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公开(公告)号：CN1385906A
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：CN02111828.0
申请日：2002-05-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种广义的绝缘体上半导体薄膜材料(SOI)及制备方法,属于微电子学领域。其特征在于利用氢、氦等离子注入与键合技术,形成以Si、SiC、SiGe、GaAs、InP、类金刚石等半导体薄膜材料为有源层,以SiO2、AlN、Al2O3、玻璃、石英等为绝缘埋层的新一代广义的SOI先进材料。这种结合了微电子领域的先进半导体材料与SOI技术的新型材料,在增加电路抗辐照性能、提高电路速度、降低功耗等方面具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN1359158A
公开(公告)日：2002-07-17
申请号：CN01139288.6
申请日：2001-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种类似绝缘层上硅结构的材料及制备方法。其特征在于它具有Si/SiGe/SiO2/Si或SiGe/SiO2/Si的SiGe－OI结构,前者Ge组分恒定,一般小于30%;后者由递变Ge组分的SiGe缓冲层和Ge组分固定的SiGe层组成一种以外延和离子注入和键合技术,并利用特定的热处理工艺实现应变异质结结构的应变反转,从而得到高性能异质结MOSFET、MODFET等器件所需要的双轴张应变Si层。先在处理后的单晶Si衬底上外延一层SiGe薄层,注入H+离子或He+离子,注入能量为10keV～1MeV,剂量为1016～1017/cm2,形成气泡空腔层,利用键合工艺将另一片衬底材料于氧化硅片键合,在300～600℃下热处理,是键合片从气泡层处裂开,最后在800～1000℃、N2或Ar气氛中退火,加强键合,具有工艺简单、重复性和均匀性好的特点,且与常规硅集成电路工艺兼容。
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公开(公告)号：CN116103657A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310062225.9
申请日：2023-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于锗硒及其掺杂合金的化学机械抛光组合物，包括0.1～3.0％氧化剂、0.01～1.0％碱金属添加剂、0.01～2.0％络合剂、0.1～2.0％第一缓蚀剂、0.2～2.0％第二缓蚀剂、0～5％磨料，其余为pH缓冲剂和去离子水。本发明通过碱金属添加剂的作用促进了化学反应进行可以获得较高的锗硒化学机械抛光速率，同时添加的组合缓腐蚀剂可以使得在静止状态下的腐蚀速率降低，降低抛光后的表面腐蚀坑情形，获得平滑表面，具有良好的综合效果。
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公开(公告)号：CN111635701A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010618662.0
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新安纳电子科技有限公司 , 浙江新创纳电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种钴基材抛光液及其应用，按重量百分比，包括如下组分：液相载体50-80％；磨料0.1-10％；氧化剂≤1％；铵盐化合物0.005-20％；抑制剂0.1-100mM。本发明通过选择合适的氧化剂、铵盐化合物以及抑制剂并将他们合理组合，通过提高机械和化学作用来提高抛光速率，控制Co表面腐蚀情况以及改善表面质量，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN104556071B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410843300.6
申请日：2014-12-29
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B33/18
Abstract: 本发明提供一种多孔二氧化硅的制备方法，包括如下步骤：1）以水玻璃为原料，通过离子交换、晶种制备、颗粒生长后，制得二氧化硅球核；2）在二氧化硅球核中，加入模板剂，并添加硅源，混合搅拌后，从而在二氧化硅球核上生长出多孔壳层；3）将包含二氧化硅球核及多孔壳层的颗粒，经过滤、洗涤、干燥、煅烧或有机溶剂萃取，制得多孔二氧化硅颗粒。本发明提供的一种多孔二氧化硅的制备方法，能够制备出具备极高的比表面积，良好的化学活性及吸附特性的多孔二氧化硅颗粒，可应用于化学机械抛光液磨料，化工催化剂，以及药物载体等领域，且适用于大规模工业生产的需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104403570B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410610365.6
申请日：2014-11-03
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及化学机械抛光领域，特别是涉及一种可有效应用于相变材料GST的双氧化剂化学机械抛光液及其制备方法和用途。本发明提供一种双氧化剂的GST化学机械抛光液，其原料按重量份计，包括如下组分：抛光颗粒0.2?30份；氧化剂A 0.01?5份；氧化剂B 0.01?5份；表面活性剂0.01?4份；水性介质85?95份；pH调节剂适量；所述双氧化剂化学机械抛光液的pH值的范围为2?6。本发明发明人在相变材料抛光液中添加双氧化剂，利用两种氧化剂的协同作用，实现三种元素的全部氧化，解决抛光之后残留问题，保证抛光之后三种元素的比例保持不变，相变材料能够保持具有与抛光之前相同的相变性能。
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公开(公告)号：CN105670350A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610089066.1
申请日：2016-02-17
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: C09D7/61 , B05D7/14 , C08K3/36 , C09D1/00 , C09D125/14 , C09D175/04 , C09D7/63 , C09D7/65
Abstract: 本发明属于无机纳米材料制备和应用领域，涉及一种成膜硅溶胶及其制备方法与应用。本发明提供一种成膜硅溶胶，按质量百分比计，包括以下组分：硅溶胶66～91%；改性剂0.1～1.8%；成膜助剂7.2～33.9%。本发明还进一步提供了一种成膜硅溶胶的制备方法及其应用。本发明提供的一种成膜硅溶胶及其制备方法与应用，制备获得的成膜硅溶胶具有良好的外观透明度和稳定性，其应用于涂料作为成膜涂层具有良好的光泽度、较高的硬度和较强的附着力，在涂料领域具有较高实用价值。
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公开(公告)号：CN104593776A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410836073.4
申请日：2014-12-24
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23F3/04
Abstract: 一种用于钛的化学机械抛光液，以所述化学机械抛光液的总质量计，所述化学机械抛光液包括以下原料组分及重量百分含量：氧化剂1~5wt%、表面活性剂0.01~4wt%、有机添加剂0.01~3wt5、抛光颗粒0.2~30wt%、余量为pH调节剂和水。本发明中的化学机械抛光液利用不同成分化学机械抛光液对钛金属速率可控、表面质量好且低腐蚀的抛光，可满足工业中对于钛金属表面质量的需求。
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公开(公告)号：CN104559799A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410852457.5
申请日：2014-12-31
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02
CPC classification number: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及化学抛光领域，具体涉及一种含复合磨料的化学机械抛光液及其制备方法。所述化学机械抛光液，含有复合磨料，所述复合磨料由二氧化硅和三氧化二铝组成。所述复合磨料中，二氧化硅和三氧化二铝的重量比为0.1:1~3:1。本发明利用二氧化硅的化学活性和三氧化二铝的硬度之间的协同作用，可有效地提高蓝宝石的抛光效率。
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公开(公告)号：CN104559798A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410837824.4
申请日：2014-12-24
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02
Abstract: 一种氧化铝基化学机械抛光液，以所述化学机械抛光液的总质量计，所述化学机械抛光液包括以下组分及百分含量：抛光颗粒0.1~30wt%、表面活性剂0.01~10wt%、余量为pH调节剂和水性介质。本发明提供的化学机械抛光浆液对蓝宝石衬底材料的抛光速率可控制在50nm/min到200nm/min,同时表面粗糙度降低到了15？以下。利用上述抛光液可实现对蓝宝石衬底材料速率可控、表面低损伤并且无残留的抛光。
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