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公开(公告)号：CN112768530A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110147386.9
申请日：2021-02-03
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种高K围栅场介质纵向双扩散功率器件，包括半导体漂移区、设置在半导体漂移区上方的半导体阱区、以及设置在半导体漂移区下方的半导体漏区；还包括高K围场介质，将高K围场介质上部刻蚀形成高K围栅介质；所述半导体阱区上方设置有半导体体接触区和半导体源区。本发明在开态时，高K围栅介质降低了器件的阈值电压、沟道电阻以及栅极泄漏电流，增加了器件的跨导和输出电流；栅端金属电极、高K围栅场介质和半导体漂移区构成了MIS电容，在开态时，在漂移区与高K围栅场介质界面处产生电子积累层，降低器件的比导通电阻；在关态时，高K围栅场介质对漂移区有辅助耗尽作用，能够使漂移区具有更高的掺杂浓度，降低器件的比导通电阻。
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公开(公告)号：CN110426974A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910729459.8
申请日：2019-08-08
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G05B19/042
Abstract: 一种基于正交相位选通的等效采样控制电路，其中，触发信号产生电路采用VCO产生5GHz精准频率信号，依次经过2分频、4分频、8分频电路，形成基于5GHz的相分8分频625MHz信号，由FPGA控制电路控制时钟选通电路对8路分频时钟信号进行选通控制，按照同一周期内的相序逐次驱动ADC采样时钟，从而实现对反射脉冲的8个周期不同相位的信号幅值进行采样，高速ADC电路预先设置接收信号频率为6.25MHz，则每路触发信号经过100个周期可以完成一个周期的采样，然后离散波形重构电路对这些样本值按照采样时间和触发相位顺序组合形成完整的回波信号。本发明具有数字集成度高，探测速度快，分辨率高等特点。实现了对回波信号的良好接收，采样效率提高80%。
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公开(公告)号：CN110415751A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910720675.6
申请日：2019-08-06
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 一种可参数化配置的存储器内建自测试电路，该电路包括信号生成模块101、数据选择模块102、JTAG模块103及主控制器104。所述信号生成模块101、数据选择模块102与主控制器104相连，所述数据选择模块102、JTAG模块103与信号生成模块101相连，所述JTAG模块103与外部TAP控制器105相连，所述数据选择模块102与外部待测存储器106相连。其中，每片待测存储器对应一个信号生成模块与一个数据选择模块。本发明提出了一种可综合、可编程、可配置的存储器测试电路，易于集成、使用灵活。
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公开(公告)号：CN119230612A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411733732.1
申请日：2024-11-29
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L27/07 , H01L29/872 , H01L29/417
Abstract: 本发明公开了一种提升耐短路能力的内嵌SBD的SiC功率器件，包括金属漏极、N型掺杂半导体衬底、N型掺杂半导体外延层、N型掺杂半导体JFET区、栅极深沟槽、金属栅极、源极浅沟槽、SBD金属、P型掺杂半导体屏蔽层和金属源极。金属栅极嵌设在栅极深沟槽顶部。本发明中的SBD金属、源极浅沟槽和P型掺杂半导体屏蔽层，能减少器件短路时的电流密度，降低器件在短路时的温度，避免器件发生热击穿、以提高器件的耐短路能力。另外，本发明中填充有高K电介质的栅极深沟槽，能调制漂移区的电势分布，以保证低导通电阻和高反向击穿电压，从而兼顾器件的导通电阻和耐短路能力的改善，有效调和二者的矛盾关系。
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公开(公告)号：CN119126909A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411623866.8
申请日：2024-11-14
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明提供了一种宽输入范围的预稳压电路，带载能力强，随温度变化小，输出电压好调。在能隙基准1.2V电压的基础上，利用三极管和电容的温度系数相反的特性，产生一个随温度变化小的电源电压，在‑50°‑125°温度范围内，电源压降在200mV下，电压大小可按要求调节。以5V电源电压为例，本发明在5.7V‑60V的输入电压范围内可以产生稳定的5V电压，在5.7V以下电压会随输入电压降低。本发明考虑到基准模块等轻载低压模块需要更为稳定的电源电压，设计了两级输出结构，第一级供轻载模块使用，第二级供重载模块使用。本发明带载能力强，经过仿真发现可以带载20mA。在电流负载突变时输出电压也可极快稳定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118943199A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411433922.1
申请日：2024-10-15
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了分裂高K金属栅超结碳化硅沟槽MOSFET及制备方法，包括半导体漏区、半导体N型漂移区、半导体P型漂移区、P型阱区、半导体N型源区、半导体P型源区和分裂高K金属栅结构；分裂高K金属栅结构包括深槽高K介质区、分裂栅金属和栅极金属；分裂栅金属和栅极金属位于深槽高K介质内部；与分裂高K金属栅结构相接触的半导体N型漂移区界面上，从上至下依次布设有半导体源区、P型阱区和半导体漂移区。本发明在动态时，分裂高K金属栅结构能减小漏栅电容，改善器件的动态性能；深槽高K介质区调制漂移区电场提高击穿电压，提高漂移区浓度降低比导通电阻；深槽高K介质区内部的峰值电场得到降低，提高栅介质稳定性。
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公开(公告)号：CN118839646A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410869328.0
申请日：2024-07-01
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/337
Abstract: 本发明公开了一种基于物理约束的半导体器件工艺结构参数自动改进方法，包括S1：设定预期器件电学性能参数；S2：规划工艺结构参数范围；S3：选择器件电学性能表征方法；S4：定义物理约束条件；S5：设计基于物理知识的目标函数；S6：根据自动设计流程编写程序脚本并运行；S7：获取设计结束后的满足物理约束且改进设计指标的工艺结构参数。本发明基于物理约束，对半导体器件的工艺结构参数进行自动改进，可在数分钟至数小时内给出满足物理约束且改进电学性能的半导体器件工艺结构参数。
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公开(公告)号：CN118839622A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411324053.9
申请日：2024-09-23
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/27 , G06N3/0464 , G06N3/084
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件高精度二维电势仿真的加速方法，包括S1：获取数据集；S2：建立基于引入自注意力机制的深度卷积神经网络或者深度反向投影网络的二维电势预测模型；S3：预测二维电势的近似值；S4：高精度二维电势仿真。本发明利用一种快速且高精度的二维电势仿真方法，实现了半导体器件从结构参数到二维电势分布的高效仿真过程，与基于传统TCAD软件仿真相比，具有仿真速度快，收敛性好，节约计算资源等优点。同时该发明中构建的二维电势预测模型能实现从结构参数到二维电势分布的预测，能提高设计人员的设计效率，节省设计时间。
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公开(公告)号：CN118658571A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202411132962.2
申请日：2024-08-19
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G16C60/00 , G06F30/23 , G06T17/20 , G06F111/10 , G06F119/14 , G06F119/08 , G06F119/02 , G06F111/04 , G06F111/08
Abstract: 本发明公开一种考虑延性损伤的凸点晶体塑性有限元模型的构建方法，属于封装可靠性仿真技术领域，包括如下步骤：S1、对凸点试件开展推球试验，获得凸点的宏观应力‑位移曲线；S2、初步建立二维晶体塑性有限元模型；S3、建立耦合损伤的晶体塑性本构模型，并通过用户自定义材料子程序定义；S4、建立计算模型，采用均匀化方法获得有限元模型的应力‑位移曲线；S5、采用试参法拟合宏观应力‑位移曲线和有限元模型的应力‑位移曲线，调整本构模型中的材料参数。本发明能够精确预测封装凸点在剪切荷载下的变形及失效行为，大幅降低试验和设计成本，为封装结构设计提供参考。
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公开(公告)号：CN118364728B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410788979.7
申请日：2024-06-19
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/27 , G06F18/214 , G06F18/21 , G06F18/24 , G06N20/00 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种基于机器学习和跨尺度迭代耦合的器件电热应力提取方法，包括1、确定参数范围；2、提供参数数值给器件级电学计算工具与封装‑系统级热学计算工具；3、器件级电学计算；4、器件电热应力输出与判断；5、功率损耗计算；6、封装‑系统级热学计算；7、器件‑封装‑系统级电热耦合计算；8、机器学习模型选取与训练；9、器件电热应力预测。本发明提供的跨尺度迭代耦合技术模拟半导体器件实际工作状态下的动态电热耦合效应，显著提高器件电热应力计算精确度。同时通过机器学习辅助计算，实现从半导体器件‑封装‑系统级结构参数、电激励参数、工作时间及环境温度到器件电热应力的预测过程，具有准确性高、计算速度快等优点。
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