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公开(公告)号：CN114334617B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210025402.1
申请日：2022-01-11
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , H01L51/40
Abstract: 本发明提供了一种用于基材上有机层光刻图案化的方法，所述方法包括以下步骤：在有机层上提供二氧化硅保护层，在二氧化硅层上提供光刻胶层，使得所述光刻胶层光刻图案化以由此形成图案化的光刻胶层，使用图案化的光刻胶层作为掩模对二氧化硅保护层和有机层进行蚀刻，从而由此形成图案化的保护层和图案化的有机层，在基于有机层上生长了一层SiO2保护层，在后续光刻过程中SiO2层与光刻胶有很好的吸附性，能够呈现出很好的光刻图案；并且能够保护有机半导体层与绝缘层在后续光刻过程中，不被显影液，去胶液和清洗液腐蚀。
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公开(公告)号：CN113505564A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110731873.X
申请日：2021-06-30
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/398 , G06N3/04 , G06N3/08 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种基于深度神经网络的RESURF横向功率器件最优漂移区浓度设计方法，包括：S1：设定器件结构参数范围，获取不同结构参数下最优漂移区浓度的数据集，并对数据集进行预处理；S2：构建和训练由器件结构参数预测器件最优漂移区浓度的深度神经网络模型；S3：将器件结构参数输入预先训练好的深度神经网络模型，获得器件最优漂移区浓度。本发明能够实现对RESURF横向功率器件最优漂移区浓度的预测，其预测误差为5％左右，精准度较高，与传统方法比，快捷高效。
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公开(公告)号：CN119968000A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510112748.9
申请日：2025-01-24
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及功率半导体分立器件设计与制造技术领域，具体的是涉及一种基于横向层掺杂的共聚物有机场效应晶体管，通过引入电极修饰层，改善了电极‑半导体界面态，减少了界面陷阱数量，有效地抑制电学性能的变化，并实现了对偏置应力效应所造成不良影响的显著缓解，提高共聚物有机场效应晶体管的可靠性，本发明提供的方案能够在兼容原有工艺流程的基础上增强有机场效应晶体管长期工作的稳定性，使得器件在实际应用中具有更好的性能保持和更长的使用寿命。
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公开(公告)号：CN119947389A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510074868.4
申请日：2025-01-17
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种双向导通的纵向结构二极管及其制备方法，本发明提供的二极管具备阳极、阴极和有机‑无机异质结；所述阳极覆盖的区域为异质结的P型半导体层，其由无掺杂的本征DPPT‑TT溶液涂覆形成的DPPT‑TT膜组成；所述阴极覆盖的区域为异质结的N型半导体层，其为掺入1019(cm‑3)磷原子的硅片；所述阳极采用铜作为接触材料；所述阴极为铟片。通过引入新的隧道复合电流模式，增强了电荷输运能力。这种新型的异质结结构有效改善了载流子在电极处的注入和传输过程，显著降低了接触电阻。这种电极修饰方案不仅可以提高器件的导电性，还能改善整体的能量传输效率。
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公开(公告)号：CN119835964A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411983946.4
申请日：2024-12-31
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，公开了一种衬底电压调控GaN HEMT功率器件，包括沿器件垂直方向自下而上依次层叠设置的P衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、钝化层和浮空场板结构；沿器件横向方向，在AlGaN势垒层表面依次为相互不接触的源电极、栅极结构和漏电极；所述浮空场板结构包括若干个互不接触的浮空场板，所述P衬底与浮空场板结构中任意一个场板通过金属相连接，使其电位相同，浮空场板电压可调控衬底电压，实现高耐压和抑制动态电阻退化。本发明的有益效果为，在不增加导通电阻的情况下，具有高的耐压且抑制动态电阻崩塌，不增加额外工艺步骤，且不会额外增加芯片面积，节约了成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118678703A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410729873.X
申请日：2024-06-06
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明提供了一种具有浮空场板的垂直结构共聚物有机半导体器件，包括衬底、漏极金属电极、有机半导体层、栅介质层、浮空金属场板、栅极金属电极和源极金属电极；有机半导体层顶部中心设有凹槽，凹槽内沉积有栅介质层；栅介质层顶部中心设有同轴凹槽，凹槽内嵌设有栅极金属电极；环状漏极金属电极和环状源极金属电极同轴布设在衬底表面和有机半导体层表面；位于栅极金属电极和漏极金属电极之间的有机半导体层形成为纵向漂移区；栅介质层内部嵌设有浮空金属场板，浮空金属场板的纵向长度可根据耐压要求进行选择。本发明能拓展耗尽层宽度，削弱电场峰值，对漂移区内击穿电场进行调控，从而提高器件整体的耐压性能。
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公开(公告)号：CN118364728A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410788979.7
申请日：2024-06-19
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/27 , G06F18/214 , G06F18/21 , G06F18/24 , G06N20/00 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种基于机器学习和跨尺度迭代耦合的器件电热应力提取方法，包括1、确定参数范围；2、提供参数数值给器件级电学计算工具与封装‑系统级热学计算工具；3、器件级电学计算；4、器件电热应力输出与判断；5、功率损耗计算；6、封装‑系统级热学计算；7、器件‑封装‑系统级电热耦合计算；8、机器学习模型选取与训练；9、器件电热应力预测。本发明提供的跨尺度迭代耦合技术模拟半导体器件实际工作状态下的动态电热耦合效应，显著提高器件电热应力计算精确度。同时通过机器学习辅助计算，实现从半导体器件‑封装‑系统级结构参数、电激励参数、工作时间及环境温度到器件电热应力的预测过程，具有准确性高、计算速度快等优点。
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公开(公告)号：CN117766588A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202410196269.5
申请日：2024-02-22
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提出了一种具有延伸漏结构的超结双SOI‑LDMOS器件及制造方法，该器件包括：位于第二埋氧层上的第二SOI层，包括半导体区和半导体延伸漏接触区；位于第一埋氧层上的第一SOI层，包括体接触区、源区、漏区以及漂移区；漏极金属，其中漏极金属的第一部分平行于器件纵向的一侧面与第一埋氧层接触，其下表面与半导体延伸漏接触区的上表面；漏极金属的第二部分与半导体漏区的上表面接触。本发明在器件导通时利用第二SOI层中交替排列的第一半导体区和第二半导体区和延伸漏结构，使得第一SOI层漂移区表面感应出多数载流子，降低了比导通电阻；也在器件关断时改善了漂移区的势场分布从而提高了击穿电压。
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公开(公告)号：CN117713511A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410079715.4
申请日：2024-01-19
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H02M1/08 , H03K17/042 , H03K17/082 , H03K17/12 , H03K17/687 , H02M1/00
Abstract: 本发明涉及一种单电源可调驱动电阻SiC MOSFET驱动电路，包括电源电路、可变栅极电阻驱动电路、以及用于测试目标SiC MOSFET Q5开关特性的双脉冲测试电路，通过在目标SiC MOSFET Q5开通/关断过程的不同阶段切换不同的驱动电阻，提高了目标SiC MOSFET Q5的开通/关断速度，其中在器件开通/关断的漏源电流变化的时期，采用一个电阻对目标SiC MOSFET Q5栅极进行充电和放电，减小器件开通/关断延时，提高电压和电流的上升速率。在器件开通/关断的其余时期增大驱动电阻抑制目标SiC MOSFET Q5开关过程中的电压和电流尖峰和振荡，相比于传统驱动电路，能够在有效抑制电压、电流超调和振荡的同时保持较低的开关损耗，提高目标SiC MOSFET Q5的栅极驱动性能，并且电路结构简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN117614432A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311428545.8
申请日：2023-10-30
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H03K17/687 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提出了一种提升体硅LDMOS性能的动态背栅控制系统及体硅LDMOS的制造方法，该系统包括体硅LDMOS，包括栅极金属及背栅金属；动态背栅控制电路，其包括依次电连接的波形产生器、三电平逆变器、负电压转换器及电平转换器；负电压转换器包括负电压输出端和零电压输出端；负电压输出端连接电平转换器的第一输入端，零电压输出端连接电平转换器的第二输入端并接地；电平转换器的第一输出端连接栅极金属，其第二输出端连接背栅金属。本发明具有独立的背栅电极，通过在衍生的背栅电极上施加偏置，诱导界面电荷，调制外延层的电场分布，增加体内漏电端的电场，使其提高击穿电压，又因其漂移区采用重掺杂而具有低的比导通电阻，改进了两者之间的折中关系。
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