公开(公告)号：CN102320549B

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201110214390.9

申请日：2011-07-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 严远 ,  杨芳 ,  王玮 ,  罗葵 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  李婷 ,  张大成

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种提高薄膜应变线性度的方法，在平面薄膜的表面布置两组相互垂直的加强肋，每组包括一条或多条加强肋，多条加强肋之间相互平行，均匀分布在薄膜表面。相对于相同灵敏度的普通平面薄膜，设有加强肋的薄膜非线性度大大减小。

公开(公告)号：CN102935995A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201210397861.9

申请日：2012-10-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵丹淇 ,  张大成 ,  何军 ,  黄贤 ,  杨芳 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  王玮 ,  李婷 ,  罗葵

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种预调阈值的post-CMOS集成化方法，通过预估MEMS工艺引入的阈值漂移量调整IC工艺中CMOS工艺的掺杂浓度，提高post-CMOS工艺后MOS管的阈值对称性。本发明方法对阈值漂移缺陷进行转化利用，不需要专用的低应力材料的生产设备，能够在满足MEMS可动结构和IC单片集成的需求的同时，保证集成电路部分MOS管的阈值对称性。

公开(公告)号：CN102544186A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210015141.1

申请日：2012-01-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 樊超 ,  于民 ,  杨昉东 ,  田大宇 ,  王金延 ,  金玉丰

IPC: H01L31/118 ,  H01L31/18 ,  G01T3/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种硅PIN中子剂量探测器及其制备方法。该硅PIN中子剂量探测器包括高电阻硅片以及分别位于硅片正面和背面的P型和N型有源区，两个有源区中一个为圆形，另一个为圆环形。本发明通过将P型有源区和N型有源区设计成上下非对称结构，使得P区和N区之间的距离大于硅片的厚度，有效增大了两个有源区的距离，即增大了探测器I区的有效厚度，突破了硅片厚度对PIN管I区厚度的限制。此外，环形有源区通过其结构本身的对称性产生比较均匀的电流分布。

公开(公告)号：CN102496632A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201110452444.5

申请日：2011-12-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 于民 ,  董显山 ,  田大宇 ,  金玉丰

IPC: H01L31/0203 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种基于键合基片的超薄硅PIN高能粒子探测器及其制备方法。该探测器包括键合在一起的器件层硅片和支撑层硅片，以及二者之间的二氧化硅层，其中：所述器件层硅片的正面有掺杂形成的P+区，所述P+区之外的硅表面覆盖有二氧化硅层，所述P+区上面覆盖有薄金属层，该薄金属层边缘具有场板结构；所述支撑层硅片在对应于器件层硅片P+区的位置开有窗口形成空腔结构，暴露出器件层硅片的背面，该空腔结构为下宽上窄的倒扣桶状；所述器件层硅片暴露的背面区域为掺杂形成的N+区；所述N+区表面覆盖有厚金属层。本发明的超薄探测器可测量粒子能量及鉴别粒子种类，应用于核物理探测等领域中。

公开(公告)号：CN102320549A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201110214390.9

申请日：2011-07-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 严远 ,  杨芳 ,  王玮 ,  罗葵 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  李婷 ,  张大成

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种提高薄膜应变线性度的方法，在平面薄膜的表面布置两组相互垂直的加强肋，每组包括一条或多条加强肋，多条加强肋之间相互平行，均匀分布在薄膜表面。相对于相同灵敏度的普通平面薄膜，设有加强肋的薄膜非线性度大大减小。

公开(公告)号：CN1953315B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200610113570.7

申请日：2006-09-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 张锦文 ,  郝一龙 ,  金玉丰 ,  田大宇 ,  王颖 ,  陈治宇

IPC: H02N1/00 ,  H02N1/08

Abstract: 本发明公开了加工基于无机驻极体的MEMS微发电机的方法。本发明加工方法，包括如下步骤：1)在无机衬底表面光刻、溅射金属电极，剥离得到下金属电极；2)在无机衬底表面沉积无机驻极体薄膜，经光刻腐蚀形成驻极体图形；3)在硅衬底上表面光刻，腐蚀出浅槽，并在硅表面注入硼；4)将所述硅衬底与所述无机衬底表面牢固结合在一起，其中，硅衬底带有浅槽的表面与无机衬底带有驻极体图形的表面相对；5)通过光刻并刻蚀上层硅衬底形成上极板，刻蚀位置与驻极体图形的位置相对应；6)在无机驻极体薄膜内注入电荷，得到所述MEMS微发电机。本发明方法具有与集成电路工艺兼容性好，可批量生产，应用前景广阔。

公开(公告)号：CN100478271C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200610011781.X

申请日：2006-04-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 范炜 ,  张大成 ,  李婷 ,  罗葵 ,  田大宇 ,  李静 ,  王颖

IPC: B82B3/00

Abstract: 本发明提供一种纳米宽度梁结构的加工方法，属于纳电子机械系统(NEMS)加工工艺领域。该方法的工艺流程包括：台阶刻蚀、纳米宽度侧墙形成、纳米宽度梁结构形成和纳米宽度梁结构释放四个步骤。本发明能够加工出纳米宽度的梁结构，准确控制梁结构的纳米级厚度，并且梁结构形状规则，工艺流程简单，不使用湿法腐蚀释放，成品率高，重复性好，效率高。

公开(公告)号：CN101286536A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200810105938.4

申请日：2008-05-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 李科佳 ,  王金延 ,  田大宇 ,  张录 ,  张太平 ,  金玉丰

IPC: H01L31/115 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种超薄硅基粒子探测器及其制备方法。本发明探测器包括硅基片，硅基片上的探测窗口以及硅基片和探测窗口之外的介质层；所述探测窗口包括P区，N区以及夹在两者之间的硅层；所述P区周围设有保护环，保护环和P区不相接触；P区上方还设有基质层形成的缓冲台阶；N区优选通过TMAH腐蚀法形成，其外形呈倒圆台状，侧面和底面的夹角为54.74°；P区和N区表层均设有铝层。本发明还公开了所述探测器的制备方法。本发明探测器可很好地作为粒子鉴别的ΔE探测器应用于空间探测，核物理，医学检测和环境监测等领域。

公开(公告)号：CN100389508C

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200410101832.9

申请日：2004-12-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘晓娣 ,  张大成 ,  王玮 ,  李婷 ,  罗葵 ,  田大宇

IPC: H01L49/00 ,  G01N27/12

Abstract: 本发明提供一种薄膜气体传感器的制备方法，属于气体传感器工艺技术领域。该方法包括：基片清洗和腐蚀，采用溅射和剥离方法制备铬/铂电极，得到表面平整的带有电极图形的基片；在带有电极图形的基片上使用直流反应磁控技术淀积氧化锡纳米敏感薄膜，并且剥离薄膜敏感材料，使之图形化；高温退火后，划片、封装。由于在表面较平坦的基片上使用直流磁控反应溅射的方法制得氧化锡薄膜，薄膜敏感材料厚度及成分均匀可控、灵敏度高、响应快、一致性好、稳定性好。该制备加工方法对传感器自身的污染小、使用的薄膜材料较少，可降低对环境的污染、与集成电路工艺相兼容，工艺重复性好、适合于批量生产。

公开(公告)号：CN1683586A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN200410033637.7

申请日：2004-04-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘晓娣 ,  张大成 ,  王玮 ,  于晓梅 ,  闫桂珍 ,  田大宇 ,  罗葵 ,  李婷 ,  李修函 ,  胡维 ,  王阳元

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明提供了一种氧化锡纳米敏感薄膜制备方法，属于气敏传感器的敏感材料制备领域。本发明采用磁控反应溅射方法使金属锡氧化，在硅片上生成锡的纳米量级氧化物薄膜，再进一步氧化、退火，即可制造出纳米晶粒氧化锡薄膜，该氧化锡纳米敏感薄膜具有氧化锡颗粒度小，比表面积大，厚度均匀(误差在纳米量级)等特点，且表面平整度高，在100倍显微镜下观察没有裂痕，有利于提高气敏传感器的灵敏度和稳定性，通过溅射时间严格地控制膜厚，可重复性高，适合于批量生产。本发明与集成电路工艺相兼容，污染小，极大地降低气体传感器的生产成本，扩展了传感器的应用领域。