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公开(公告)号：CN103898474B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201210579396.0
申请日：2012-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种钨-锑-碲相变材料的原子层沉积方法及相变存储单元的制备方法，包括：1）在基底上引入SbCl3脉冲，清洗未被吸收的SbCl3，然后引入(R3Si)2Te脉冲，清洗未被吸收的(R3Si)2Te和反应副产物；2）引入H2与Si2H6混合脉冲，清洗残余的H2与Si2H6，然后引入WF6脉冲，清洗残余WF6和反应副产物；3）引入SbCl3脉冲，清洗残余的SbCl3，然后引入(R3Si)3Sb脉冲，清洗未被吸收的(R3Si)3Sb和反应副产物；4）重复上述步骤1）~2），或步骤1）~3），形成循环周期。基于本方法可制备出相应的相变存储单元。采用本发明方法制备的钨-锑-碲相变材料具有厚度精确可控，薄膜致密性好，填孔能力强的特点。采用这种方法制备的相变薄膜应用到存储器中，可实现高密度存储，同时可以获得低功耗的器件。
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公开(公告)号：CN102339951B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110160543.6
申请日：2011-06-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种DRAM相变存储单元及用于替代DRAM的相变存储器，其存储单元尺寸在10F2以下，所使用的相变材料为：二元材料SbxM100-x，40≦x≦98，或三元材料MySbxTe100-x，40≦x≦98，1≦y≦40。本发明所提供的该相变存储器单元，具有超快的相变速度，超低的功耗，超强的疲劳使用寿命，以及适中的高低电阻比例和适中的数据保持能力。克服了传统DRAM器件在亚28纳米工艺节点之后所遇到的技术瓶颈，可实现对DRAM的替代。
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公开(公告)号：CN104241527A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410522199.4
申请日：2014-09-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于相变存储器的V-Sb-Te相变材料体系及其制备方法，其中，所述V-Sb-Te相变材料体系为在Sb-Te相变材料体系基础上掺V而成，其化学通式为V100-x-ySbxTey，其中，0.5≤x/y≤4，且50≤x+y≤99.99。本发明的V-Sb-Te相变材料体系具有相变速度快和操作功耗低，并有较佳的数据保持力和相稳定性，可以极大地拓展Sb-Te相变材料体系的应用范围。同时，V元素可以极大地减小Sb-Te材料体系的晶粒尺寸，使得材料有更好的可微缩性能，这也减小了材料相变前后的体积变化率，提高了材料的抗疲劳特性。另外，V元素与Sb-Te材料体系有较好的相容性，整个材料表现为均一相。
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公开(公告)号：CN103898474A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210579396.0
申请日：2012-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种钨-锑-碲相变材料的原子层沉积方法及相变存储单元的制备方法，包括：1）在基底上引入SbCl3脉冲，清洗未被吸收的SbCl3，然后引入(R3Si)2Te脉冲，清洗未被吸收的(R3Si)2Te和反应副产物；2）引入H2与Si2H6混合脉冲，清洗残余的H2与Si2H6，然后引入WF6脉冲，清洗残余WF6和反应副产物；3）引入SbCl3脉冲，清洗残余的SbCl3，然后引入(R3Si)3Sb脉冲，清洗未被吸收的(R3Si)3Sb和反应副产物；4）重复上述步骤1）~2），或步骤1）~3），形成循环周期。基于本方法可制备出相应的相变存储单元。采用本发明方法制备的钨-锑-碲相变材料具有厚度精确可控，薄膜致密性好，填孔能力强的特点。采用这种方法制备的相变薄膜应用到存储器中，可实现高密度存储，同时可以获得低功耗的器件。
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公开(公告)号：CN103050620A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201110306748.0
申请日：2011-10-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种用于相变存储器的相变材料，该相变材料是由Al，Te两种元素组成的相变材料，通式为Al2Tex，其中，1≤x≤30，且所述相变材料在电信号操作下可以实现高低阻值的反复转换，并在没有操作信号的情况下维持阻值不变。本发明的Al-Te系列相变材料作为相变存储器中的存储介质，可以在电信号作用下实现高低阻值之间的转换，在电信号的操作下，低阻阻值大于基于Ge-Sb-Te传统相变材料的器件低阻值，满足了低功耗的需求。短脉宽的电脉冲（5ns）仍然能对Al-Te基相变存储器进行正常操作，满足了高速数据存储的需求。并且基于Al-Te系列相变材料的相变存储器在循环擦写107次之后仍维持了正常的高低阻差别，体现出器件的循环使用寿命长。
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公开(公告)号：CN102978588A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210537558.4
申请日：2012-12-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种制备钛-锑-碲相变材料的方法及相变存储单元制备方法，包括：1）在基底上引入Sb的前驱体SbCl3脉冲，清洗未被吸收的的SbCl3，然后引入Te的前驱体(R3Si)2Te脉冲，清洗未被吸收的(R3Si)2Te和反应副产物；2）向上述基底引入Ti的前驱体TiCl4脉冲，清洗残余的TiCl4，然后引入Te的前驱体(R3Si)2Te脉冲，清洗残余(R3Si)2Te和反应副产物；3）向上述基底引入Sb的前驱体SbCl3脉冲，清洗残余的SbCl3，然后引入Sb的前驱体(R3Si)3Sb脉冲，清洗未被吸收的(R3Si)3Sb和反应副产物。采用本发明方法制备的钛-锑-碲相变材料具有厚度精确可控，薄膜致密性好，填孔能力强的特点。采用这种方法制备的相变薄膜应用到存储器中，可实现高密度存储，同时可以获得低功耗的器件。
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公开(公告)号：CN102810637A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210339752.1
申请日：2012-09-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1233 , H01L45/06 , H01L45/124 , H01L45/1253 , H01L45/1616 , H01L45/1641 , H01L45/1666
Abstract: 本发明提供一种用于替代DRAM及FLASH的相变存储单元及其制作方法，其包括相变材料层和与其接触并位于其下方的圆柱体下电极，其特征在于，所述相变材料层由侧壁层与圆形底层连接而成，并形成上部开口的空心圆柱体或空心倒圆台，所述空心圆柱体或空心倒圆台内部填充介质层。本发明采用制备内部填充介质材料的侧壁层垂直的相变材料层和侧壁层倾斜的相变材料层以及采用小电极的手段，减少相变材料层的厚度，从而减小操作时的相变区域、提高相变材料层的热稳定性及相变速度，最终达到减小操作功耗、提高器件数据保持力、提高器件操作速度和提高器件循环操作次数的目的。
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公开(公告)号：CN102779941A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210300829.4
申请日：2012-08-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种低功耗的相变存储单元及其制备方法，所述相变存储单元包括上下两个电极，该上下两个电极中至少一个为由两种不同导电材料以纳米级厚度交替层状生长而成的多层结构。本发明还提供了制作低功耗相变存储器的方法，本发明所制作的相变存储器有效地将焦耳热抑制在相变材料区域，提高了加热效率，降低了器件功耗。
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公开(公告)号：CN102751435A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201110100484.3
申请日：2011-04-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储材料及其制备方法，其中，所述相变存储材料为掺N富锑Sb-Te相变存储材料，所述富锑Sb-Te相变存储材料的化学通式为SbxTe，x≥0.5。相较于现有技术，所述掺N富锑Sb-Te相变存储材料具有结晶温度高、热稳定性好、数据保持力强以及功耗低等优点。
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