-
公开(公告)号：CN103979566B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201410219036.9
申请日：2014-05-22
Applicant: 安徽工业大学
IPC: C01B35/04
Abstract: 本发明公开了一种二硼化钒粉体的制备方法，属于陶瓷粉体制备技术领域。该制备方法是将摩尔比为3：11的偏钒酸铵和单质硼粉及一定量的熔盐混合均匀后，在惰性气体保护下在800～1100℃下热处理0.5～4h得到二硼化钒粉体。反应产生的副产物三氧化二硼和熔盐可通过用热水浸润溶解的方法去除。本发明方法采用的钒源无毒害，生产工艺简单，适合批量生产。本发明方法引入的熔融盐环境加速了固相物质的扩散速度，使得合成温度低，合成周期短，所合成粉体具有纯度高、粒径小等特点。
-
公开(公告)号：CN105006325A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510381605.4
申请日：2015-06-30
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明公开了一种研磨制备具有交换耦合作用的复合铁氧体粉末的方法，属于磁性铁氧体制备技术领域。该方法采用的硬磁相是水热法制备的SrFe12O19铁氧体粉末，软磁相是熔盐法制备的Fe-B粉末，硬磁相和软磁相按照质量比1:1的比例混合后，研磨10到30分钟，即可形成具有交换耦合作用、呈单一相磁行为的复合铁氧体粉末。该方法无需高温烧结即可产生交换耦合作用，因而对制备复合铁氧体具有重要的意义。
-
公开(公告)号：CN103950946A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410219065.5
申请日：2014-05-22
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明公开了一种硼化铌纳米粉体的制备方法，属于陶瓷粉体制备技术领域。该方法首先在熔融盐环境中以单质硼还原五氧化二铌，然后通过用热水浸润溶解熔盐及反应产生的三氧化二硼得到纳米硼化铌粉体。本发明具有制备工艺简单，成本低廉、合成温度低(800～1000℃)，合成时间短(1～4h)，合成粉体纯度高，粒径小等特点。本发明所得到的硼化铌纳米粉体可用于制备超高温陶瓷、耐磨材料和超导材料。
-
公开(公告)号：CN117586014A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311537472.6
申请日：2023-11-17
Applicant: 安徽工业大学
IPC: C04B35/563 , C04B35/622 , C04B35/65
Abstract: 本发明公开了一种B4C–TiB2–SiC导电复相陶瓷及其制备方法，属于陶瓷材料领域。该导电复相陶瓷具有TiB2–SiC复合小晶粒包覆B4C大晶粒的显微结构，其中：TiB2的体积含量为5–20％，TiB2与SiC的摩尔比为2:3。该导电复相陶瓷制备原料为：B4C、TiC和单质Si粉体，其制备步骤是：按照成分设计配比分别称取原料粉体；混合均匀后充分干燥；使用放电等离子烧结炉在真空气氛中烧结制备复相陶瓷。本发明构筑了TiB2–SiC复合小晶粒包覆B4C大晶粒的包覆型显微结构，SiC的引入有效地抑制了TiB2导电相晶粒的长大，促进了导电网络的形成和完善。与没有引入SiC相比，本发明制备的复相陶瓷在相同或更低TiB2含量下具有更高的电导率。本发明制备过程简单，无需任何其它特殊复杂方法。
-
公开(公告)号：CN113764211B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202111079978.8
申请日：2021-09-15
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明公开了一种低Cd电触头增强相材料、低Cd银基复合电触头材料及制备方法，属于电触头材料技术领域，所述低Cd电触头增强相材料元素组成为Ti和Cd，其元素摩尔比为2:1，属于Ti/Cd金属间化合物的一种，上述Ti2Cd用于制备Ag/Ti2Cd复合电触头材料，复合电触头材料中Cd含量比同组分Ag/CdO中Cd含量降低38％以上，具有显著减毒作用，该复合电触头在实际应用过程中表面接触电阻小、温升低、抗材料损失能力强，具有优异的抗电弧侵蚀性能。产业化后可大规模适用于军事电子电气装备、航空航天等继电器、接触器中，未来可有效推动低压开关电触头材料的低Cd化、低毒化进程。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115893990B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202211503195.2
申请日：2022-11-28
Applicant: 安徽工业大学 , 马鞍山利尔开元新材料有限公司
IPC: C04B35/043 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种低碳镁碳砖，属于耐火材料技术领域。该低碳镁碳砖包括如下重量组分的混合料：电熔镁砂颗粒63–70份，电熔镁砂细粉23–30份，鳞片石墨0–3份，ZrB2–C复合粉体1–4份，金属铝粉3份，酚醛树脂4份。所述ZrB2–C复合粉体由粒径为1μm的ZrC与粒径为3μm的B4C粉体按摩尔比2：1的配比均匀混合后在流动氩气保护下于1600℃保温5h冷却后制得。本发明制备的低碳镁碳砖，使用反应制备的ZrB2–C复合粉体全部或部分替代石墨，在降低碳含量的同时，有效提高了材料的常温强度和高温抗氧化性，同时还具有优良的抗热震稳定性。
-
公开(公告)号：CN116253299A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310155989.2
申请日：2023-02-20
Applicant: 安徽工业大学
IPC: C01B21/068 , C01B21/00 , C04B35/58 , C04B35/584
Abstract: 本发明公开了一种利用含硅固废制备杂质包覆型Si2N2O的方法、制备所得Si2N2O及其应用，属于二次资源利用技术领域。本发明的一种利用含硅废料制备杂质包覆型Si2N2O陶瓷粉体的方法，将硅灰和晶体硅切割废料混合后一起进行循环热震处理，构筑硅氧化物包覆金属杂质核壳结构，然后对所得包覆结构进行原位氮化处理，即制备得到杂质包覆型Si2N2O陶瓷粉体。本发明不仅有效利用了光伏产业中产生的硅灰和切割废料，实现了“以废治废”，而且制备的Si2N2O陶瓷粉体具有杂质包覆型结构，能够应用于晶体硅拉晶及铸锭所用的坩埚涂层，实现了固废资源的“闭环处理”。
-
公开(公告)号：CN113564499B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202110864237.4
申请日：2021-07-29
Applicant: 安徽工业大学科技园有限公司
IPC: C22C49/10 , C22C49/14 , C22C47/06 , C22C47/14 , C22C111/02
Abstract: 本发明涉及金属陶瓷复合材料技术领域，具体涉及一种连续钨纤维及碳化锆复合增强钨铜材料、制备方法及其应用；该复合材料包括如下重量组分的混合料：编织钨网1份；锆铜合金1～20份；钨粉0～10份；碳化钨粉1～10份，该复合材料的平均显微维氏硬度≥4.5GPa，抗弯强度≥520MPa，本发明采用低温反应熔渗法制备连续钨纤维及原位自生碳化锆颗粒复合增强钨铜材料，实现了高强韧钨基复合材料的低成本快速制备，钨纤维及碳化锆颗粒的复合强韧化使材料表现出假塑性断裂行为，该复合材料在航空航天领域、先进高温工具、太阳能热电及核能等领域具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN113764211A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111079978.8
申请日：2021-09-15
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明公开了一种低Cd电触头增强相材料、低Cd银基复合电触头材料及制备方法，属于电触头材料技术领域，所述低Cd电触头增强相材料元素组成为Ti和Cd，其元素摩尔比为2:1，属于Ti/Cd金属间化合物的一种，上述Ti2Cd用于制备Ag/Ti2Cd复合电触头材料，复合电触头材料中Cd含量比同组分Ag/CdO中Cd含量降低38％以上，具有显著减毒作用，该复合电触头在实际应用过程中表面接触电阻小、温升低、抗材料损失能力强，具有优异的抗电弧侵蚀性能。产业化后可大规模适用于军事电子电气装备、航空航天等继电器、接触器中，未来可有效推动低压开关电触头材料的低Cd化、低毒化进程。
-
公开(公告)号：CN113564687A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110975444.7
申请日：2021-08-24
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明属于碳化硅晶须技术领域，具体涉及一种铬催化的碳化硅晶须及其制备方法，制备方法包括如下步骤：1)按配比称取铬源、硅粉、碳源，将铬源、硅粉与碳源混合均匀，制得混合粉体；2)按配比称取粘结剂，将粘结剂加入到混合粉体中，混合均匀，困料，压制成型，制得坯体；3)将坯体在80‑180℃下干燥6‑48h，然后在埋碳条件下，经1100‑1500℃热处理l‑10h，即制得铬催化的碳化硅晶须。本发明对设备要求低，具有制备工艺简单、易于操控、成本相对较低的特点；用该方法制备的碳化晶须具有数量多、长径比大、纯度高和应用前景大的优点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
83
records
(took 0.026 seconds)
