公开(公告)号：CN103650186A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280033162.4

申请日：2012-06-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 林润平 ,  古田达雄 ,  清水康志 ,  松田坚义 ,  斋藤宏 ,  久保田纯

IPC: H01L41/187 ,  C04B35/468

CPC classification number: H01L41/1871 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/49 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/79

Abstract: 本发明提供无铅压电材料，其在宽运行温度范围内具有稳定、优异的压电常数和机械品质因数。该压电材料包括由(Ba1-xCax)a(Ti1-yZry)O3(其中1.00≤a≤1.01，0.155≤x≤0.300，0.041≤y≤0.069)表示的钙钛矿型金属氧化物作为主要成分，和在该钙钛矿型金属氧化物中引入的锰。相对于100重量份的该钙钛矿型金属氧化物，锰含量为0.12重量份-0.40重量份，基于金属。

公开(公告)号：CN103283051A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201180064223.9

申请日：2011-12-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 岛田干夫 ,  饗场利明 ,  伊福俊博 ,  松田坚义 ,  渡边隆之

IPC: H01L41/187

CPC classification number: H01L41/1871 ,  B08B7/028 ,  B41J2/14233 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/43 ,  H02N2/106 ,  H02N2/163

Abstract: 提供具有更高的压电常数的压电元件，并且还提供分别使用以上的压电元件的液体排出头、超声马达和灰尘去除装置。压电元件至少包含一对电极和被设置为与所述一对电极接触的压电材料，压电材料由以钛酸钡以主要成分的晶粒的集合体形成，并且，在集合体的晶粒之中，至少与电极接触的晶粒在粒内具有位错层。液体排出头、超声马达和灰尘去除装置分别使用以上的压电元件。

公开(公告)号：CN102934247A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201180027712.7

申请日：2011-06-07

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松田坚义 ,  渡边隆之 ,  林润平

IPC: H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  B08B7/02 ,  B41J2/14 ,  C04B35/495

CPC classification number: H01L41/1871 ,  B08B7/026 ,  B41J2/14233 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/605 ,  C04B2235/76 ,  H01L41/43 ,  H02N2/106 ,  H02N2/163

Abstract: 提供包含具有高取向度的基于铌酸钡铋钙的钨青铜结构金属氧化物的压电材料。还提供包括压电材料的压电元件、液体排放头、超声波电机、以及灰尘清洁设备。压电材料包括：钨青铜结构金属氧化物，包括金属元素钡、铋、钙和铌；以及钨。金属元素以摩尔计量满足以下条件：当Ba/Nb＝a时，0.37≤a≤0.40，当Bi/Nb＝b时，0.020≤b≤0.065，以及当Ca/Nb＝c时，0.007≤c≤0.10。以金属计量的钨含量相对于钨青铜结构金属氧化物的100重量份是0.4至2.0重量份。钨青铜结构金属氧化物具有c轴取向。

公开(公告)号：CN102549790A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080043224.0

申请日：2010-09-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 林润平 ,  渡边隆之 ,  松田坚义 ,  三浦薰 ,  久保田纯

IPC: H01L41/18 ,  C04B35/495

CPC classification number: H01L41/187 ,  C01G33/006 ,  C01G35/006 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/787

Abstract: 本发明提供压电材料，其包括具有高居里温度和压电性优异的氧化铋钡铌基钨青铜结构的金属氧化物。该压电材料包括由下述通式(1)表示的具有钨青铜结构金属氧化物，其中该具有钨青铜结构的金属氧化物包括Li，并且Li的含量为0.015重量％-0.600重量％，以金属计，相对于100重量份的该金属氧化物：AXB10O30(1)其中A表示Ba和Bi，或者Ba和Bi和选自Na、Sr和Ca中的至少一种元素；B表示Nb，或者Nb和Ta；并且x表示4.5＜x＜5.5的数值。

公开(公告)号：CN102378744A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201080015258.9

申请日：2010-03-30

Applicant: 佳能株式会社 ,  国立大学法人山梨大学

Inventor： 斋藤宏 ,  松田坚义 ,  高岛健二 ,  熊田伸弘

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/468 ,  C03B29/00 ,  C30B30/04 ,  C30B28/00 ,  H01L41/187

CPC classification number: C30B29/24 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/26 ,  C04B35/2666 ,  C04B35/2675 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/6263 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3274 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3291 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/605 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/787 ,  C30B28/00 ,  C30B30/04 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/43

Abstract: 本发明提供压电陶瓷，其含有具有假立方型的{110}面取向的BiFeO3，其适合畴工程，该压电陶瓷包括由下述通式(1)表示的钙钛矿型金属氧化物，并且具有假立方型的{110}面取向：通式(1)xBiFeO3-(1-x)ABO3其中A和B均表示一种或多种金属离子；A表示具有1、2或3价的金属离子；和B表示具有3、4或5价的金属离子，条件是x在0.3≤x≤1的范围内。

公开(公告)号：CN101641806B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200880009802.1

申请日：2008-03-05

Applicant: 佳能株式会社 ,  国立大学法人东京工业大学

Inventor： 林润平 ,  松田坚义 ,  福井哲朗 ,  舟洼浩

IPC: H01L41/09 ,  H01L41/24

CPC classification number: H01L41/0973 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/319

Abstract: 本发明公开了外延膜，其包括：加热Si衬底，在该衬底的表面上设置有具有1.0nm～10nm膜厚的SiO2层；和通过使用由以下组成式(1)表示的金属靶在该SiO2层上形成由以下组成式(2)表示的外延膜：yA(1-y)B (1)，其中A为选自由包括Y和Sc的稀土元素组成的组的一种或多种元素，B为Zr，且y为0.03～0.20的数值，xA2O3-(1-x)BO2 (2)，其中A和B为分别与组成式(1)的A和B相同的元素，且x为0.010～0.035的数值。

公开(公告)号：CN100564313C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200610121595.1

申请日：2006-08-23

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 伊福俊博 ,  松田坚义 ,  青木活水

IPC: C04B35/472 ,  C04B35/491 ,  H01L41/187

CPC classification number: B41J2/14233 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1646 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/316

Abstract: 一种压电物质，其特征在于，压电物质的主要成分是PZT，其具有用Pb(ZrxTi1-x)O3(1)表示的钙钛矿型结构(x表示化学式中Zr和Ti的元素比Zr/(Zr+Ti))，该压电物质的Pb，Zr和Ti的元素比Pb/(Zr+Ti)为1.05或者更大，Zr和Ti的元素比Zr/(Zr+Ti)为0.2-0.8(含)，并且压电物质的居里温度Tc和在压电物质的Zr和Ti元素比下块体的居里温度Tc0满足关系Tc＞Tc0+50℃。

公开(公告)号：CN100402292C

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200510052153.1

申请日：2005-02-25

Applicant: 佳能株式会社 ,  和佐清孝

Inventor： 松田坚义 ,  伊福俊博 ,  福井哲朗 ,  和佐清孝

IPC: B41J2/045 ,  B41J2/16 ,  B41J2/01

CPC classification number: H01G4/1227 ,  B41J2/14233 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1634 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1646 ,  B41J2002/14258 ,  H01G4/10 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/1875 ,  H01L41/316 ,  H01L41/319

Abstract: 提供一种依次设置了基板、下部电极层、电介质层和上部电极层的电介质元件，其特征在于：所述电介质层具有主成分为氧化物且位于上述下部电极层一侧的第一电介质层和主成分为氧化物且位于上述上部电极层一侧的第二电介质层，所述第二电介质层比所述第一电介质层厚，在所述第一电介质层的25℃的相对介电常数为ε1、所述第二电介质层的25℃的相对介电常数为ε2时，满足下述的式(1)ε1/ε2≥0.9……(1)。

公开(公告)号：CN1660578A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN200510052152.7

申请日：2005-02-25

Applicant: 佳能株式会社 ,  和佐清孝

Inventor： 伊福俊博 ,  松田坚义 ,  青木活水 ,  武田宪一 ,  和佐清孝

IPC: B41J2/045 ,  B41J2/16 ,  B41J2/01

CPC classification number: B41J2/14233 ,  B41J2202/03 ,  H01L41/1875 ,  H01L41/316 ,  H01L41/319

Abstract: 提供一种电介质元件，其在第一电介质层和第二电介质层之间设置有电介质层，电介质层具有组成相互不同的第一电介质层和第二电介质层，在第一电介质层和第二电介质层的边界附近，第一电介质层的至少一种成分的组成在第一电介质层的厚度方向上发生变化。

公开(公告)号：CN1380187A

公开(公告)日：2002-11-20

申请号：CN02121709.2

申请日：2002-02-09

Applicant: 佳能株式会社 ,  和佐清孝

Inventor： 海野章 ,  米原隆夫 ,  福井哲朗 ,  松田坚义 ,  和佐清孝

IPC: B41J2/14 ,  B41J2/16 ,  H01L41/08 ,  H01L41/22

CPC classification number: B41J2/1628 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1632 ,  B41J2/1646 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/0973 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49401

Abstract: 一压电结构,包括:一个振动板;一个压电膜;该振动板包括由单晶材料、多晶体材料,掺有与构成单晶材料的元素不同的元素的单晶材料,或者掺有与构成多晶体材料的元素不同的元素的多晶材料构成的一层,并且包括将前述层夹在中间的氧化层,该压电膜具有单一取向的晶体或单晶结构。