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发明公开
一种氧化铪基铁电存储晶体管及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN116825812A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310752146.0

申请日：2023-06-25

Applicant: 复旦大学义乌研究院

Inventor： 卢红亮 , 刘胤池 , 刘文军

IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/34 , H10B51/30

Abstract: 本发明公开了一种氧化铪基铁电存储晶体管及其制备方法；本发明的制备方法如下：首先，在衬底上沉积W电极，并使用紫外光刻、干法刻蚀进行栅电极隔离，然后，生长氧化铪基铁电薄膜，接着继续沉积W作为金属牺牲层，将所得结构进行快速热退火形成铁电相后将W牺牲层去除，紧接着生长氧化铪薄膜作为界面阻挡层，在此之后，沉积铟镓锌氧作为半导体沟道并通过光刻、湿法刻蚀等工艺形成沟道区域，最后制备源漏电极得到铁电存储晶体管。在本发明的铁电存储晶体管结构中，通过添加氧化铪作为半导体沟道与氧化铪基铁电薄膜的界面阻挡层，来阻挡铁电存储晶体管在不断地擦除和写入过程中的界面注入以及降低界面缺陷，实现高性能的数据存储功能。

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