A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311066493.4
申请日：2023-08-23
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种SnO2@In2O3CuO增强银基复合材料的制备方法。本发明采用原位反应合成制备技术获得SnO2@In2O3CuO增强银基复合材料；首先采用高能球磨获得SnO2@InCu核壳结构，然后通过原位反应合成烧结获得SnO2@In2O3CuO增强银基复合材料，再通过挤压、轧制或拉拔等加工工艺获得复合材料带材或丝材；该方法的最大的优点在于能够通过原位反应合成获得SnO2@In2O3CuO核壳结构增强银基复合材料，所形成的复合材料界面清洁，界面结合牢固，极大发挥了核壳结构的协同效应，最终获得力学性能优异、导电率基本不降低的SnO2@In2O3CuO增强银基复合材料。
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公开(公告)号：CN117127046B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311104105.7
申请日：2023-08-30
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种SnO2@In2O3增强银基复合材料的制备方法。本发明在惰性气体保护下，将市售的纳米SnO2与铟粉按比例混合后，在高能球磨机中球磨以获得SnO2@In粉体；然后将SnO2@In粉体与银粉、氧化银粉按比例混合均匀，并压制成锭坯后在原位反应烧结炉中烧结，得到SnO2@In2O3增强银基复合材料烧结坯；最后对该烧结坯进行致密化、挤压拉拔制备成丝材。本发明最大的优点在于能够通过原位反应合成获得SnO2@In2O3核壳结构增强银基复合材料，所形成的复合材料界面清洁，界面结合牢固，极大发挥了核壳结构的协同效应，最终获得力学性能优异、导电率基本不降低的SnO2@In2O3增强银基复合材料。
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公开(公告)号：CN117292954A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311407001.3
申请日：2023-10-27
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种TiN‑MoS2复合电极材料的制备方法及其应用，属于超级电容器技术领域。本发明包括制备TiN粉末，制备MoS2粉末，再使用TiN粉末与MoS2粉末制备TiN‑MoS2复合电极材料；本发明通过引入TiN，有效改善MoS2导电性能，制备获得具有高电容的复合电极材料，通过将TiN‑MoS2复合电极材料与MnO2组装得到循环寿命较长的不对称超级电容器。
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公开(公告)号：CN117210713A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311192815.X
申请日：2023-09-15
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种SnO2@CuO增强银基复合材料的制备方法。本发明采用原位反应合成制备技术获得SnO2@CuO增强银基复合材料；首先采用高能球磨获得SnO2@Cu核壳结构，然后通过原位反应合成烧结获得SnO2@CuO增强银基复合材料，再通过挤压、轧制或拉拔等加工工艺获得复合材料圆杆、带材或丝材。本发明所述能够通过原位反应合成获得SnO2@CuO核壳结构增强银基复合材料，所形成的复合材料界面清洁，界面结合牢固，极大发挥了核壳结构的协同效应，最终获得力学性能优异、导电率基本不降低的SnO2@CuO增强银基复合材料。
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公开(公告)号：CN106596234A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611095146.4
申请日：2016-12-02
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种显示低碳微合金钢原始奥氏体晶界的方法，先将试样进行热处理：在1150～1200℃保温20～25min后，置于冰水中淬火；然后进行热处理试样粗磨、精磨、抛光，最终得到的试样磨抛面无任何划痕、麻点、凹坑、污点等缺陷；最后将热处理后磨抛好的试样用镊子夹住，磨好的面朝上，浸入腐蚀剂中，并使其在腐蚀剂中不停地晃动，侵蚀时间控制在3～5min，迅速取出试样用大量清水冲洗，并用脱脂棉立即擦拭其表面粘膜，最后用酒精冲洗干燥后在金相显微镜下观察奥氏体晶界。本发明可以清晰地显示出低碳微合金钢原始奥氏体晶界。
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