-
公开(公告)号：CN101667674A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200810119584.9
申请日：2008-09-03
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01P5/12
Abstract: 本发明公开了一种针对波导-探针-波导形式的双层腔体结构，该结构采用精密一体化加工，包括三个部分：输入波导腔、双层波导-探针-波导转换部分和输出波导腔；其中，双层波导-探针-波导转换部分由波导-探针转换结构和探针-波导转换结构两部分构成；信号从输入波导腔输入，通过波导-探针转换结构耦合形成两路信号，实现功率3dB分配，两路信号分别经过阻抗匹配与信号放大，由探针-波导转换结构进行耦合，实现3dB功率合成，最后信号由输出波导腔输出。利用本发明，实现了波导到微带过渡的同时完成3dB功率合成，提高了合成的效率，降低了损耗，实现了宽频带特性。
-
公开(公告)号：CN101662885A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200810119084.5
申请日：2008-08-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种对Ku波段微带型开关电路印制电路板进行背金的方法，该方法是在对该Ku波段微带型开关电路中印制电路板进行背金处理时，有选择性的对印制电路板进行背金处理，隔断该印制电路板微带线接地底板背面之间的部分，抑制微波信号的耦合效应，避免电路中引入更多的寄生参数，提高微带型开关电路的隔离度性能。利用本发明，有效抑制了微波信号的耦合效应，避免了电路中引入更多的寄生参数，最终提高微带型开关电路的隔离度性能。该方法具有制作简单，可重复性好，成本低，适用范围广等特点。
-
公开(公告)号：CN1787171A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200410009984.6
申请日：2004-12-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，是关于一种应用于半导体无源元件制作工艺中改善金属－介质－金属(MIM)电容质量的方法。该方法，包括如下步骤：步骤1：在基板上，光刻形成电容下极板图形；步骤2：依次蒸发钛/金/钛形成电容下极板；步骤3：淀积介质层；步骤4：制作空气桥；步骤5：光刻上极板图形，采用电镀方法形成上极板。本发明的工艺方法简单，成本低，重复性很好，得到的电容器件的特性较之传统工艺有很大提高。
-
公开(公告)号：CN112883676B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202110280691.5
申请日：2021-03-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明涉及一种薄势垒层的场板型肖特基二极管器件模型及参数提取方法；模型中的非线性沟道电阻Rch、肖特基结和导通电阻Rs为串联连接结构；非线性电容CFP与串联的肖特基结和非线性沟道电阻Rch成并联连接结构；本发明提供模型能够综合提取出器件的寄生和本征参数建立小信号等效电路，可以方便地模拟器件的直流特性和高频特性，模型仿真结果与实际测试结果有较好地一致性；本发明的场板型肖特基二极管器件模型的参数提取方法，能够准确地提取器件场板在不同频率，不同偏置点下的电容，能够准确地提取器件的本征参数，提高模型参数提取的效率和模型的准确性。
-
公开(公告)号：CN114497198A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202011275474.9
申请日：2020-11-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/40 , H01L21/285 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本公开提供了一种基于HEMT器件的曲面场板结构，包括栅极、源极及漏极，栅极位于源极及漏极之间，其特征在于，栅极与漏极之间形成有曲面场板结构，其曲面与器件生长方向垂直，通过优化场板结构，可有效抑制HEMT器件的峰值电场，且通过将优化后的场板结构设置在凹槽中，缩短了场板与沟道载流子之间的距离，可进一步有效抑制HEMT器件的峰值电场。本公开还提供了一种基于HEMT器件的曲面场板结构的制备方法。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113067552A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110281815.1
申请日：2021-03-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种低噪声放大器和射频前端电路，包括依次级联的输入匹配电路、第一级放大晶体管、第一级间匹配电路、第二级放大晶体管、第二级间匹配电路、第三级放大晶体管和输出匹配电路；第一级放大晶体管、第二级放大晶体管和第三级放大晶体管均用于对其栅极输入的信号进行放大；输入匹配电路、第一级间匹配电路、第二级间匹配电路和输出匹配电路用于实现阻抗匹配；其中，第一级间匹配电路的匹配频点为次高频点；第二级间匹配电路的匹配频点为高频点。基于此，可以在保证高增益的基础上，增加电路的平坦度，拓展电路带宽，实现宽带的低噪声放大器。并且，本发明提供的低噪声放大器的电路结构较简单，占用芯片面积较小，功耗也较小。
-
公开(公告)号：CN112906226A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110205653.3
申请日：2021-02-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F30/20 , G01D21/02 , G06F119/08
Abstract: 本发明所提供的GaN‑HEMT器件大信号模型的建模方法，包括：对GaN‑HEMT器件进行高低温环境下的脉冲电流‑电压测试，获得不同温度下的电流‑电压数据；采用改进后的漏极电流公式搭建GaN‑HEMT器件的漏电模型，改进后的漏极电流公式包含与环境温度相关的参数；将不同温度下的电流‑电压数据与漏电模型进行拟合，确定漏电模型的参数。由于改进后的漏极电流公式包含与环境温度相关的参数，因此，可以建立与包含环境温度相关的参数的大信号模型，从而可以获得在高低温环境下准确预测GaN‑HEMT器件性能的大信号模型，进而提高了GaN‑HEMT器件仿真模型的准确性。
-
-
公开(公告)号：CN103311094A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201210070912.7
申请日：2012-03-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/302
Abstract: 本发明公开了一种对晶圆表面进行处理的方法，该方法是在欧姆接触合金后采用紫外臭氧清洗系统(UVOCS)对晶圆表面进行紫外线及臭氧(UV/Ozone)表面处理，即采用低压石英汞灯产生254nm和185nm范围的紫外线及臭氧对晶圆表面进行30分钟的UV/Ozone表面处理。利用本发明，降低了晶圆表面在工艺过程中引入的有机污染物或碳污染物的表面处理方法，在欧姆接触合金后采用UV/Ozone表面处理使得欧姆接触电学特性大大改善，I-V特性曲线更加陡直，达到饱和电流所对应的电压减小，并且电流的对称性得到很好改善。
-
公开(公告)号：CN102311706B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201010223346.X
申请日：2010-06-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明公开了一种纳米级抛光液及其调配方法，该抛光液由单晶人造金刚石微粉、氧化铝微粉、硅胶、表面活性剂、分散剂、润滑剂、化学PH值调节剂和溶剂配置而成，具体质量百分比为：金刚石微粉0.1～10％，氧化铝微粉0.1～5％，硅胶0.1～10％，表面活性剂0.3～10％，分散剂0.05～4％，润滑剂0.5％～1％，化学PH值调节剂0.01～1％，溶剂60～98.2％。本发明同时公开了一种配制上述抛光液的方法。利用本发明，调配出了采用纳米级金刚石和氧化铝，硅胶的混合浆液，实现了理想的抛光效果，满足了GaN外延用衬底(碳化硅，蓝宝石)进行减薄研磨工艺的要求，为半导体抛光工艺提供了良好的技术手段。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
84
records
(took 0.039 seconds)
