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公开(公告)号：CN100375240C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200410102595.8
申请日：2004-12-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/335 , H01L21/8234 , H01L29/772
CPC classification number: H01L29/66507 , H01L21/28097 , H01L29/458 , H01L29/4908
Abstract: 本发明是关于一种金属硅化栅极的形成方法及具有金属硅化栅极的晶体管，其形成方法适用于具有至少一栅极以及多个源/漏极区的一基底，包括下列步骤：借由一第一材料以于该些源/漏极区上形成一第一金属硅化物，该第一金属硅化物具有一第一厚度；以及借由一第二材料以于该栅极内形成一第二金属硅化物，其中该第二金属硅化物具有一第二厚度，其中该第二厚度比该第一厚度厚，且形成该第二金属硅化物时，该些源/漏极区内的该第一金属硅化物具有阻障功能，可避免于该些源/漏极区内产生金属二次硅化。本发明可明显改善其超浅接合结构的可靠度，可在不增加接合漏电流的情形下减少于源/漏极区与栅电极的寄生电阻、片电阻、以及接触电阻，且可避免接合漏电流或尖峰放电情形。
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公开(公告)号：CN1274877C
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN02103508.3
申请日：2002-02-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种钨金属化学气相沉积法中原子层沉积的方法，包括下列步骤：(a)使用一第一反应气体进行化学气相沉积制程，以形成一第一反应气体原子沉积层；(b)将该第一反应气体作用完的剩余气体抽除；(c)使用一第二含钨反应气体进行化学气相沉积制程，以形成一相对于该第一反应气体原子沉积层的第二含钨反应气体原子沉积层；(d)将该第二含钨反应气体作用完的剩余气体抽除；(e)重复上述(a)至(d)步骤至少一次，形成循环周期；(f)在上述循环周期中，选择于部分周期重复实施步骤(c)和(d)至少一次。
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公开(公告)号：CN1734764A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510084139.X
申请日：2005-07-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/562 , H01L23/585 , H01L23/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是有关于一种具有预防裂痕的环状结构的半导体装置及其制造方法，以避免在分割成晶粒的过程中使集成电路产生破裂及脱层的现象。本发明的破痕预防环状结构垂直延伸穿入一半导体工件，并且到达集成电路的金属层。此外，破痕预防环状结构与集成电路的测试垫制程相同，故可同时完成制程。此破痕预防环状结构内可形成一气室于集成电路的保护层下方。此气室可以金属或半填满增加预防破痕的结构强度。本发明亦于破痕预防环状结构与集成电路之间形成密封环状区域。
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公开(公告)号：CN1722369A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200410102595.8
申请日：2004-12-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/335 , H01L21/8234 , H01L29/772
CPC classification number: H01L29/66507 , H01L21/28097 , H01L29/458 , H01L29/4908
Abstract: 本发明是关于一种金属硅化栅极及其形成方法，其形成方法适用于具有至少一栅极以及多个主动区的一基底，包括下列步骤：借由一第一材料以于该些主动区上形成一第一金属硅化物，该第一金属硅化物具有一第一厚度；以及借由一第二材料以于该栅极内形成一第二金属硅化物，其中该第二金属硅化物具有一第二厚度，其中该第二厚度较该第一厚度为厚，且形成该第二金属硅化物时，该些主动区内的该第一金属硅化物具有阻障功能，可避免于该些主动区内产生金属二次硅化。本发明可明显改善其超浅接合结构的可靠度，可在不增加接合漏电流的情形下减少于主动区与栅电极的寄生电阻、片电阻、以及接触电阻，且可避免接合漏电流或尖峰放电情形。
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