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公开(公告)号：CN102180703B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110052460.5
申请日：2011-03-04
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种二元材料(Zr，Ce)O2纳米点、制备方法及应用，属于高温超导材料技术领域。制备方法：将乙酰丙酮锆和乙酰丙酮铈按锆与铈摩尔比为1-x∶x溶解到正丙酸中，得到前驱液；将前驱液涂敷到单晶基板上，得到前驱膜；在保护气体下，将前驱膜于950～1200℃烧结10～500分钟，得到不连续的、高度在5～60nm、直径在20～150nm、颗粒密度在10～100个/μm的Ce掺杂的ZrO2纳米点。在上述涂有纳米点的过渡层基板上用低氟MOD工艺制备YBCO膜，来提高外加磁场下YBCO薄膜的超导性能。本发明引入的纳米点的形态，数目及分布可简单、有效控制。
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公开(公告)号：CN101880165B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201010152369.6
申请日：2010-04-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/40 , H01B13/00
Abstract: 本发明公开了一种短时间固相烧结技术制备铁基超导体的方法，步骤包括：在高纯Ar保护气氛下，将Ln和As粉按摩尔比1∶(1～1.1)混合，封装在高真空石英管内进行热处理，最后炉冷至室温，得到LnAs粉末；在高纯氩气保护的手套箱内，粉末LnAs和Fe粉、Fe2O3粉、FeF3粉按摩尔比3∶(1+x)∶(1-x)∶(1.1～1.5)x进行配比、研磨、压制成片，然后在高真空下进行退火处理，炉冷至室温，最终制备出LnO1-xFxFeAs超导体，其中Ln＝La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu，0＜x＜0.6。本发明方法提高铁基超导体性能的同时，提高铁基超导体的制备效率。
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公开(公告)号：CN102173801B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201110022469.1
申请日：2011-01-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种Ta掺杂的CeO2过渡层薄膜及其制备方法，属于高温涂层超导材料技术领域。本发明所提供的TaxCe1-xO2薄膜，过渡层薄膜厚度为30～240nm左右。首先将Ta盐和Ce盐按照阳离子摩尔比x∶1-x，其中0.1≤x≤0.25，溶解到甲醇和正丙酸中得到前驱溶液，然后将前驱溶液用旋涂的方法沉积到Ni-5W基板上，在通有保护气氛的条件下，经过高温烧结工艺获得TaxCe1-xO2薄膜。本发明具有制备工艺简单，成本低，制备出的薄膜具有厚度大，织构好，裂纹少的优点，能够在外延织构的同时起到隔离超导层与基底材料相互反应的作用。
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公开(公告)号：CN102615280A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210082388.5
申请日：2012-03-26
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种SPS技术制备铁基超导体的方法，属于高温超导材料制备技术领域。将稀土粉末Ln和As粉按摩尔比1∶(1～1.1)的比例，在高真空石英管内进行热处理，制备初始粉末LnAs；将LnAs和Fe粉、Fe2O3粉、FeF3粉按摩尔比3∶(1+x)∶(1-x)∶x配比、球磨，将已填充了粉末的模具放入烧结设备中，采用放电等离子体烧结技术制备铁基超导体，在真空条件下加压烧结，烧结压为30～50Mpa，烧结温度为900～1100℃，时间为5～60min。本发明短时间的烧结减小成份元素的损耗，并能提高材料的致密性，从而获得高性能的铁基超导体。
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公开(公告)号：CN102051666B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010595241.7
申请日：2010-12-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: C25F3/26
Abstract: 本发明公开了一种用于冷轧NiW合金基带EBSD分析的电解抛光方法，属于电解抛光技术领域，包括以下步骤：冷轧NiW合金基带表面或截面的机械抛光；将机械抛光好的表面或截面电解抛光，电解液HClO4、CH3COOH和C2H5OH以体积比为1∶3∶4，阴极材料为304不锈钢，电解抛光直流电电压为12V，电解抛光温度为15～30℃，电解抛光时间为20～45s，并且电解抛光时将电解抛光液至于磁力搅拌器上中速搅拌。本发明简单实用，能够重复制备出EBSD分析中具有强烈菊池花样的冷轧NiW合金基带表面或截面样品，以满足冷轧NiW合金基带的冷轧织构和再结晶形核等的研究。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102426125A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110421618.1
申请日：2011-12-15
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种EBSD测试用基带斜截面的制备方法及分析方法，属于高温超导涂层导体的基带领域。其步骤包括：(1)将制备好的冷轧基带剪切成合适的大小，进行机械抛光处理成斜截面；(2)将抛光好的基带进行清洗；(3)将清洗好的冷轧基带进行再结晶退火处理；(4)采用EBSD技术分析样品表面的晶粒取向；(5)对测试结果进行统计分析。该方法操作简单，可缩短样品制备过程，节约测试时间，同时获得所需要的全部测试信息。
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公开(公告)号：CN101624286B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200910088527.3
申请日：2009-07-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L39/24 , C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 一种La掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法属于高温超导材料制备技术领域。本发明所提供的La掺杂CeO2过渡层薄膜由Ce1-xLaxO2复合氧化物固溶体组成，其中，0.1≤x≤0.3；过渡层薄膜的厚度为30～250nm。本发明通过以有机铈盐为前驱盐，以乙酰丙酮镧为镧源，采用化学溶液方法制备前驱液后，经过旋涂或者浸涂的方法将前驱液涂敷到金属基带上，再经过热处理工艺制得La掺杂CeO2过渡层薄膜。本发明具有制备成本低廉、Ce1-xLaxO2过渡层薄膜晶格常数精确可调，且能够实现多种过渡层功能的一体化，减少现有的复杂过渡层结构等优点。
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公开(公告)号：CN101597162B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200910088528.8
申请日：2009-07-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 一种Gd掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法属于高温超导材料制备技术领域。本发明所提供的Gd掺杂CeO2过渡层薄膜由Ce1-xGdxO2复合氧化物固溶体组成，其中，0.1≤x≤0.5；过渡层薄膜的厚度为30～250nm。本发明通过以醋酸铈为前驱盐，以醋酸钆为钆源，采用化学溶液方法制备前驱液后，经过旋涂或者浸涂的方法将前驱液涂敷到金属基带上，再经过热处理工艺制得Gd掺杂CeO2过渡层薄膜。本发明具有制备工艺简单，成本低，所得薄膜厚度大而且没有裂纹，同时薄膜可以外延基底的织构，表面平整致密，起到隔离超导层与基底材料之间相互反应的作用等优点。
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公开(公告)号：CN102230211A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201110162401.3
申请日：2011-06-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: C25F3/26
Abstract: 一种用于改善Ni5at.％W合金基带表面质量的电解抛光液及其使用方法，属于高温超导涂层导体的基带领域，其组成和使用方法步骤为：将80％～85％磷酸、98％的硫酸、80％的乳酸以7∶5∶3的体积比混合，加入质量百分比为10％～15％的丁二酮肟粉末；将Ni5at.％W合金基带清洗去污；以Ni5at.％W合金基带作为阳极，不锈钢作为阴极，浸没在抛光液中；在搅拌、电压1.5～2.5V、温度为20～30℃条件下进行抛光，抛光时间15～20s，抛光极距10～15mm；抛光完毕，放入Na2CO3中中和，并清洗。该抛光液成分稳定，成本低廉，可以有效消除Ni5at.％W合金基带表面的轧痕、突起、热蚀沟等问题。
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公开(公告)号：CN101719399B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200910237464.3
申请日：2009-11-06
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01B13/00 , H01B12/06 , C04B35/45 , C04B35/624
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 一种提高YBCO超导薄膜生产效率及膜厚的制备工艺属于高温涂层超导材料制备技术领域。现有的传统TFA-MOD工艺制备YBCO薄膜低温预处理时间过长生产效率低下。在本发明所提供的薄膜制备工艺中，前驱盐三氟乙酸铜为丙烯酸铜所取代，并且在前驱溶液中引入添加剂二乙醇胺。在低温预烧过程中，待在280℃保温0.5小时二乙醇胺完全分解后，前驱膜在湿氧气氛下进行分解直至400℃。最后于湿Ar/O2混合气氛中750-850℃高温烧结得到YBCO薄膜。通过此工艺制备的YBCO薄膜晶粒取向优良，有效提高了YBCO超导薄膜的生产效率及环保性，更具应用前景。
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