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公开(公告)号：CN116885031A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310890403.7
申请日：2023-07-20
Applicant: 复旦大学义乌研究院
IPC: H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种Pt表面等离激元增强的Ga2O3 SBD型日盲紫外光电探测器及其制备方法。本发明首先在Si衬底上生长SiO2，再将本征的Ga2O3纳米带机械剥离转移到已制备金属标记的SiO2薄膜衬底上，并在纳米带的两边对称制备接触电极，紧接快速热退火以形成欧姆接触；然后继续在纳米带上制备肖特基接触电极，最后，特定尺寸的Pt等离激元阵列被制备在纳米带的表面，从而得到Ga2O3SBD型日盲紫外光电探测器。本发明的Pt表面等离激元增强的Ga2O3 SBD型日盲紫外光电探测器具有极低的暗电流，超高的整流比，优异的光响应度，快速的响应时间，在军事、环境监测、医疗、通信和太空探测领域具有广泛的应用前景。
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