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公开(公告)号：CN117202774A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311401643.2
申请日：2023-10-26
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供了一种氧化铪基铁电电容器的制备方法，应用于低电场操作中，包括：在衬底上形成第一电极层；在第一电极层的表面形成第一氧化铪基铁电薄膜层；在第一氧化铪基铁电薄膜层的表面形成第一插入层；在第一插入层的表面形成第二氧化铪基铁电薄膜层；在第二氧化铪基铁电薄膜层的表面形成第二电极层；其中，第一电极层、第一氧化铪基铁电薄膜层、第一插入层、第二氧化铪基铁电薄膜层以及第二电极层沿远离衬底的方向依次堆叠于衬底上，以形成氧化铪基铁电电容器；在第一温度的条件下，对氧化铪基铁电电容器进行退火处理；其中，第一温度为：330～450℃。本发明提供的技术方案，实现了在低热预算的条件下，制备性能优异的铁电电容存储器的问题。
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公开(公告)号：CN116825812A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310752146.0
申请日：2023-06-25
Applicant: 复旦大学义乌研究院
Abstract: 本发明公开了一种氧化铪基铁电存储晶体管及其制备方法；本发明的制备方法如下：首先，在衬底上沉积W电极，并使用紫外光刻、干法刻蚀进行栅电极隔离，然后，生长氧化铪基铁电薄膜，接着继续沉积W作为金属牺牲层，将所得结构进行快速热退火形成铁电相后将W牺牲层去除，紧接着生长氧化铪薄膜作为界面阻挡层，在此之后，沉积铟镓锌氧作为半导体沟道并通过光刻、湿法刻蚀等工艺形成沟道区域，最后制备源漏电极得到铁电存储晶体管。在本发明的铁电存储晶体管结构中，通过添加氧化铪作为半导体沟道与氧化铪基铁电薄膜的界面阻挡层，来阻挡铁电存储晶体管在不断地擦除和写入过程中的界面注入以及降低界面缺陷，实现高性能的数据存储功能。
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公开(公告)号：CN116666487A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310362929.8
申请日：2023-04-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/112 , H01L31/18 , H01L31/032 , C30B29/40 , C30B25/02 , C30B33/02 , C23C16/40 , C23C16/50
Abstract: 本发明公开了一种具有自供电工作模式的GaN/Ga2O3pn结紫外光电探测器及其制备方法。本发明采用外延生长的方法首先再衬底上生长p‑GaN，然后将元素掺杂的n‑Ga2O3纳米带转移到p‑GaN薄膜上形成pn结，再分别在GaN/Ta:Ga2O3pn结的两边制备p型和n型接触电极，并将制备的电极分别进行快速热退火以形成欧姆接触，从而得到GaN/Ga2O3pn结自供电紫外光电探测器。本发明的自供电紫外光电探测器具有极低的暗电流，超高的整流比，优异的光响应，超快的响应时间，在人类健康、环境监测、军事、安全通信和太空探测领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN114777666A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210238627.5
申请日：2022-03-11
Applicant: 复旦大学
IPC: G01B11/24
Abstract: 本发明属于微纳制造技术领域，具体为一种基于频谱面探测的多波段多角度微纳米测量装置。本发明装置包括光源、线性渐变滤波片、偏振片、中继镜组、分光镜、显微物镜、后端镜组、频谱面光路连接组成；通过将连续渐变的多个波段的光，各自以不同的角度入射至待测样品上，并通过显微物镜采集，直至在频谱面使用光电探测器同时采集获得包含待测物形貌信息的光信号，并分析处理该光信号，进而获得待测物体的形貌参数信息。相对于传统单角度光谱型、单色光角谱型测量方案而言，能够获得更为广泛的信息，更好的用于微纳米结构的测量。
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公开(公告)号：CN111874954B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202010710054.2
申请日：2020-07-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种基于碳颗粒修饰的介孔氧化铁纳米棒结构的气敏纳米材料、制备工艺及其应用。本发明采用自牺牲模板法，对溶剂热法制备得到的模板材料Fe‑MOF纳米棒进行一步煅烧的工艺，得到了碳颗粒修饰的介孔氧化铁纳米棒异质结构。本发明的材料制备方法具有成本低、合成工艺简单、制备效率高和可规模化生产等优点。制得的异质气敏纳米材料能够对ppb级微量丙酮气体实现超灵敏、高选择性探测，不仅能够广泛应用于化工产业和实验室等气体泄漏排放的监测，同时应用于人体呼出气检测可实现对I型糖尿病的筛查，应用于环境检测和医疗健康领域。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN111834467A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910322519.4
申请日：2019-04-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/34
Abstract: 本发明提供了一种与Si工艺兼容的NixSiy/Ga2O3肖特基二极管及其制备方法，用于在标记片上形成肖特基电极以及欧姆电极，该标记片的工作面具有第一区域、第二区域以及第三区域，包括以下步骤：将Ga2O3薄膜覆盖在第一区域上，然后将Ga2O3薄膜的表面以及工作面全部涂胶；在Ga2O3薄膜的表面以及工作面光刻去胶得到阳极窗口；在阳极窗口处溅射沉积Si以及Ni；将去胶的标记片在惰性气氛、预定温度下快速退火预定时间；在第一区域以及第三区域制作具有Ga2O3的欧姆电极，从而得到NixSiy/Ga2O3肖特基二极管。本发明制得的NixSiy/Ga2O3肖特基电极具有较低的电阻率，优异的热稳定性，在满足与硅工艺相兼容的情况下能够制得势垒高度可调的NixSiy/Ga2O3肖特基阳极，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN110589754A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910861740.7
申请日：2019-09-12
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于压力测量技术领域，具体为一种柔性水下压力传感器及其制备方法。本发明的压力传感器包括从下而上紧密贴合的下层柔性基底、力敏结构层和上层柔性封装层；下层柔性基底为聚酰亚胺薄膜，其下表面设有圆柱状空腔，空腔的腔壁上设置用以与外部水环境连通的微流道；力敏结构层从下至上包括下部电极层、柔性压电材料层和上部电极层，柔性压电材料层是具有压电特性的聚偏氟乙烯材料；上层柔性封装层是具有防水性的聚对二甲苯材料。本发明工艺简单、易于阵列化制造；制得的传感器具有柔性好、超薄超轻、可测量水下动态压力信号等优点。
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公开(公告)号：CN109742012A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811530397.X
申请日：2018-12-14
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种用于改善硅超晶格薄膜光电特性的低温微波退火方法。该方法的具体步骤如下：步骤1，退火前，对微波退火腔预先通入惰性气体，使得腔内为纯净的惰性气氛；步骤2，继续通入惰性气体作为退火气氛，将硅超晶格薄膜放入微波退火腔的中间位置，设定退火功率和退火过程中的最高温度，并设定相应时长的退火时间，开始微波退火；其中：退火过程中的最高温度为300~500℃；步骤3，微波退火结束后，待腔内温度自然冷却，得到改性优化的硅超晶格薄膜。本发明方法可靠性高，可重复性强，其用于制备改性优化的硅超晶格薄膜成品率高，为硅超晶格薄膜的低温退火提供了一种具有指导意义的方法。
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公开(公告)号：CN103337469B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310235743.2
申请日：2013-06-15
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/768 , H01L21/3205
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种原位沉积阻挡层和籽晶层的系统和方法。本发明提出的原位沉积系统包括沉积系统，进气、排气系统，管路控制系统，等离子体发生系统等。本发明所提出的采用原位沉积的铜互连流程包括：刻蚀出需要沉积的沟槽；转移到原位沉积腔后顺次通入五（二甲胺基）钽和含氮等离子体进行氮化钽扩散阻挡层的沉积；原位顺次通入二（六氟乙酰丙酮）化铜和二乙基锌进行铜籽晶层的沉积；取出硅片进行电化学沉积铜；化学机械抛光去除多余的铜。
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