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公开(公告)号：CN110034216A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201810030554.4
申请日：2018-01-12
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物深紫外发光二极管结构及其制作方法。其中，所述的制作方法包括：在衬底上生长形成深紫外发光二极管的外延结构的步骤，所述外延结构包括依次在衬底上形成的n型接触层、有源区、电子阻挡层和p型接触层，以及，制作分别与n型接触层、p型接触层电连接的n型电极、p型电极的步骤；并且还包括在位于所述发光二极管结构n侧的出光面上加工形成所述取光增强的微纳结构的步骤，所述出光面为 氮面。本发明提供的III-V族氮化物深紫外发光二极管结构具有取光效率高、热阻低、结温低和稳定性好等优点，可大幅增强深紫外发光二极管的器件性能和寿命，且其制作工艺简单快捷，易于规模化实施。
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公开(公告)号：CN105990106B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201510076931.4
申请日：2015-02-13
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/205 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种半导体异质结构、其制备方法及应用。该半导体异质结构包括第一半导体材料和第二半导体材料，该第一半导体材料与该第二半导体材料相互接合且形成实质上的晶格匹配，其中该第一半导体材料为AlxInyGa1‑x‑yN，其中4.72≤x/y≤5.10，0≤x≤1，0
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公开(公告)号：CN105762236B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201410776660.9
申请日：2014-12-15
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种氮化物超辐射发光二极管（SLD），包括衬底以及外延结构层，所述外延结构层包括依次形成于衬底上端面的缓冲层、下光学限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上光学限制层和电极接触层，其中所述衬底下端面上还设有下电极，而在所述电极接触层上设有上电极，其特征在于所述外延结构层上部包含有脊型波导结构，所述脊型波导结构主要由直线区、弧形区和倾斜区中的任意两种以上的组合构成。本发明还公开了前述SLD的制备方法。本发明的SLD器件兼具高输出功率和高质量的输出光谱，稳定性好，使用寿命长。
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公开(公告)号：CN106783994A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201510822198.6
申请日：2015-11-24
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种抑制电流崩塌效应的增强型HEMT器件及其制备方法。该HEMT器件包括异质结构以及与异质结构连接的源极、漏极和栅极，该异质结构包括作为沟道层的第一半导体和作为势垒层的第二半导体，该第二半导体形成于第一半导体上，该异质结构内形成有二维电子气；该第二半导体上还依次形成有量子阱层和第三半导体，该第三、第二半导体的导电类型不同，该栅极与第三半导体电性接触。本发明通过在增强型HEMT器件中的栅极区域及非栅极区域直接集成量子阱结构，使得器件处于开态时，同时能够实现发光，该发光可以有效辐射在栅‑漏、栅‑源之间的表面区域并深入至材料内部，能够加快被各类缺陷态所俘获的电子的释放过程，从而有效抑制器件电流崩塌效应。
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公开(公告)号：CN106684213A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201510752667.1
申请日：2015-11-06
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
CPC classification number: H01L33/0045 , H01L33/007 , H01S5/34333
Abstract: 本发明公开了一种GaN基半导体器件及其制作方法。所述GaN基半导体器件包括硅衬底、以及形成于所述硅衬底上的外延层，所述外延层包括依次形成于所述硅衬底上的AlN成核层，AlGaN缓冲层以及GaN缓冲层。本发明采用介质膜做为掩膜层，通过调控介质层的周期数达到不同的效果，当周期数较大时可以做为限制层，能够有效减少光损耗，降低激光器和超辐射发光二极管的阈值电流；当周期数较小时做为界面层，与底部的AlGaN组成另一个光波导结构，形成平板耦合光波导激光器、超辐射发光二极管，可以得到形状较好的近圆光斑。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106653838A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201510740432.0
申请日：2015-11-04
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/32 , H01S1/02
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L29/32 , H01S1/02
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹光源器件及其制作方法。所述器件包括主要由第一、第二半导体组成的异质结以及与所述异质结连接的电极，所述第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙，并且所述异质结内分布有二维电子气；所述第二半导体表面还分布有复数基于V型坑的Via结构，所述基于V型坑的Via结构与分布于所述异质结中的相应穿透位错相连接。本发明通过在太赫兹光源器件的外延生长过程中故意引入基于V型坑的Via结构，极为有利于纵向栅极注入电流激发技术方案的实现，可以避免背景黑体辐射带来的噪音问题，同时还能大幅提高能量转化效率和输入电功率，以及大幅提高太赫兹辐射功率和辐射效率。
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公开(公告)号：CN106601613A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201510684066.1
申请日：2015-10-20
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/314 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种云母薄膜的制备方法，其包括：将衬底放置于真空的脉冲激光沉积设备中；利用脉冲激光熔蚀云母靶材，使云母靶材的表面产生等离子体羽辉，所述等离子体羽辉沉积在所述衬底上生长形成均匀的云母薄膜。本发明还公开了一种晶体管，其包括利用该制备方法制备的云母薄膜。本发明的晶体管引入云母薄膜作为电介质层，由于云母的层状二维纳米结构具有超薄的厚度，有利于晶体管的栅极调制，并且有助于晶体管在纵向方向的高密度集成。此外，云母薄膜的表面非常光滑，这个特征使晶体管的载流子能够免于表面粗糙度及陷阱态的影响，从而晶体管能够获得较高的载流子迁移率。
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公开(公告)号：CN106486363A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201510551408.2
申请日：2015-09-01
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L21/02 , H01L21/3065
Abstract: 本发明公开了一种基于p型层的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法。所述HEMT包含主要由第一半、第二半导体层组成的异质结以及与所述异质结连接的源、栅和漏电极，该栅电极与势垒层之间还分布有能与第二半导体层形成异质结的第三半导体层；所述第三、第二半导体层之间还分布有刻蚀终止层，所述刻蚀终止层的组成材料比第三半导体层的组成材料具有更高刻蚀选择比，或者所述第二半导体层中与第三半导体层临近的区域的组成材料比第三半导体层的组成材料具有更高刻蚀选择比。藉由本发明的设计可以大幅降低p型栅技术的实施难度，并精确控制p型层的刻蚀深度，确保器件电学特性和芯片制作工艺的重复性、均匀性、稳定性，适用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN105762236A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201410776660.9
申请日：2014-12-15
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种氮化物超辐射发光二极管（SLD），包括衬底以及外延结构层，所述外延结构层包括依次形成于衬底上端面的缓冲层、下光学限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上光学限制层和电极接触层，其中所述衬底下端面上还设有下电极，而在所述电极接触层上设有上电极，其特征在于所述外延结构层上部包含有脊型波导结构，所述脊型波导结构主要由直线区、弧形区和倾斜区中的任意两种以上的组合构成。本发明还公开了前述SLD的制备方法。本发明的SLD器件兼具高输出功率和高质量的输出光谱，稳定性好，使用寿命长。
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公开(公告)号：CN119730506A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411821774.0
申请日：2024-12-11
Applicant: 苏州立琻半导体有限公司 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H10H20/84 , H10H20/831 , H10H20/01
Abstract: 本发明公开了一种高光效发光二极管结构及制作方法，所述高光效发光二极管结构包括：基板；发光单元，位于基板上方，所述发光单元包括依次层叠于基板上方的P型半导体层、有源层及N型半导体层，所述发光单元中设有自P型半导体层的下表面延伸至N型半导体层的第一凹槽；电极，包括设于第一凹槽内且与N型半导体层相接触的第一电极，设于P型半导体层下表面上的第二电极，以及设于第一电极的下表面上的覆盖电极，所述覆盖电极与基板电连接；绝缘层，位于发光单元与基板之间且至少填充于部分第一凹槽内。本发明实现了在不影响第二电极质量的同时，获得了具有良好欧姆接触的第一电极，并改善了高温退火后第一电极上绝缘层附着力差的问题。
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