公开(公告)号：CN116666487A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310362929.8

申请日：2023-04-07

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  曾光

IPC: H01L31/112 ,  H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  C30B29/40 ,  C30B25/02 ,  C30B33/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50

Abstract: 本发明公开了一种具有自供电工作模式的GaN/Ga2O3pn结紫外光电探测器及其制备方法。本发明采用外延生长的方法首先再衬底上生长p‑GaN，然后将元素掺杂的n‑Ga2O3纳米带转移到p‑GaN薄膜上形成pn结，再分别在GaN/Ta:Ga2O3pn结的两边制备p型和n型接触电极，并将制备的电极分别进行快速热退火以形成欧姆接触，从而得到GaN/Ga2O3pn结自供电紫外光电探测器。本发明的自供电紫外光电探测器具有极低的暗电流，超高的整流比，优异的光响应，超快的响应时间，在人类健康、环境监测、军事、安全通信和太空探测领域具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN116885031A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202310890403.7

申请日：2023-07-20

Applicant: 复旦大学义乌研究院

Inventor： 卢红亮 ,  曾光

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种Pt表面等离激元增强的Ga2O3 SBD型日盲紫外光电探测器及其制备方法。本发明首先在Si衬底上生长SiO2，再将本征的Ga2O3纳米带机械剥离转移到已制备金属标记的SiO2薄膜衬底上，并在纳米带的两边对称制备接触电极，紧接快速热退火以形成欧姆接触；然后继续在纳米带上制备肖特基接触电极，最后，特定尺寸的Pt等离激元阵列被制备在纳米带的表面，从而得到Ga2O3SBD型日盲紫外光电探测器。本发明的Pt表面等离激元增强的Ga2O3 SBD型日盲紫外光电探测器具有极低的暗电流，超高的整流比，优异的光响应度，快速的响应时间，在军事、环境监测、医疗、通信和太空探测领域具有广泛的应用前景。