面向MEMS立体封装和组装的锡球凸点键合方法

    公开(公告)号:CN101857188A

    公开(公告)日:2010-10-13

    申请号:CN201010222496.9

    申请日:2010-07-09

    Abstract: 面向MEMS立体封装和组装的锡球凸点键合方法,属于MEMS器件的封装互连和组装领域。它解决了现有MEMS器件的封装键合工艺没有实现标准化,现有MEMS器件的自动化键合技术仅适用于特定焊盘平面的激光凸点制作,不能够将凸点制作及互连一体化实现,并且不适于进行MEMS器件立体封装的问题。它首先将待键合芯片运送到图像采集装置的视觉系统工作区域,采集图像信息,然后计算得到待键合芯片的所有待键合焊盘中心的位置,同时存储所有位置信息;然后根据位置信息,规划植球键合路径;根据植球键合路径对每一个焊盘进行键合:它包括由吸嘴吸取微钎料球、释放微钎料球在焊盘中心及完成键合。本发明用于对MEMS器件进行立体封装。

    一种微米In与纳米Cu@Ag核壳混合材料互连工艺

    公开(公告)号:CN115410934B

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202210853994.6

    申请日:2022-07-20

    Abstract: 本发明公开了一种微米In与纳米Cu@Ag核壳混合材料互连工艺,所述工艺包括如下步骤:步骤一:微米In与纳米Cu@Ag核壳混合焊膏的制备;步骤二:基板的处理;步骤三:焊膏的涂覆/印刷;步骤四:热压/电磁感应烧结。微米In与纳米Cu@Ag核壳能够相互配合,充分利用空间,降低孔隙率,能够大幅度地降低原材料的成本,在产业化大批量生产中发挥巨大优势。本发明可实现低温连接高温服役,不仅降低了互连温度和互连条件,还可有效的减少形成接头中的孔隙和孔洞,可在低温无压条件下将芯片与基板互连,完成半导体器件的连接封装,能够较好的应用于半导体器件的制造和微电子封装、电力电子封装等领域。

    一种掺杂多孔碳纳米球的二氧化锡基气敏涂料的制备方法及应用

    公开(公告)号:CN116790140B

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202310759097.3

    申请日:2023-06-26

    Abstract: 一种掺杂多孔碳纳米球的二氧化锡基气敏涂料的制备方法及应用。所述方法为:将多孔碳纳米球分散在去离子水中,加入二氧化锡粉末,先后进行搅拌、超声和涡旋振荡得到均匀的混合溶液;在混合溶液中加入硝酸银,在60℃下搅拌反应,随后进行离心、洗涤,得到SnO2/多孔碳纳米球@Ag材料;将所得材料溶解于无水乙醇中混匀,将混匀后的气敏涂料涂覆至带电极的陶瓷管表面,待涂料干燥后重复数次,得到SnO2/多孔碳纳米球@Ag气敏传感器。本发明的纳米涂料可在100℃的温度下对异丙醇具备良好的传感特性,可有效解决目前的传感器工作温度较高的问题。具有工艺简单、成本低廉的特点。

    一种Cu@In核壳结构微米金属互连工艺

    公开(公告)号:CN116504654A

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202310045231.3

    申请日:2023-01-30

    Abstract: 本发明提供了一种核壳结构的微米金属互连工艺,包括使用化学镀的方法得到Cu@In核壳结构粉末,将Cu@In核壳结构粉体与不同种类的助焊膏混合制备成钎焊膏,通过丝网印刷将上述钎焊膏印刷至基板上,静置15‑60min后将芯片从互连材料上方缓慢压入覆盖在其表面,再将其整体置于200‑250℃空气环境下保温2‑60min得到互连器件;本发明制备的壳层金属形态致密、尺寸均匀可控,易在较低温度下发生原子扩散,与微米铜颗粒连接在一起,形成互连体系,不仅提高了核层微米铜颗粒的抗氧化性与稳定性,还大大降低了互连温度和互连条件;可在低温无压条件下将芯片与基板互连,完成半导体器件的连接封装,能够较好的应用于半导体器件的制造和微电子封装、电力电子封装等领域。

    适用于高功率电子器件或组件的电磁感应快速连接方法

    公开(公告)号:CN113199103A

    公开(公告)日:2021-08-03

    申请号:CN202110655360.5

    申请日:2021-06-11

    Abstract: 本发明公开了一种适用于高功率电子器件或组件的电磁感应快速连接方法,所述方法包括如下步骤:步骤S1、对待连接基板焊盘进行表面处理;步骤S2:将键合材料转移至待连接基板焊盘区域并与芯片装配成三明治结构,并施加压强;步骤S3、将三明治结构转移至电磁感应设备上方,采用电磁感应热源对键合材料进行原位加热或熔化,完成键合过程后,键合材料冷却形成接头。本发明充分利用电磁感应的热效率高,实现极短时间内的局部互连;相对于传统的电磁感应焊接工艺,具有润湿铺展更充分、焊缝缺陷少、焊接时灵活性高、接头性能良好和可靠性高的特点。

    一种单相纳米银铜合金固溶体焊膏及其制备方法

    公开(公告)号:CN109332939B

    公开(公告)日:2021-03-23

    申请号:CN201811436196.3

    申请日:2018-11-28

    Inventor: 王春青 郑振 刘威

    Abstract: 本发明公开了一种具有烧结连接性能的纳米银铜合金固溶体焊膏及其制备方法,所述纳米银铜合金固溶体焊膏按质量百分比由单相纳米银铜合金颗粒80%~90%、分散剂2%~8%、修饰剂2%~8%、稀释剂2%~8%和助焊剂2%~8%制成,本发明属于材料技术领域,采用一步液相还原法直接还原出单一银相的银铜合金纳米颗粒,该银铜纳米合金颗粒中银铜质量比灵活,可在银铜质量比0.1~10:1区间内任意调控,本方法具有方法简单,生产效率高,工艺适用范围广的特点,该材料连接性能优异,且克服了单一纳米银、纳米铜的在连接应用过程中的局限性,具有低温连接高温服役,连接施加压力小,连接时间短,抗氧化性强、抗电迁移及抗电化学迁移能力强、相对成本低的优势。

    BGA芯片焊点质量红外无损检测方法

    公开(公告)号:CN112129780A

    公开(公告)日:2020-12-25

    申请号:CN202011015104.1

    申请日:2020-09-24

    Abstract: 一种BGA芯片焊点质量红外无损检测方法,属于印刷电路板焊点质量无损检测技术领域,具体方案包括以下步骤:步骤一、将电热膜与待测BGA芯片远离焊点的一面紧密贴实,电热膜与电源连接;步骤二、将红外热像仪正对电路板远离焊点的表面上的过孔位置或电路板焊接焊点的表面上扇出的引线位置;步骤三、同时打开电源和红外热像仪,电源将电热膜加热,红外热像仪测试并记录过孔位置或引线位置的温度信息,得到过孔位置或引线位置的热像图;步骤四、在相同的参数下,对比待测BGA芯片过孔位置或引线位置的热像图与具有标准焊点的BGA芯片相应位置的热像图,判别待测BGA芯片焊点的质量。本发明设备价格相对便宜;操作简单快捷,检测高效,结果判别容易。

    扫描式电路板焊点虚焊自动检测系统及检测方法

    公开(公告)号:CN111735850A

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN202010591848.1

    申请日:2020-06-24

    Abstract: 扫描式电路板焊点虚焊自动检测系统及检测方法,属于印刷电路板焊点质量离线检测技术领域,具体方案如下:扫描式电路板焊点虚焊自动检测系统,包括振镜式扫描激光器、数码光学显微镜、红外热像仪和计算机,振镜式扫描激光器包括激光头和系统平台,激光头设置在系统平台的上方并与系统平台电连接,红外热像仪和数码光学显微镜分别位于激光头的旁侧,红外热像仪和数码光学显微镜的视野重合并位于激光头在待测电路板的扫描范围内,红外热像仪与计算机电连接,数码光学显微镜与计算机或者系统平台电连接。本发明突破性地解决了电路板焊点虚焊难以检测的业界传统难题,具有操作简便,自动化智能化的特点,市场前景广阔。

    一种纳米IMC均匀增强锡基合金接头的制备方法

    公开(公告)号:CN110961826A

    公开(公告)日:2020-04-07

    申请号:CN201911359229.3

    申请日:2019-12-25

    Inventor: 王春青 刘威

    Abstract: 本发明公开了一种纳米IMC均匀增强锡基合金接头的制备方法,所述方法包括如下步骤:将锡-金属熔液灌入喷粉机,喷熔液液滴于保护气氛中,熔滴冷却,金属从溶液中析出,在不断凝固的液滴中形成分散的纳米尺度的IMC,液滴冷却成纳米IMC均匀增强锡基粉末;将纳米IMC均匀增强锡基粉末与分散剂、粘结剂、稀释剂以及助焊剂混合,得到纳米IMC均匀增强锡基焊膏;用常规的方法印刷或滴涂于待焊部位;加热焊接,形成接头。本发明可实现纳米颗粒在钎料合金中的均匀分布,保证纳米金属、纳米IMC与钎料合金基体的有效反应,有效提高钎料合金熔点,并获得均匀的组织、高的钎料合金强度。

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