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公开(公告)号：CN108983445B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201810999804.5
申请日：2018-08-30
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种光纤声光器件应力可调节支架及其系统和安装方法。本发明采用在一维精密平移装置上固定光纤支架，从而对光纤施加轴向应力，并且通过辅助安装设备使声光驱动角锥的尖端与光纤重合；本发明解决了光纤声光器件在使用中应力需要随时调整的问题，并且兼顾了不同应用的光纤声光器件的灵活性，为光纤声光器件真正实用化提供了必要的结构；同时本发明提出了辅助安装设备，该结构调整灵活，可重复利用，能够满足光纤声光器件应力可调节支架的批量安装使用，解决了生产过程中声光角锥与光纤精密对准的问题；本发明使光纤声光器件真正进行脱离实验室走向应用，为其在全光纤通信、全光纤传感、全光纤激光器等领域的应用奠定了坚实的基础。
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公开(公告)号：CN115857247A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211608312.1
申请日：2022-12-14
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明提供了一种非线性光学效应的生成方法，涉及光电子技术领域，包括：固定放置极性离子晶体作为非线性介质，极性离子晶体为具有光学声子模式的双原子晶体或多原子晶体；利用调制太赫兹波在非线性介质中激发受激声子极化激元，以增强入射非线性介质的信号光的非线性效率；调节信号光和/或调制太赫兹波的偏振角度和入射角度，以生成非线性光学效应。本发明基于受激声子极化激元调制的光与物质相互作用特点，利用受激声子极化激元大幅度提高非线性极化率，可以使得多数波长的光实现高效的弱光非线性效应；实现的非线性光学效应具有高刷新率、宽光谱响应、低阈值低功耗等优点。
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公开(公告)号：CN112899781B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110074754.1
申请日：2021-01-20
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种铋锌双掺铌酸锂晶体及其制备方法和用途，属于非线性光学晶体领域。本发明提供的铋锌双掺铌酸锂晶体由纯度为99.99％的LiCO3、Nb2O5、Bi2O3和ZnO制成，其中，Li和Nb的原子摩尔比为0.90～1.0，Bi2O3的掺杂摩尔分数为0.50％～1.25％，ZnO的掺杂摩尔分数为5.00％～8.00％。本发明制备的铋锌双掺铌酸锂晶体的光折变效应显著增强，相比熟知的名义纯铌酸锂晶体响应时间缩短2个数量级，光折变灵敏度提高2个数量级；相比目前报道最优的铋镁双掺铌酸锂晶体，饱和衍射效率提高12.9％，响应时间缩短10.1％，同时抗光损伤能力提高1个数量级，并且易于生长掺锌浓度可达8.0mol％。
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公开(公告)号：CN114361331A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111404360.4
申请日：2020-12-10
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种铌酸锂半导体结构的制备方法，包括以下步骤：S100，提供铌酸锂材料薄膜，所述铌酸锂材料薄膜的铁电畴极化方向沿第一方向；S200，在所述铌酸锂材料薄膜表面间隔设置多个第一电极层和多个第二电极层，多个所述第一电极层和多个所述第二电极层形成叉指电极；S300，给所述第一电极层和所述第二电极层施加脉冲电压，使得所述第一电极和所述第二电极之间的所述铌酸锂材料薄膜的铁电畴极化方向反转为沿第二方向，所述第二方向与所述第一方向相反。
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公开(公告)号：CN110749552B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201911213678.7
申请日：2019-12-02
Applicant: 南开大学
Abstract: 本申请涉及一种确定材料二阶非线性极化率的系统及方法。确定材料二阶非线性极化率的系统包括激光光源、偏振调制器、光线收集器、偏振探测器和控制器。所述控制器可以根据所述测试数据得出所述待测试样品的二阶非线性极化率。所述确定材料二阶非线性极化率的系统既可以直接测试百纳米级厚度的材料，又可以根据所述光学系统的测试结果绘制材料二阶非线性极化率拟合曲线。进一步，所述确定材料二阶非线性极化率的系统可以通过材料二阶非线性极化率拟合曲线得出不同的二阶非线性极化参数之间的比值关系和相位关系，避免了对绝对效率的多次测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112054086A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010945696.0
申请日：2020-09-10
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/18 , H01L31/0352
Abstract: 本发明涉及一种横向结硅基光电探测器的制备方法，通过脉冲激光制备出的黑硅表面与未加工硅区域之间的载流子导电类型或浓度差异形成横向pn结或异质结，并经由后继退火，钝化，光刻，电极制备等工艺，可形成具有横向结的黑硅光电探测器。该横向结硅基光电探测器在反偏电压下，可高效吸收光子产生电子‑空穴对，并在外电场作用下沿横向迁移，最终形成横向光电流，从而实现光信号探测。本发明具有工艺简单，原材料易获取，易操控，与现有半导体器件工艺兼容等优点，本发明所制备的横向结硅基光电探测器与传统纵向结构探测器相比，一方面有效抑制了暗电流，提高了器件的探测率，另一方面精简了器件的制备流程，更利于器件的制备与集成。
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公开(公告)号：CN107627025B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201710844768.0
申请日：2017-09-15
Applicant: 南开大学
IPC: B23K26/352 , B23K26/60 , B23K26/12
Abstract: 本发明公开了一种宽带隙晶体材料表面微纳结构的制备方法。将选取的宽带隙晶体材料清洗干净后置于加工腔内，加工腔内可以是真空(真空度为10‑2‑10‑5Pa)也可以通入一定气压(＜1bar)的气体，气体可以为六氟化硫、氯气等刻蚀性气体，也可以为氮气、氦气、氩气甚至空气等非刻蚀性气体。然后对样品进行加热(温度范围20～1500℃)，并利用超短脉冲激光(波长可以为紫外至近红外，脉宽可以为5fs‑5000fs，超短脉冲激光的通量范围为1kJ/m2‑100kJ/m2)辐照样品表面制备微纳结构。本发明解决了常温下宽带隙晶体材料在受到超短脉冲激光辐照时引起的库仑爆炸问题，实现了宽带隙材料表面微纳结构的制备，而且能够通过控制入射激光能量和辐照时间的方法，控制微纳结构的大小。
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公开(公告)号：CN110261951A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910598746.X
申请日：2019-07-04
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种高性能表面增强手性光学响应的圆偏振二色性器件及方法。本发明采用基底的表面具有倾斜角进行离子束溅射贵金属，垂直于基底表面的掩膜微球的投影区域内也部分溅射有贵金属薄膜，以掩膜微球作为掩膜版，对没有被掩膜微球覆盖的贵金属薄膜的区域进行刻蚀，相邻掩膜微球之间裸露在外的贵金属薄膜被刻蚀掉，垂直于基底表面的掩膜微球的投影区域内的贵金属保留下来，去除掩膜微球，得到形成在基底上的金属新月阵列；本发明的金属新月阵列的周期可控，大面积、低成本、均匀、环保、巨大圆二色光学活性、响应波段可调等优点，满足理论研究和实际应用的需要；本发明为手性光学的理论研究和实际应用提供了强大工具和坚实基础。
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公开(公告)号：CN109913813A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910236425.5
申请日：2019-03-26
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明属于铁电薄膜制备及其应用领域。铌酸锂靶材在高能脉冲激光的作用下形成等离子态余晖，之后沉积到衬底上形成薄膜，该方法制备的薄膜厚度均匀、致密性好，但容易出现复杂多晶的问题，限制了其在纳米铁电畴、片上集成光学等领域的应用。本发明公布一种基于脉冲激光沉积法结合两步控制氧气压制备良好外延取向铌酸锂薄膜的技术方法。薄膜沉积过程中，首先控制较高氧气压抑制其非特征晶向生长，然后控制较低氧气压促进其特征晶向择优生长。该方法解决了薄膜出现复杂多晶的问题，操作简捷、易于制备纳米级高质量外延取向铌酸锂薄膜。所制备薄膜可应用于制备波导、微腔、电光调制器等功能器件。
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公开(公告)号：CN109164684A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201811226681.8
申请日：2018-10-22
Applicant: 南开大学
IPC: G03F7/20 , G03F7/42 , G02F1/1337
Abstract: 本发明公开了一种基于掩模曝光法的大面积面外液晶区域定向方法及其系统，本方法使用掩模曝光系统构建聚合物微结构；聚合物微可由不同区域构成，每个区域的特征尺寸在几十微米量级，且区域内的液晶定向均匀；聚合物微结构的总体尺寸可从几十平方微米量级到平方分米量级，从而满足大面积加工要求，并且可以随意调整基板表面的加工范围和结构设计。本发明定向方法及系统操作简单，不需要使用机械或光诱导的方式在基板上形成定向诱导膜，能够在微米量级区域实现液晶的自定向，定向方向可以微区域调控，有利于液晶器件的微型化和三维的液晶结构定向，可广泛的推广应用。
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