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公开(公告)号：CN118210012A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410335431.7
申请日：2024-03-22
IPC: G01T1/24 , C01B21/064
Abstract: 一种六方氮化硼体单晶沟槽型中子探测器，由大尺寸六方氮化硼体单晶组成，所述六方氮化硼体单晶的横向面积大于1cm×1cm，厚度大于100μm，既是中子转换层也是载流子收集层，无需额外使用转换层，就可以直接俘获中子，并在层中产生载流子，起到直接探测中子的效果；此外，采用侧端沟槽型横向电极，使得产生的载流子能够快速的在六方氮化硼(002)平面内进行传输，可实现载流子的有效收集。本发明所制作的半导体中子探测器体积小、重量轻、能量分辨率高、探测效率高，可应用于核反应过程监测、核能安全勘探、医疗器械、无损检测和探测、深空探测以及先进电子设备的内部结构探测领域。
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公开(公告)号：CN118156371A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410335260.8
申请日：2024-03-22
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/102 , B82Y40/00
Abstract: 本专利涉及紫外探测技术领域，涉及一种六方氮化硼纳米片定向堆叠型真空紫外光电探测器及其制备方法，具体涉及一种六方氮化硼纳米片层有序垂直堆叠作为真空紫外光敏层和侧端横向电极的方法，利用氮化硼具有宽带隙，优异的热稳定性等特点制备性能优良的紫外探测器。利用简单有效的方法制备的探测器能够降低暗电流，提高器件的探测率。本发明方法操作简单，通过制备独立式有序堆叠的氮化硼片，可以简化探测器制作工艺，提高探测器的效率，更有利于弱紫外光的探测，对于六方氮化硼基紫外探测器件具有重要意义。
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公开(公告)号：CN114597273B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202210198261.3
申请日：2022-03-02
Applicant: 中国科学院高能物理研究所 , 大连理工大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/105 , H01L31/117 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种双面碳化硅PIN结构微条辐射探测器及其制备方法。本发明的探测器以碳化硅单晶(1)为基体，碳化硅单晶(1)碳面注入多个微条形结构的n型碳化硅层(2)，碳化硅单晶(1)硅面设有多个与n型碳化硅层(2)垂直的p型碳化硅结构(3)；每一n型碳化硅层(2)上设置一下电极(4)，碳化硅单晶(1)碳面上设置第一保护环，各下电极(4)之间、各下电极(4)与第一保护环之间以及第一保护环外侧填充有绝缘介质保护层(6)；每一p型碳化硅结构(3)上设置一上电极(5)，在碳化硅单晶(1)硅面上设置第二保护环，各上电极(5)之间、各上电极(5)与第二保护环之间以及第二保护环外侧填充有绝缘介质保护层(6)。
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公开(公告)号：CN115902563A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211439572.0
申请日：2022-11-17
Applicant: 大连理工大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明属于半导体材料制备技术领域，公开了一种表征直流偏置状态下碳化硅少子寿命的结构和方法，包括碳化硅材料、第一直流偏置电压施加层和第二直流偏置电压施加层。碳化硅材料为待表征主体，其表面形状为矩形或正方形；第一直流偏置电压施加层在待测碳化硅材料上表面的一侧边沿处，二者的三条边对齐；第二直流偏置电压施加层在待测碳化硅材料上表面的另一侧边沿处，二者的三条边对齐，且此边沿与第一直流偏置电压施加层所在边沿相对。本发明设计了一种用于表征处于电荷输运基态下碳化硅材料少子寿命的结构，并提出了一种有效而简便的测试方法，解决了获取工作状态下碳化硅材料少子寿命关键参数的难题，能够填补碳化硅关键电学性能参数空白。
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公开(公告)号：CN107083541A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710261163.9
申请日：2017-04-21
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供了一种用于高质量氧化物半导体材料制备的MOCVD加热盘，属于氧化物半导体材料生长及器件制备领域。实心蛇形管作为加热源和上下表面沉积层的支撑结构；MOCVD加热盘的主体结构为由一根盘旋的实心蛇形管构成的平板式结构，实心蛇形管两末端分别开孔，未连接；MOCVD加热盘的主体平板结构的上下表面分别沉积有上碳化物沉积层和下碳化物沉积层。MOCVD加热盘上的碳化物沉积层较薄且均匀性良好，经过CVD处理的加热盘的加热均匀性和发热效率不受影响，不仅解决了外延工艺中无法在氧气氛围中高温生长的技术难点也避免了沉积层导致发热不均的负面影响。使得MOCVD设备制备高质量氧化物半导体薄膜的能力得到大幅提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107068800A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710080008.7
申请日：2017-02-16
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/032 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/115 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于半导体器件制备技术领域，涉及一种基于氧化镓单晶材料的辐射探测器及其制备方法。该辐射探测器以高阻氧化镓单晶为基体，其上下表面和侧面为SiO2保护层；在氧化镓单晶的SiO2保护层下表面形成的掩膜图形中依次为锡原子扩散形成的锡掺杂氧化镓层、钛层和金层；在氧化镓单晶的SiO2保护层上表面形成的掩膜图形中依次为镍层、钛层和金层，各层与上表面存留的SiO2保护层存在重叠区域。本发明提出了一种有效而简便的工艺制造技术，解决了高性能氧化镓辐射探测器的制备难题，实现新型氧化镓基辐射探测器的研制。
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公开(公告)号：CN106876466A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710072915.7
申请日：2017-02-16
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于半导体器件制备技术领域，提供了一种氧化镓基金属‑氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法。以半绝缘氧化镓单晶为基体，其表面依次为非掺杂氧化镓层、锡层和图形化锡层；未被图形化锡层覆盖的锡层表面为氧化物介质层，氧化物介质层与图形化锡层间形成开口，开口数量是成对的，开口区域小于图形化锡层区域；开口区域的表面依次为钛层和金层，分别作为源电极和漏电极；氧化物介质层表面依次为钛层和金层，作为栅电极。本发明提出了一种有效而简便的工艺制造技术，解决了高性能氧化镓基金属‑氧化物半导体场效应晶体管的制备难题，实现新型氧化镓基金属‑氧化物半导体场效应晶体管的研制。
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公开(公告)号：CN102263372B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201010186477.5
申请日：2010-05-25
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种p型ZnO和n型GaN组合ZnO基垂直腔面发射激光器及制备方法，属于半导体发光器件及其制备方法技术领域。器件由衬底1、衬底1上依次制备的AlGaN/GaN薄膜DBR下反射镜8、GaN外延层2、相互分立的电流下限制层3和下电极5、电流下限制层3上制备的ZnO基材料发光层4、电流上限制层7、上电极6和多层介质薄膜DBR上反射镜9等部件构成，其特征在于：GaN外延层2为n型GaN薄膜，ZnO基发光层4为p型ZnO基薄膜，电流下限制层3为Ga2O3薄膜，电流上限制层7为p型ZnO基三元薄膜，其禁带宽度大于ZnO基发光层4的禁带宽度。本发明的效果和益处是可以降低激光器的串联电阻和工作电压，提高输出功率和散热能力，进一步拓展其应用范围。
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公开(公告)号：CN103456603A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310401102.X
申请日：2013-09-05
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法及氧化镓膜，在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法包括以下步骤：选取镓系半导体衬底，并清理镓系半导体衬底表面；然后在含有氧分压的气氛中，采用外部能量对镓系半导体衬底进行处理，将镓系半导体衬底表面区域的镓原子与其它组分原子形成的化学键打开，使得镓原子与气氛中的氧原子结合形成镓氧键；最后采用氧化镓膜生长技术在处理后的镓系半导体衬底上生长氧化镓膜。本发明在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法步骤科学、合理，解决了现有技术的诸多问题，有效降低了异质外延生长氧化镓膜的缺陷密度。
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公开(公告)号：CN102130107B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201010584401.8
申请日：2010-12-13
Applicant: 吉林大学 , 大连理工大学 , 亚威朗光电(中国)有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/40 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/00
Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，特别是涉及一类GaN基阵列式高压发光管及其制备方法。器件由支撑衬底1、支撑衬底1上的焊片2和焊片2上面的单元管芯3构成，其特征在于：单元管芯3是垂直结构，其上电极31为条形，下电极32覆盖全部单元管芯3的下面；支撑衬底1是一维方向的阶梯形结构，在每个台阶上有金属化薄膜11；支撑衬底1的每个台阶上有一个单元管芯3，通过焊片2将单元管芯3焊接固定在支撑衬底1上，同时将上面的一个单元管芯的下电极32焊接在下面一个单元管芯的上电极31上，多个单元管芯串联焊接组成阶梯阵列式高压发光管。本发明克服正装结构散热不好，侨接电极制备工艺复杂的缺点，进一步拓展高压发光管应用范围。
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