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公开(公告)号：CN116487495A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310198063.1
申请日：2023-03-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种发射光可调控的超表面集成式LED装置及制备方法，该装置由下至上包括：第一衬底、键合金属层、第一反射层、外延片、电极层、第二反射层、间隔层及超结构单元层，所述第一反射层为金属反射层，所述第二反射层为布拉格反射镜；第一衬底、键合金属层、第一反射层、外延片、电极层、第二反射层、间隔层及超结构单元层均垂直于从所述LED发射的光的传播平面。本发明提供的一种发射光可调控的超表面集成式LED装置及制备方法，具有更大的空间相干性，结构紧凑，加工工艺简单，产品良率与可靠性提升，能调控LED出射光的特性，可扩展多功能，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN116147766A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211691923.7
申请日：2022-12-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种覆盖parylene提升传感芯片灵敏度及重复利用的方法，采用nacl溶液进行实验测试，通过生长parylene前后分别测试两次，通过比较两次数据可以得到生长parylene对传感芯片的影响，并且，在生长parylene后的VCSEL传感芯片上，通过测试去除parylene前后的数据对比可以得到parylene是否完全去除，同理，在生长parylene的传感芯片上测试其他生物试剂，也可以通过去除parylene达到重复利用。该方法操作简单，成本低，有很大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN115936087A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211690851.4
申请日：2022-12-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于片上微环谐振器的光学神经元结构，包括：从前到后依次为加权单元、求和单元和非线性单元；加权单元采用波分复用串联微环谐振器的结构，用于对多个输入光信号进行施加权重处理；求和单元包含光电探测器和前置电学放大器，用于对多个加权后的光信号进行求和处理以及驱动非线性单元的微环谐振器；非线性单元采用微环谐振器的结构，用于对求和后的光信号进行非线性输出处理，主要利用微环谐振器的非线性传输特性。本发明集成度高，提出的光学神经元具有较强的可扩展性，并且片上集成工艺与CMOS兼容，能够实现大规模制备，有利于光学神经元的微型化、高集成度和高扩展性。
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公开(公告)号：CN114606466A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210173116.X
申请日：2022-02-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种改善低成本可集成且大规模制备金属纳米颗粒方法，第一步：在需要制备金属纳米结构的衬底上旋涂一层PMMA。并将PMMA烘干待用。第二步：准备合适尺寸的AAO膜将其在丙酮溶液中浸泡3min—5min直至其表面的PMMA溶解，用亲水处理后的硅片将其转移至清水中，再将其转移至旋涂了PMMA的衬底上并烘干。第三步：利用磁控溅射的方法将金属均匀溅射到AAO膜的孔洞中，溅射完成后将AAO膜清洗即可制得周期性的金属纳米结构。该方法制备工艺简单、成本较低，适合制备大面积的周期性金属纳米结构。
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公开(公告)号：CN110433878B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201910774171.2
申请日：2019-08-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于VCSEL耦合阵列的光学相位差的液体检测芯片系统，属于半导体激光器技术、生化检测技术的交叉技术领域。本发明通过采用质子注入或腔诱导反波导或光子晶体等技术，实现VCSEL耦合阵列的制备。通过PECVD、光刻、溅射、反应离子刻蚀、湿法腐蚀和键合等工艺在VCSEL耦合阵列表面集成微流控结构。在VCSEL耦合阵列上表面利用微流控技术，将待测液体通入VCSEL耦合阵列单元上方，引起VCSEL单元间光束耦合相位差改变，使得激光光束发生偏转，通过对激光光束偏转角度测量，可以计算出液体的折射率，实现液体折射率检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112838474A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202110058763.1
申请日：2021-01-16
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了外延集成介质膜DBR外腔面发射激光器，包括P型金属电极层、钝化层、周期交替生长的上分布式布拉格反射镜、高铝组分的氧化限制层、有源区、周期生长的下分布式布拉格反射镜、GaAs衬底层、N型金属电极层、电流限制氧化孔、相位匹配层、腔长匹配层、氧化硅氮化硅介质膜分布式布拉格反射镜和出光孔；本发明中采用生长相位匹配层、腔长匹配层的方法延长垂直腔面发射激光器的固有腔长，通过感应耦合等离子体增强气相沉积的方法外延氧化硅氮化硅介质膜分布式布拉格反射镜，达到控制光偏振的同时压窄线宽。本发明降低半导体激光器阈值，提高了器件的成品率。
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公开(公告)号：CN110433878A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910774171.2
申请日：2019-08-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于VCSEL耦合阵列的光学相位差的液体检测芯片系统，属于半导体激光器技术、生化检测技术的交叉技术领域。本发明通过采用质子注入或腔诱导反波导或光子晶体等技术，实现VCSEL耦合阵列的制备。通过PECVD、光刻、溅射、反应离子刻蚀、湿法腐蚀和键合等工艺在VCSEL耦合阵列表面集成微流控结构。在VCSEL耦合阵列上表面利用微流控技术，将待测液体通入VCSEL耦合阵列单元上方，引起VCSEL单元间光束耦合相位差改变，使得激光光束发生偏转，通过对激光光束偏转角度测量，可以计算出液体的折射率，实现液体折射率检测。
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公开(公告)号：CN108873497A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810518119.6
申请日：2018-05-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: G02F1/1341 , G02F1/1339 , G02F1/1333
Abstract: 本发明公开了一种基于光刻工艺的液晶盒及制备方法，属于液晶光学技术领域。该液晶盒包括下玻璃基板(1)、透明导电膜(2)、光刻胶(3)、液晶(4)、上玻璃基板(5)和边框胶(6)。本发明利用光刻胶代替传统的金属微粒或绝缘微粒作为液晶盒间隔物，不仅工艺简单、成本低，而且可以通过选择不同胶型来获得不同的液晶盒厚度，并且可以实现均匀的盒厚，在液晶显示、液晶相控在等应用领域有潜在应用。
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公开(公告)号：CN107768979A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710962891.2
申请日：2017-10-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明公开了外延集成高对比度光栅外腔面发射激光器，普通的氧化型垂直腔面发射激光器，普通的氧化型垂直腔面发射激光器，由于其自身氧化限制层材料的各向异性及有源区材料增益的各向异性等特点，导致其出现偏振不确定或不稳定现象，对于传统的外腔压窄线宽方法通常过于复杂，集成度低，不利于芯片级的设计。本发明中我们采用生长相位匹配层、腔长匹配层的方法延长垂直腔面发射激光器的腔长，通过一次外延的方式形成低折射率介质层作为光栅支撑层和光栅介质层；再通过刻蚀光栅介质层形成光栅微结构，达到控制光偏振的同时压窄线宽。
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公开(公告)号：CN104393093A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410641038.7
申请日：2014-11-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/108
CPC classification number: H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 应用石墨烯的高探测率氮化镓基肖特基型紫外探测器，其基本结构从下往上依次为重掺杂n型氮化镓、轻掺杂n型氮化镓、二氧化硅绝缘层、金属电极、石墨烯薄膜。金属电极拥有透明、导电的性质，并且拥有半金属性。在和轻掺杂n型GaN直接接触的情况下，能形成大约0.5ev的势垒。形成之势垒表现为接近金属电极的GaN内部能带弯曲，形成空间电荷区可以进行分离电子空穴，从而产生光生电动势和光生电流。通过引入表面缺陷的方法可以大大提高探测器的响应度。这一结构工艺简单，效率高；从而增加电子空穴对的分离能力，增大探测器内量子效率，增大探测率和响应度。
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