公开(公告)号：CN102071399A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201010570946.3

申请日：2011-02-23

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张铭 ,  李廷先 ,  王光明 ,  严辉 ,  宋雪梅 ,  王如志 ,  侯育冬 ,  朱满康 ,  汪浩 ,  王波 ,  李扩社

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/06 ,  H01F10/12

Abstract: 本发明公开了全钙钛矿多铁性磁电复合薄膜及其制备方法，属于薄膜技术领域。该全钙钛矿结构La2/3Sr1/3MnO3/BaTiO3多铁性磁电复合薄膜，沉积于LaAlO3(001)单晶衬底表面，从下至上依次为La2/3Sr1/3MnO3薄膜、BaTiO3铁电薄膜；La2/3Sr1/3MnO3铁磁薄膜厚度为400-800nm，BaTiO3铁电薄膜厚度为400nm。制备方法：利用脉冲激光在LaAlO3的单晶基片上沉积La2/3Sr1/3MnO3薄膜和BaTiO3薄膜，然后在850℃退火。本发明有效地提高La2/3Sr1/3MnO3和BaTiO3的铁磁和铁电性能以及复合薄膜的磁电效应。

公开(公告)号：CN102071399B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201010570946.3

申请日：2011-02-23

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张铭 ,  李廷先 ,  王光明 ,  严辉 ,  宋雪梅 ,  王如志 ,  侯育冬 ,  朱满康 ,  汪浩 ,  王波 ,  李扩社

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/06 ,  H01F10/12

Abstract: 本发明公开了全钙钛矿多铁性磁电复合薄膜及其制备方法，属于薄膜技术领域。该全钙钛矿结构La2/3Sr1/3MnO3/BaTiO3多铁性磁电复合薄膜，沉积于LaAlO3(001)单晶衬底表面，从下至上依次为La2/3Sr1/3MnO3薄膜、BaTiO3铁电薄膜；La2/3Sr1/3MnO3铁磁薄膜厚度为400-800nm，BaTiO3铁电薄膜厚度为400nm。制备方法：利用脉冲激光在LaAlO3的单晶基片上沉积La2/3Sr1/3MnO3薄膜和BaTiO3薄膜，然后在850℃退火。本发明有效地提高La2/3Sr1/3MnO3和BaTiO3的铁磁和铁电性能以及复合薄膜的磁电效应。

公开(公告)号：CN102051582B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201010543781.0

申请日：2010-11-12

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张铭 ,  王光明 ,  李廷先 ,  严辉 ,  宋雪梅 ,  王如志 ,  侯育冬 ,  朱满康 ,  汪浩 ,  王波

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种在Si衬底上制备高(100)取向BiFeO3薄膜的方法，属于功能材料制备技术领域。对Si衬底进行预处理；利用脉冲激光沉积方法，采用LaNiO3靶材，在上述衬底上制备高取向的LaNiO3薄膜；利用脉冲激光沉积方法，采用BiFeO3靶材，在LaNiO3薄膜上制备高取向的BiFeO3薄膜。本发明制备的产品兼容性好，膜晶粒大小均匀，排列致密，结晶度高，取向性好。

公开(公告)号：CN102051582A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN201010543781.0

申请日：2010-11-12

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张铭 ,  王光明 ,  李廷先 ,  严辉 ,  宋雪梅 ,  王如志 ,  侯育冬 ,  朱满康 ,  汪浩 ,  王波

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种在Si衬底上制备高(100)取向BiFeO3薄膜的方法，属于功能材料制备技术领域。对Si衬底进行预处理；利用脉冲激光沉积方法，采用LaNiO3靶材，在上述衬底上制备高取向的LaNiO3薄膜；利用脉冲激光沉积方法，采用BiFeO3靶材，在LaNiO3薄膜上制备高取向的BiFeO3薄膜。本发明制备的产品兼容性好，膜晶粒大小均匀，排列致密，结晶度高，取向性好。