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公开(公告)号：CN118738107A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410773257.4
申请日：2024-06-14
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L29/744 , H01L29/06 , H01L21/332
Abstract: 本申请提供一种半导体器件及半导体器件的制备方法。半导体器件包括：阳极金属层；有源层，位于阳极金属层的一侧，包括沿厚度方向依次堆叠形成的阳极区、第一基区、第二基区、第三基区和阴极区，第三基区包括多个第一掺杂区，不同的第一掺杂区在半导体器件的厚度方向上的尺寸不同；多个阴极结构，位于阴极子区远离阳极金属层的一侧；门极金属层，包括门极接触结构，位于第三基区远离第二基区的一侧，且位于阴极子区的同一侧；一个门极接触结构用于控制至少两个第一掺杂区的关断，第一子掺杂区的关断时间先于第二子掺杂区，在半导体器件的厚度方向上，第一子掺杂区的尺寸小于第二子掺杂区的尺寸。可以增强半导体器件的安全性、稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN118738003A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410772567.4
申请日：2024-06-14
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/488 , H01L21/603
Abstract: 本申请涉及一种晶圆的封装结构、功率器件以及晶圆封装结构的键合方法，该封装结构包括依次层叠的阴极金属片、晶圆、纳米材料膜和阳极金属片；纳米材料膜中包括至少一层过渡层；过渡层的材料为弹性材料。上述封装结构中，通过在纳米材料膜中设置具有弹性形变能力的过渡层，可以通过过渡层吸收晶圆翘曲变形应力，来释放翘曲变形应力，达到可以降低翘曲变形程度的效果，进而进一步降低器件热阻，提高器件长期可靠性，可以促进低温键合技术在整晶圆封装领域的应用。
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公开(公告)号：CN118737943A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410860369.3
申请日：2024-06-28
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L21/687 , H01L21/68 , H01L21/67 , H01L21/603
Abstract: 一种用于晶圆键合的键合夹具及采用其的键合设备和方法，属于半导体器件技术领域。所述用于晶圆(102)键合的键合夹具(100)包括托盘(1)、限位块(2)、刚性垫块(3)和挡板(4)；通过所述键合夹具(100)实现对晶圆进行径向和竖向的定位。通过本发明的键合夹具(100)、键合设备(101)及使用键合设备(101)进行晶圆键合的方法，实现定位晶圆位置并保护晶圆终端不受压力。
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公开(公告)号：CN118712140A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410740012.1
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请提供了一种插拔连接结构、门极驱动板以及可关断晶闸管器件。插拔连接结构设置为电极弹性连接结构，插拔连接结构用于实现所述可关断晶闸管器件的管壳连接板与门极驱动板之间的连接；插拔连接结构包括彼此电极弹性连接的第一插拔端和第二插拔端。门极驱动板包括第二功能区和第二接口区，第二接口区设置有前述的第一插拔端或第二插拔端。可关断晶闸管器件包括管壳连接板和门极驱动板，管壳连接板和门极驱动板使用所述的插拔连接结构进行连接。本申请涉及半导体器件技术领域，能够有效改善门极驱动板与管壳连接板之间的连接结构形式，提高系统集成度和可靠性，降低维护成本和操作难度。
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公开(公告)号：CN118694139A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410768335.1
申请日：2024-06-14
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 一种可关断晶闸管的驱动电源管理方法、电路、可关断晶闸管芯片和电子设备，属于电源管理技术领域。所述驱动电源管理方法应用于驱动控制电路，所述驱动控制电路包括开通模块和关断模块，所述开通模块和关断模块均与待驱动的可关断晶闸管的门极相连接，用于对可关断晶闸管的开通和关断进行控制，所述驱动电源管理方法包括：通过开通电路电源管理模块向所述开通模块进行独立供电控制，通过关断电路电源管理模块向所述关断模块进行独立供电控制。本申请设计了一种可关断晶闸管的驱动电源管理方法，通过对可关断晶闸管的开通和关断进行独立控制，能够实现根据不同情况需求下的不同开通及关断电压配置策略，适用于不同工况下的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118549740A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410815098.X
申请日：2024-06-21
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请涉及一种换流阀组部件的测试电路以及测试方法，测试电路包括：第一单相桥式电路、第二单相桥式电路和第一电感，第一单相桥式电路的第一输出端与第二单相桥式电路的第二输出端连接，第一单相桥式电路的第二输出端与待测换流阀组部件的一端连接，第二单相桥式电路的第一输出端与待测换流阀组部件的另一端连接；第一电感设置于第二单相桥式电路与待测换流阀组部件之间；或者，第一电感设置于第一单相桥式电路与待测换流阀组部件之间；其中，第一单相桥式电路和第二单相桥式电路，用于在待测换流阀组部件上施加电流应力和/或电压应力。提高了对待测换流阀组部件的测试准确度。
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公开(公告)号：CN118198118A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410237475.6
申请日：2024-03-01
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L29/745 , H01L21/332 , H01L23/48
Abstract: 一种一体成型复合引线结构、管壳及其制造方法、功率器件。所述一体成型复合引线结构包括门极引出部分和阴极引出部分，以及使所述门极引出部分和阴极引出部分彼此电绝缘的绝缘层，其中所述门极引出部分、绝缘层和阴极引出部分一体成型，形成“三明治”结构。本发明采用预形成的“三明治”结构，可以实现低感管壳的设计，最大限度降低器件驱动回路的集成电感；同时，在门极、阴极焊接位置填充耐高温绝缘胶，提高管壳的绝缘与密封性能，门极引出辐条进行绝缘涂层加绝缘套管设计，进一步降低各电流路径间的互感，提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN118198117A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410175143.X
申请日：2024-02-07
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L29/745 , H01L29/417 , H01L29/06
Abstract: 一种抑制IGCT关断拖尾振荡的方法、压接型IGCT及应用。所述抑制IGCT关断拖尾振荡的方法，包括：将所述IGCT的阴极金属连接片替换成带有凸台结构的阴极金属连接片，或者在所述IGCT的阴极金属连接片上形成凸台结构；在所述凸台位置嵌入软磁磁环。本发明有效抑制了整晶圆封装的压接IGCT器件关断拖尾电流振荡，提高了器件应用系统的可靠性；本发明在现有的压接IGCT器件封装形式上改进完成，装配简单，所用软磁材料只在小电流情况下作用，不影响器件正常工作时的电气参数；所用软磁环可根据实际需求调整为一层或多层，灵活便捷。
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公开(公告)号：CN222692200U
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202421306011.8
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H10D84/00
Abstract: 本申请涉及一种晶闸管器件。晶闸管器件包括：半导体晶圆，半导体晶圆上设有多个晶闸管单元组；每个晶闸管单元组包括多个晶闸管单元，多个晶闸管单元围绕半导体晶圆的中心排布；多个晶闸管单元组沿半导体晶圆的径向依次排布；门极接触件，设于半导体晶圆的第一侧；每一晶闸管单元的门极均与门极接触件连接；其中，门极接触件包括围绕半导体晶圆的中心排布的多个第一接触电极和多个第二接触电极；第一接触电极与半导体晶圆的中心之间的距离大于第二接触电极与半导体晶圆的中心之间的距离。本申请有利于降低各晶闸管单元与门极接触件的距离差，提升了晶闸管器件关断时的电流均匀性，从而提升了可关断电流。
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