一种对晶圆表面进行处理的方法

    公开(公告)号:CN103311094A

    公开(公告)日:2013-09-18

    申请号:CN201210070912.7

    申请日:2012-03-16

    Abstract: 本发明公开了一种对晶圆表面进行处理的方法,该方法是在欧姆接触合金后采用紫外臭氧清洗系统(UVOCS)对晶圆表面进行紫外线及臭氧(UV/Ozone)表面处理,即采用低压石英汞灯产生254nm和185nm范围的紫外线及臭氧对晶圆表面进行30分钟的UV/Ozone表面处理。利用本发明,降低了晶圆表面在工艺过程中引入的有机污染物或碳污染物的表面处理方法,在欧姆接触合金后采用UV/Ozone表面处理使得欧姆接触电学特性大大改善,I-V特性曲线更加陡直,达到饱和电流所对应的电压减小,并且电流的对称性得到很好改善。

    多个子腔体的微带型微波开关

    公开(公告)号:CN101471467B

    公开(公告)日:2012-11-21

    申请号:CN200710303892.2

    申请日:2007-12-26

    Abstract: 本发明一种多个子腔体的微带型微波开关,涉及微波开关技术,其含有的多个子单元电路的子腔体结构,提高了微波开关电路的隔离度,可用于任何基于PIN二极管的微带型微波开关电路。本发明有效提高微波开关的隔离度,解决了微带型开关应用在微波频段中难以突破隔离度性能的瓶颈,同时开关电路的插入损耗以及驻波等特性均比较好。

    一种微波功率分配器
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103956552A

    公开(公告)日:2014-07-30

    申请号:CN201410156412.4

    申请日:2014-04-18

    Abstract: 本发明公开了一种微波功率分配器,包括相互连通成一体的耦合腔和矩形波导腔,以及耦接于耦合腔的偶数个耦合器,耦合腔外形呈正四棱柱形状,该正四棱柱的一侧面的中央部分在矩形波导腔终端短路面处与矩形波导腔相接并连通,在该侧面的相对侧面开有偶数个窗口,每个窗口中耦接一个用于耦合微波信号的耦合器;矩形波导腔为该微波功率分配器的主路端口,偶数个耦合器为该微波功率分配器的支路端口,且所有支路端口为等分端口。本发明提供的微波功率分配器合成效率高,插入损耗小,能够获得良好的输入输出驻波和宽频带特性,并且加工简单、装配方便,能够在实现波导到微带过渡的同时完成功率分配,或者在微带到波导过渡的同时完成功率合成。

    基于波导的功率合成器
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101826648B

    公开(公告)日:2013-02-06

    申请号:CN200910078862.5

    申请日:2009-03-04

    Abstract: 本发明公开了一种基于波导的功率合成器,该功率合成器采用上下双层结构,由两个3dB矩形波导功分/功合模块、四个功率放大模块和八个微带探针构成,其中,两个3dB矩形波导功分/功合模块左右对称,四个功率放大模块位于两个3dB矩形波导功分/功合模块的对称平面上,且该四个功率放大模块关于两个3dB矩形波导功分/功合模块对称平面的中心对称分布,每个功率放大模块的两端分别连接一个微带探针,微带探针的另一端插入3dB矩形波导功分/功合模块与3dB矩形波导功分/功合模块耦合。所述功率合成器具有带宽大的特点,还具有损耗极低、散热好的特点,从而实现高功率、高效率的微波功率合成。

    针对Ku波段内匹配场效应晶体管的偏置电路

    公开(公告)号:CN101662263B

    公开(公告)日:2012-11-21

    申请号:CN200810118973.X

    申请日:2008-08-27

    Abstract: 本发明公开了一种针对Ku波段内匹配场效应晶体管的偏置电路,其特征在于,该偏置电路由微带短截线结构的栅极偏置电路、Ku波段内匹配场效应晶体管和双段式微带短截线结构的漏极偏置电路构成,其中,该微带短截线结构的栅极偏置电路连接于该Ku波段内匹配场效应晶体管的栅极,该双段式微带短截线结构的漏极偏置电路连接于该Ku波段内匹配场效应晶体管的漏极。本发明可以有效抑制Ku波段微波功率放大器中常见的低频振荡,提高放大器稳定性,拓宽偏置电路带宽,只引入很低的插入损耗。本发明可用于任何基于内匹配场效应晶体管的Ku波段微波功率放大器。

    适用于波导的功率合成及分配的波导结构

    公开(公告)号:CN102117947A

    公开(公告)日:2011-07-06

    申请号:CN200910244526.3

    申请日:2009-12-30

    Abstract: 本发明公开了一种适用于波导的功率合成及分配的波导结构,其特征在于,该波导结构包括功率分支部分、波导传输部分以及圆弧拐弯部分,其中功率分支部分与波导传输部分通过圆弧拐弯部分连接,该波导结构具有三个端口,信号从任一端口输入,从另外两个端口输出。利用本发明,可以有效地实现功率的空间合成,同时保证极低损耗,驻波性能良好,加工简单,具有可级联的特点。

    针对Ku波段内匹配场效应晶体管的偏置电路

    公开(公告)号:CN101662263A

    公开(公告)日:2010-03-03

    申请号:CN200810118973.X

    申请日:2008-08-27

    Abstract: 本发明公开了一种针对Ku波段内匹配场效应晶体管的偏置电路,其特征在于,该偏置电路由微带短截线结构的栅极偏置电路、Ku波段内匹配场效应晶体管和双段式微带短截线结构的漏极偏置电路构成,其中,该微带短截线结构的栅极偏置电路连接于该Ku波段内匹配场效应晶体管的栅极,该双段式微带短截线结构的漏极偏置电路连接于该Ku波段内匹配场效应晶体管的漏极。本发明可以有效抑制Ku波段微波功率放大器中常见的低频振荡,提高放大器稳定性,拓宽偏置电路带宽,只引入很低的插入损耗。本发明可用于任何基于内匹配场效应晶体管的Ku波段微波功率放大器。

    波导型耦合检波器
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101614768A

    公开(公告)日:2009-12-30

    申请号:CN200910304985.6

    申请日:2009-07-30

    Abstract: 本发明公开了一种波导型耦合检波器,属于微波技术领域。所述波导型耦合检波器包括波导型耦合器和检波器,其中,检波器包括依次连接的第一微带线、第二微带线和第三微带线,第一微带线插入波导型耦合器第一预定深度,第三微带线插入波导型耦合器第二预定深度,第一微带线和第三微带线分别位于波导型耦合器中线的两侧,第二微带线连接检波二极管和匹配电阻。本发明的波导型耦合检波器损耗低,具有定向耦合能力,成本低,体积小,加工简单。

    基于波导的功率合成器
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101826648A

    公开(公告)日:2010-09-08

    申请号:CN200910078862.5

    申请日:2009-03-04

    Abstract: 本发明公开了一种基于波导的功率合成器,该功率合成器采用上下双层结构,由两个3dB矩形波导功分/功合模块、四个功率放大模块和八个微带探针构成,其中,两个3dB矩形波导功分/功合模块左右对称,四个功率放大模块位于两个3dB矩形波导功分/功合模块的对称平面上,且该四个功率放大模块关于两个3dB矩形波导功分/功合模块对称平面的中心对称分布,每个功率放大模块的两端分别连接一个微带探针,微带探针的另一端插入3dB矩形波导功分/功合模块与3dB矩形波导功分/功合模块耦合。所述功率合成器具有带宽大的特点,还具有损耗极低、散热好的特点,从而实现高功率、高效率的微波功率合成。

    多个子腔体的微带型微波开关

    公开(公告)号:CN101471467A

    公开(公告)日:2009-07-01

    申请号:CN200710303892.2

    申请日:2007-12-26

    Abstract: 本发明一种多个子腔体的微带型微波开关,涉及微波开关技术,其含有的多个子单元电路的子腔体结构,提高了微波开关电路的隔离度,可用于任何基于PIN二极管的微带型微波开关电路。本发明有效提高微波开关的隔离度,解决了微带型开关应用在微波频段中难以突破隔离度性能的瓶颈,同时开关电路的插入损耗以及驻波等特性均比较好。

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