公开(公告)号：CN119835964A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411983946.4

申请日：2024-12-31

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 杨可萌 ,  潘浩宇 ,  李孟杨 ,  张凌云 ,  郭宇锋 ,  叶小娟 ,  姚佳飞 ,  陈静 ,  李曼 ,  张珺

IPC: H10D30/47 ,  H10D64/27

Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，公开了一种衬底电压调控GaN HEMT功率器件，包括沿器件垂直方向自下而上依次层叠设置的P衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、钝化层和浮空场板结构；沿器件横向方向，在AlGaN势垒层表面依次为相互不接触的源电极、栅极结构和漏电极；所述浮空场板结构包括若干个互不接触的浮空场板，所述P衬底与浮空场板结构中任意一个场板通过金属相连接，使其电位相同，浮空场板电压可调控衬底电压，实现高耐压和抑制动态电阻退化。本发明的有益效果为，在不增加导通电阻的情况下，具有高的耐压且抑制动态电阻崩塌，不增加额外工艺步骤，且不会额外增加芯片面积，节约了成本。