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公开(公告)号：CN113165119A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980071724.6
申请日：2019-10-30
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/53 , H01L21/301
Abstract: 激光加工装置具备支撑部、照射部及控制部。照射部具有以与激光的光轴垂直的面内的聚光区域的一部分的形状具有长边方向的方式成形激光的成形部。控制部具有：决定部，其基于对象物信息及线信息，将线的第1部分的长边方向的朝向决定为第1朝向，以使长边方向与聚光区域的一部分的移动方向交叉；及调整部，其调整第1部分的长边方向的朝向以成为被决定的第1朝向。
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公开(公告)号：CN113039038A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201980071652.5
申请日：2019-10-30
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/53 , H01L21/301
Abstract: 激光加工装置具备：支承部、照射部、移动机构、控制部及摄像部。控制部实行第1前处理，该第1前处理是沿着具有并排配置的多条并行线的加工用线将激光照射于对象物，而在对象物形成改质区域。摄像部取得第1图像，该第1图像呈现通过第1前处理而沿着具有多条并行线的加工用线形成了改质区域的情况的加工状态。
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公开(公告)号：CN112956001A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201980071439.4
申请日：2019-10-30
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/53
Abstract: 一种激光加工方法，具有激光照射步骤，其对于在正面侧具有功能元件层的对象物，从对象物的背面沿着线照射脉冲激光。激光照射步骤具有：第1步骤，其沿着线将第1脉冲激光照射至功能元件层，沿着线在功能元件层形成弱化区域；和第2步骤，其沿着线以相比于第1脉冲激光后行的方式，将第2脉冲激光照射至对象物的内部，沿着线在对象物形成到达正面的裂纹。第1脉冲激光的脉冲宽度比第2脉冲激光的脉冲宽度短。
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公开(公告)号：CN112955274A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201980071694.9
申请日：2019-10-30
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/08 , B23K26/042
Abstract: 一种激光加工装置(激光加工装置1)，具备：能够沿第一方向(X方向)移动，且能沿所述第一方向及与所述第一方向交叉的第二方向(Y方向)将对象物支承用的支承部(支承部7)；沿所述第二方向彼此相对地配置，用于将激光照射在被支承于所述支承部的所述对象物的第一激光加工头(第一激光加工头10a)及第二激光加工头(第二激光加工头10b)；安装有所述第一激光加工头，且能分别沿与所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向(Z方向)及所述第二方向移动的第一安装部(安装部65)；及安装有所述第二激光加工头，且能分别沿所述第二方向及所述第三方向移动的第二安装部(安装部66)。
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公开(公告)号：CN110998797A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880048615.8
申请日：2018-07-18
IPC: H01L21/301 , B23K26/53 , H01L21/3065
Abstract: 切割加工方法包括以下工序：在加工对象物(1)形成改性区域；以及在加工对象物(1)形成了改性区域之后，沿着切割预定线对加工对象物(1)进行切割。在对加工对象物(1)进行切割的工序中，通过在加工对象物(1)借助自重和吸附中的至少任一者固定于支承件的状态下，从加工对象物(1)的表面(3)朝向背面(4)实施干蚀刻处理，从而从加工对象物(1)的表面(3)直到背面(4)地形成槽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110520969A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201880025383.4
申请日：2018-04-12
Applicant: 浜松光子学株式会社
Inventor： 坂本刚志
IPC: H01L21/301 , B23K26/53 , H01L21/3065
Abstract: 加工对象物切断方法包含：第1步骤，准备加工对象物；第2步骤，在第1步骤之后，通过对加工对象物照射激光，分别沿着多个切断预定线，在加工对象物的单晶硅基板的内部形成至少1列的改质区域，并以跨越至少1列的改质区域与加工对象物的第2主面之间的方式形成龟裂；以及第3步骤，在第2步骤之后，对加工对象物从第2主面侧实施反应性离子蚀刻，由此分别沿着多个切断预定线，形成在第2主面开口的槽。在第3步骤中，在反应性离子蚀刻的实施中，在加工对象物的第2主面及槽的内面形成黑硅层。
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公开(公告)号：CN110520968A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201880025364.1
申请日：2018-04-12
Applicant: 浜松光子学株式会社
Inventor： 坂本刚志
IPC: H01L21/301 , B23K26/53 , H01L21/683
Abstract: 加工对象物切断方法包括：第一步骤，准备具有单晶硅基板和设置于第一主面侧的功能元件层的加工对象物；第二步骤，通过对加工对象物照射激光，分别沿多条切断预定线在单晶硅基板的内部形成至少1列改质区域，并分别沿多条切断预定线在加工对象物以跨至少1列改质区域与加工对象物的第二主面之间的方式形成龟裂；以及第三步骤，通过对加工对象物从第二主面侧实施干式蚀刻，分别沿多条切断预定线在加工对象物形成开口于第二主面的沟槽。在第三步骤中，从第二主面侧实施干式蚀刻而去除至少1列改质区域，由此在沟槽的内表面形成呈现对应于被去除的改质区域的凹凸形状且使单晶硅露出的凹凸区域。
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公开(公告)号：CN106163724B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201580017834.6
申请日：2015-03-30
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 激光加工装置(300)具备激光光源(202)、聚光光学系统(204)、控制部(250)、以及反射型空间光调制器(203)。控制部(250)以及反射型空间光调制器(203)将以从聚光位置沿着激光(L)的光轴朝向激光(L)的入射侧将理想聚光位置仅偏移了规定距离的状态下的像差修正量聚光于该聚光位置的情况下所产生的像差作为基准像差，在最接近加工对象物(1)的表面(3)的第1区域或者距加工对象物(1)的表面(3)的距离为规定距离以下的第1区域形成改质区域时，以成为较基准像差的基准聚光长度长的第1聚光长度并且成为较基准像差的基准聚光强度弱的第1聚光强度的方式调整像差。
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公开(公告)号：CN106463374A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580028164.8
申请日：2015-03-30
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/064 , B23K26/067 , B23K26/53
Abstract: 激光加工装置(300)具备射出激光(L)的激光光源(202)、将激光(L)聚光于加工对象物(1)的聚光光学系统(204)、以及以激光(L)至少被分支为第1加工光以及第2加工光并且第1加工光被聚光于第1聚光点且第2加工光被聚光于第2聚光点的方式对激光(L)进行调制的反射型空间光调制器(203)。若将加工对象物(1)的表面(3)上的第1加工光的半径设为(W1)，将该表面(3)上的第2加工光的半径设为(W2)，将在从与该表面(3)垂直的方向观察的情况下的第1聚光点和第2聚光点的距离设为(D)，则反射型空间光调制器(203)以满足D＞W1+W2的方式调制激光(L)。
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公开(公告)号：CN102581494B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201210040648.2
申请日：2006-07-03
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/402 , B28D5/00 , H01L21/78
CPC classification number: B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , B28D5/0011 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供了一种加工对象物切断方法，即使在基板较厚的情况下，也能够在短时间内沿着切断预定线将包括基板以及具有多个功能元件并设置在基板的表面上的叠层部的加工对象物切断成各个功能元件。通过将聚光点(P)对准基板(4)的内部并从叠层部(16)侧照射激光(L)，从而沿着切断预定线，在基板(4)的内部形成从基板(4)的厚度方向的中心位置(CL)偏向基板(4)的背面(21)侧的第1改质区域(71)和从基板(4)的厚度方向的中心位置(CL)偏向基板(4)的表面(3)侧的第2改质区域(72)，并从第2改质区域(72)向基板(4)的表面(3)产生裂缝(24)。然后，在使贴于基板(4)的背面(21)的扩张带(23)扩张的状态下，使加工对象物(1)内产生应力以使裂缝(24)打开。
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