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公开(公告)号：CN103724005A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310692310.X
申请日：2013-12-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/36 , C04B35/622
Abstract: 一种具备室温多铁性的钬、锰共掺铁酸铋陶瓷及其制备方法，属于电子陶瓷技术领域。该多铁陶瓷的分子式为Bi1-xHoxFe1-yMnyO3，0＜x≤0.2，0＜y≤0.5。将原料Ho2O3、Bi2O3、MnO2和Fe2O3，按照通式Bi1-xHoxFe1-yMnyO3的化学计量比称重、配料后，球磨混合，烘干后在890～950℃煅烧；煅烧粉末进行二次球磨，烘干后掺入PVA后压成型，排胶后在940～970℃下烧结成瓷。该陶瓷在室温下表现出优良的多铁性，即同时具备明显的铁电性与铁磁性，该陶瓷体系在室温下存在磁致相变，可作为新型多态存储器件及磁电耦合传感器等器件研究的优选材料。
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公开(公告)号：CN102874870B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210404477.7
申请日：2012-10-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种低温制备LaAlO3-BiAlO3雪花状纳米粉体的方法，属电子陶瓷领域。采用摩尔比为x：（1-x）：1：6的Bi(NO3)3·5H2O、La(NO3)3·6H2O、Al(NO3)3·9H2O、NaOH为原料，通过混料球磨、烘干、350～700℃下预烧2-6h、洗涤等即可。本发明利用熔盐化学法于较低温度制备出陶瓷粉体的同时，使其粉体颗粒尺寸更均匀，并呈现独特的雪花状纳米形貌。
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公开(公告)号：CN102719252B
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201210193736.6
申请日：2012-06-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: C09K11/85 , C23C14/06 , C23C14/30 , H01L31/055
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: 一种同时具有上下转光的高透非晶氟化物薄膜及其制备方法，属于固体发光材料领域。薄膜的材料组成为：YbF3、ErF3，其中ErF3摩尔分数为0.5%~15%。制备方法是在YbF3粉体中加入ErF3粉体，球磨混合，烘干后压片，并用碳包覆的方法在600℃~750℃煅烧6h~8h，烧制成陶瓷靶材;利用电子束沉积方法：以硅片和石英为衬底，在真空条件下，衬底温度为400℃~500℃，靶间距为25cm~32cm,沉积束流为3mA~6mA，沉积时间为15min~90min。非晶薄膜实现上下转换两种机制的结合,有效地把紫外光波段（300nm~400nm）和红外光波段（980nm附近）转换到可见光波段（656nm附近），薄膜透过率均在95%以上，有望应用到太阳能电池提高其光电效率。
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公开(公告)号：CN103484823A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310254474.4
申请日：2013-06-25
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 激光脉冲沉积技术制备氮化镓纳米线的方法，属于无机化合物半导体材料的制取与生成领域。本发明步骤：GaN粉体通过掺胶、研磨，通过80目网筛后压片，在560℃煅烧2小时，烧制成粉靶；将清洗烘干后的硅片在离子溅射仪沉积5‐60s,得到表面有厚度约为5‐40nm金膜的衬底；采用以上制备的GaN粉靶和衬底，利用激光脉冲沉积法：反应压强2x10‐3Pa，衬底温度850℃，激光能量380mJ/Pulse，激光频率6Hz，沉积时间为10min‐60min。本发明无任何气体参与反应，在设备腔体中直接反应，生成实心、线形的氮化镓纳米线，生成的纳米线密度均匀，直径变化范围小，定向性好，大部分垂直衬底生长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102071399B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201010570946.3
申请日：2011-02-23
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了全钙钛矿多铁性磁电复合薄膜及其制备方法，属于薄膜技术领域。该全钙钛矿结构La2/3Sr1/3MnO3/BaTiO3多铁性磁电复合薄膜，沉积于LaAlO3(001)单晶衬底表面，从下至上依次为La2/3Sr1/3MnO3薄膜、BaTiO3铁电薄膜；La2/3Sr1/3MnO3铁磁薄膜厚度为400-800nm，BaTiO3铁电薄膜厚度为400nm。制备方法：利用脉冲激光在LaAlO3的单晶基片上沉积La2/3Sr1/3MnO3薄膜和BaTiO3薄膜，然后在850℃退火。本发明有效地提高La2/3Sr1/3MnO3和BaTiO3的铁磁和铁电性能以及复合薄膜的磁电效应。
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公开(公告)号：CN102992761A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210536187.8
申请日：2012-12-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/493 , C04B35/622
Abstract: 一种应用于能量收集器件的具有高能量密度和高断裂韧性的压电陶瓷材料及制备方法，属于压电陶瓷材料领域。该陶瓷材料的基体化学组成为PbxSr1-x(Zn1/15Nb2/15ZryTi0.8-y)O3，并在其中掺杂基体材料质量z wt%的CoCO3，其中x的数值为0.90~1.00，y的数值为0.30~0.50，z的数值为0.00~1.00。以ZnO、Nb2O5、Pb3O4、SrCO3、ZrO2、TiO2和CoCO3为原料，采用湿磨、烘干、煅烧，二次球磨、造粒、压制成型、烧结步骤。本发明应用于能量收集器件，可以有效地回收再利用废弃的能量，且节能、环保、安全，具有显著的经济和社会价值。
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公开(公告)号：CN102992403A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210404479.6
申请日：2012-10-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种制备一维纳米棒状铌酸钾粉体的方法，属于铌酸钾粉体技术领域。按照摩尔比1∶3∶（5～30）称量K2CO3、Nb2O5及熔盐KCl，装入以二氧化锆球为磨介、以无水乙醇为分散介质的尼龙罐中，球磨、烘干；置于氧化铝坩埚中，密封，在600～900℃下煅烧，冷却后，洗涤；然后加入HNO3溶液中，于90℃加热搅拌6～24h，洗涤；置于氧化铝坩埚中，密封在400～550℃下煅烧；与原料K2CO3、熔盐KCl按照摩尔比1∶1∶（5～20）置于氧化铝坩埚中，密封，在600～800℃下煅烧、洗涤、干燥。本发明方法得到的一维KNbO3纳米棒大小均一、分散性好、烧结活性高。
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公开(公告)号：CN102825260A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210224466.0
申请日：2012-06-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种在铝表面制备超亲水浸润表面的方法，属于薄膜技术领域。纯铝片分别用甲苯、丙酮、乙醇进行超声，用去粒子水冲洗干净，放在HCl溶液中浸泡去除表面氧化物，待用。配置0.001M－0.01M的CuCl2溶液，将清洗好的铝片迅速放入配好的溶液中，在室温下反应5min－180min后，拿出来用去离子水冲洗干净，自然晾干。本发明在铝表面构造微纳形貌就可以制得稳定性很好的超亲水表面。一来可以节省成本，二是工艺非常简单。
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公开(公告)号：CN102569515A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210002294.2
申请日：2012-01-05
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/055 , B82Y20/00
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521
Abstract: 纳米金字塔陷光结构的近红外量子剪裁薄膜的制备方法属于太阳能电池领域。该薄膜同时具有减反陷光及近红外量子剪裁下转换作用。薄膜的材料组成为：Y2O3、Bi2O3和Yb2O3，其中Bi2O3摩尔分数为0.25～1％，Yb2O3摩尔分数为0.5～5％。制备方法是在Y2O3粉体中加入Bi2O3粉体和Yb2O3的粉体，球磨混合，80℃烘干。将烘干后的粉体放置于磨具中，在15MPa下压10分钟，得到直径为2cm，厚度为5mm的圆片，将此圆片在1100℃-1300℃煅烧20-24h，制成陶瓷靶材。；利用激光脉冲沉积方法，以硅片为衬底，通入O2，衬底温度为500～800℃，靶基距为6～8cm，工作气压为3～7Pa，激光能量为200～400mJ/脉冲。该薄膜在紫外光到近红外具有良好的减反陷光作用，且在紫外光激发下能实现高效的近红外量子剪裁下转换发光，有望降低硅太阳电池表面的反射及热化效应，提高电池的光电转换效率。
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