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公开(公告)号：CN119653802A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411756199.0
申请日：2024-12-03
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化物晶体管的表面处理方法，属于集成电路微纳电子器件领域。具体步骤包括提供一衬底，在其上形成底栅电极；在底栅电极上依次形成一电介质层、氧化物有源层；在所述氧化物有源层两侧分别形成源漏电极；采用电子束蒸镀在所述源漏电极之间的氧化物有源层上蒸镀一层可氧化金属，然后通过自然氧化，空气退火氧化，氧气退火氧化等方式使金属转变为金属氧化物。通过形成氧化物层，可以有效减小晶体管的界面态密度，提高晶体管的场效应迁移率，改善晶体管的开关速度和功耗性能，此外，还可以改善晶体管的稳定性和可靠性，从而提高集成电路的整体性能。
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公开(公告)号：CN112858418A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110205251.3
申请日：2021-02-24
Applicant: 北京大学
IPC: G01N27/26
Abstract: 本发明公开了一种用于肿瘤细胞检测的传感器的制备方法，该方法将3D打印技术与微电子技术结合，制备出的传感器结构包括衬底、绝缘层、传感层，两个测试电极和溶液装载区，绝缘层位于衬底之上，传感层位于绝缘层之上，测试电极和溶液装载区位于传感层之上，溶液装载区位于两个测试电极之间。本发明基于细胞外基质pH的准确测量，实现肿瘤细胞检测工作。本发明可用于临床肿瘤细胞的实时、准确测定。
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公开(公告)号：CN110689839B
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911256425.8
申请日：2019-12-10
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学软件与微电子学院
IPC: G09G3/20 , G09G3/3266 , G09G3/36 , G09G3/32 , G11C19/28
Abstract: 本发明提供一种移位寄存器单元、驱动方法、栅极驱动电路和显示装置，涉及显示技术领域。移位寄存器单元包括移位寄存模块和输出模块，所述移位寄存模块在复位信号以及第一时钟信号的控制下，对输入信号进行移位寄存，以生成进位输出信号；移位输出节点的电压信号与所述进位输出信号反相；输出模块用于根据输出控制信号和第二时钟信号生成栅极驱动信号；输出控制信号为所述进位输出信号或所述移位输出节点的电压信号。本发明所述的移位寄存器单元、驱动方法、栅极驱动电路和显示装置特性稳定。所述显示装置可以为有机发光二极管显示装置、液晶显示装置或聚合物发光器件显示装置。
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公开(公告)号：CN110689848B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911256185.1
申请日：2019-12-10
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学软件与微电子学院
IPC: G09G3/3233 , H01L27/32
Abstract: 本发明提供一种显示装置和驱动方法。显示装置具有显示区域、驱动电路区域以及位于显示区域与驱动电路区域之间的过渡区域；在第一方向上，过渡区域的宽度小于驱动电路区域的宽度，过渡区域的宽度小于显示区域的宽度；显示装置还包括设置于显示区域的阵列排布的多个像素电路；像素电路包括相互电连接的第一发光元件和像素驱动电路，像素驱动电路用于为第一发光元件提供驱动电流；第一发光元件包括第一电极、第二电极，以及，位于第一电极和第二电极之间的发光层；不同的所述第一发光元件包括的第一电极彼此间隔设置。本发明在显示区域和驱动电路区域之间设置过渡区域，在所述过渡区域内能够设置虚拟发光元件，以提升发光显示的均匀性。
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公开(公告)号：CN110942742A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911256402.7
申请日：2019-12-10
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学软件与微电子学院
IPC: G09G3/20 , G09G3/3266 , G09G3/36 , G11C19/28
Abstract: 本发明提供一种栅极驱动单元及驱动方法、栅极驱动电路和显示装置，涉及显示技术领域。所述栅极驱动单元包括移位寄存模块、输出模块和下拉模块；移位寄存模块分别在第一时钟信号和第二时钟信号的控制下，根据输入信号，控制第一节点的电压信号和第二节点的电压信号；输出模块在第一节点的电压信号与第二节点的电压信号的控制下，控制栅极驱动信号输出端与第一时钟信号端之间连通；下拉模块在第二节点的电压信号的控制下，控制栅极驱动信号输出端与第一电压端之间连通。本发明所述的栅极驱动单元及驱动方法、栅极驱动电路和显示装置特性稳定。所述显示装置可以为有机发光二极管显示装置、液晶显示装置或聚合物发光器件显示装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107916398B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201711102694.X
申请日：2017-11-10
Applicant: 北京大学
IPC: C23C14/08 , C23C14/35 , H01L21/02 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种C轴对称结晶氧化物半导体薄膜的制备方法和应用。该方法采用溅射技术生长具有良好CAAC结构的无铟元素的氧化物半导体薄膜。采用本发明制备方法制备的CAAC结构的稀土元素掺杂的氧化锌铝(RE‑AZO)薄膜材料中锌元素、铝元素和稀土元素的摩尔百分比含量为：锌元素85％‑98％，铝元素1％‑10％，稀土元素1％‑14％，稀土元素为Gd、Lu、Y和Sc中的至少一种。采用本发明制备的薄膜材料作为有源层的TFT可用于柔性显示等需要低温制备工艺的应用。
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公开(公告)号：CN105589607B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201610084809.6
申请日：2016-02-14
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学
IPC: G06F3/042 , G06F3/043 , G06F3/0488
CPC classification number: G06F3/0412 , G04G21/08 , G06F3/0416 , G06F3/042 , G06F3/043 , G06F3/0488
Abstract: 一种触控系统、触控显示系统以及触控交互方法，该触控系统包括触摸检测装置、触控区定位装置、以及与触摸检测装置和触控区定位装置信号连接的处理装置；触摸检测装置配置为检测预设区域内触摸事件的发生位置并向处理装置发送关于触摸事件的发生位置的信息；触控区定位装置配置为发射第一光束和第二光束，以在第一位置以形成第一图案并且在第二位置形成第二图案；处理装置配置为对所述信息进行处理以获取触摸事件的发生位置并获取第一位置和第二位置。本发明实施例可避免触控操作遮挡显示屏幕。
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公开(公告)号：CN107916398A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201711102694.X
申请日：2017-11-10
Applicant: 北京大学
IPC: C23C14/08 , C23C14/35 , H01L21/02 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种C轴对称结晶氧化物半导体薄膜的制备方法和应用。该方法采用溅射技术生长具有良好CAAC结构的无铟元素的氧化物半导体薄膜。采用本发明制备方法制备的CAAC结构的稀土元素掺杂的氧化锌铝(RE-AZO)薄膜材料中锌元素、铝元素和稀土元素的摩尔百分比含量为：锌元素85％-98％，铝元素1％-10％，稀土元素1％-14％，稀土元素为Gd、Lu、Y和Sc中的至少一种。采用本发明制备的薄膜材料作为有源层的TFT可用于柔性显示等需要低温制备工艺的应用。
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公开(公告)号：CN104157687B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201410392305.1
申请日：2014-08-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 一种结合垂直沟道、异类杂质分凝和肖特基势垒源/漏结构的环栅场效应晶体管，包括一个垂直方向的环状半导体沟道，一个环状栅电极，一个环状栅介质层，一个源区，一个杂质分凝区，一个漏区，一个杂质分凝区，一个半导体衬底；其中，源区位于垂直沟道的底部，与衬底相接，杂质分凝区介于源区与垂直沟道之间；漏区位于垂直沟道的顶部，杂质分凝区介于漏区与垂直沟道之间；栅介质层和栅电极呈环状围绕住垂直沟道；源区和漏区分别与沟道形成肖特基接触；所述杂质分凝区和杂质分凝区的杂质选自异类材质，即：杂质分凝区的杂质选自于p型材料时，杂质分凝区的杂质选自于n型材料；杂质分凝区的杂质选自于n型材料时，杂质分凝区的杂质选自于p型材料。
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公开(公告)号：CN104201205B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201410427814.3
申请日：2014-08-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 一种结合垂直沟道、芯‑壳结构和无结结构的环栅场效应晶体管，包括：垂直方向的环状半导体芯，垂直方向的环状半导体壳，环状栅电极，环状栅介质层，芯源区，芯漏区，壳源区，壳漏区，半导体衬底；其中，芯源区位于垂直芯沟道的底部，与衬底相接，芯漏区位于垂直芯沟道的顶部；壳源区位于垂直壳沟道的底部，与衬底相接，壳漏区位于垂直壳沟道的顶部；壳沟道呈环状围绕住芯沟道；壳沟道外环绕着栅介质层；栅介质层外环绕着栅电极。本发明利用源漏沟道相同掺杂极大地降低了热预算消除了杂质扩散和突变结的形成问题、简化了工艺要求，利用锗芯增大了驱动电流，并利用垂直沟道、环形栅结构突破了集成加工光刻极限限制，提高了集成度。
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