公开(公告)号：CN112768530B

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202110147386.9

申请日：2021-02-03

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 姚佳飞 ,  张振宇 ,  郭宇锋 ,  李曼

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种高K围栅场介质纵向双扩散功率器件，包括半导体漂移区、设置在半导体漂移区上方的半导体阱区、以及设置在半导体漂移区下方的半导体漏区；还包括高K围场介质，将高K围场介质上部刻蚀形成高K围栅介质；所述半导体阱区上方设置有半导体体接触区和半导体源区。本发明在开态时，高K围栅介质降低了器件的阈值电压、沟道电阻以及栅极泄漏电流，增加了器件的跨导和输出电流；栅端金属电极、高K围栅场介质和半导体漂移区构成了MIS电容，在开态时，在漂移区与高K围栅场介质界面处产生电子积累层，降低器件的比导通电阻；在关态时，高K围栅场介质对漂移区有辅助耗尽作用，能够使漂移区具有更高的掺杂浓度，降低器件的比导通电阻。

公开(公告)号：CN112768530A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN202110147386.9

申请日：2021-02-03

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 姚佳飞 ,  张振宇 ,  郭宇锋 ,  李曼

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种高K围栅场介质纵向双扩散功率器件，包括半导体漂移区、设置在半导体漂移区上方的半导体阱区、以及设置在半导体漂移区下方的半导体漏区；还包括高K围场介质，将高K围场介质上部刻蚀形成高K围栅介质；所述半导体阱区上方设置有半导体体接触区和半导体源区。本发明在开态时，高K围栅介质降低了器件的阈值电压、沟道电阻以及栅极泄漏电流，增加了器件的跨导和输出电流；栅端金属电极、高K围栅场介质和半导体漂移区构成了MIS电容，在开态时，在漂移区与高K围栅场介质界面处产生电子积累层，降低器件的比导通电阻；在关态时，高K围栅场介质对漂移区有辅助耗尽作用，能够使漂移区具有更高的掺杂浓度，降低器件的比导通电阻。

公开(公告)号：CN111244185B

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202010084930.5

申请日：2020-02-10

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 姚佳飞 ,  张振宇 ,  郭宇锋

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种鳍式横向双扩散功率器件，将衬底上方的有源区制备成鳍式结构，随后采用高介电常数介质覆盖于鳍式有源区的两侧及表面，从三个方向进行对有源区进行调制；将三栅代替原有的表面栅，具有更好的沟道控制能力并降低器件关闭时的漏电流；将常用的氧化硅栅介质变为高k栅介质，能够具有更厚的物理氧化层并改善栅极漏电流的问题。本发明具有高耐压，低导通电阻，低漏电流等优点，适用于高压高频领域。

公开(公告)号：CN115456466A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202211222337.8

申请日：2022-10-08

Applicant: 东南大学溧阳研究院 ,  南京邮电大学

Inventor： 马道广 ,  戴剑丰 ,  周霞 ,  王智伟 ,  张振宇 ,  李征 ,  徐海超 ,  樊嘉杰 ,  王嘉豪 ,  万芳茹 ,  周吉 ,  钱俊良

IPC: G06Q10/06 ,  G06F30/20 ,  G06Q50/06 ,  H02J3/06 ,  H02J3/18 ,  G06F111/04 ,  G06F111/10 ,  G06F113/04

Abstract: 本发明属于电力系统技术领域，提出一种提升新能源电网承载能力的DSSC优化配置方法。步骤包括：S1.构建DSSC的节点等效功率注入数学模型；S2.基于潮流计算方程，提出能够量化电网运行安全性及强弱程度的承载能力效能评估指标；S3.考虑电网整体约束以及DSSC物理与运行约束条件下，以单个规划周期内最大化系统承载能力为目标对接入系统的DSSC进行规划配置；S4.新能源并网后的承载能力指标在保证系统已经求取最大承载能力的前提下，以系统配置成本最低为目标来优化DSSC的安装位置及数量，提升高渗透率新能源并网后系统的承载能力，进而确定DSSC最佳安装位置、容量与承载能力之间的关系。

公开(公告)号：CN111244185A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN202010084930.5

申请日：2020-02-10

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 姚佳飞 ,  张振宇 ,  郭宇锋

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种鳍式横向双扩散功率器件，将衬底上方的有源区制备成鳍式结构，随后采用高介电常数介质覆盖于鳍式有源区的两侧及表面，从三个方向进行对有源区进行调制；将三栅代替原有的表面栅，具有更好的沟道控制能力并降低器件关闭时的漏电流；将常用的氧化硅栅介质变为高k栅介质，能够具有更厚的物理氧化层并改善栅极漏电流的问题。本发明具有高耐压，低导通电阻，低漏电流等优点，适用于高压高频领域。